1. На енергетичних залежностях ефективних перерізів електронного збудження резонансних ліній іонів Zn+ та Cd+ виявлено чіткі резонансні особливості, у тому числі і вище потенціалу їх іонізації. Встановлено, що ці особливості обумовлені переважно внеском атомарних АІС, що утворюються при захопленні налітаючого електрона з одночасним збудженням електрона з субвалентної (n-1)d10-оболонки. Це свідчить про значний вплив субвалентної оболонки на процеси, що відбуваються у валентній оболонці цих іонів. Показано, що резонансний внесок в ефективний переріз збудження резонансних ліній іона Cd+ є більш значним порівняно з іоном Zn+, що є підтвердженням більшого прояву релятивістського ефекту. 2. Встановлено, що для АІС, які розташовані між 2P1/2 та 2P3/2 рівнями дублетного розщеплення резонансних станів іонів Zn+ і Cd+, домінуючим каналом їх розпаду є електронний розпад на 2P1/2 рівень за рахунок процесу Костера-Кроніга. Оскільки величина дублетного розщеплення резонансного стану іона Zn+ (DЕ=0.11 еВ) є меншою, ніж для іона Cd+ (DЕ=0.33 еВ), то на ФЗ слабкої компоненти резонансного дублету іона Zn+ цей резонансний внесок проявляється лише як прогин, тоді як у випадку іона Cd+ – у вигляді вираженого максимуму. 3. Виявлено випромінювання до порогів збудження резонансних ліній іонів Zn+ і Cd+, яке ідентифіковане як радіаційні переходи з АІС (n1)d10 np(2Po1/2,3/2) n’l’ на зв’язані (n1)d10 ns n’l’1,3L стани атома Zn і Cd у процесі ДР. Відповідні спектральні лінії випромінюються на довжинах хвиль, близьких до довжин хвиль резонансних ліній, тобто вони є їх діелектронними сателітами. Показано, що ефективність електронного збудження діелектронних сателітів та резонансних ліній є одного порядку за величиною. Встановлено, що у порозі збудження резонансних рівнів через наявну моноенергетичність електронів (DЕ1/2=0.35 еВ) процеси ДР і збудження експериментально нами повністю не відокремлені, а їх ФЗ взаємно перекриваються. 4. Порівняння енергетичних залежностей сумарних ефективних перерізів електронного збудження окремих компонент резонансного дублету іонів Zn+ та Cd+ з R-матричними розрахунками у наближенні сильного зв’язку 15 каналів (15СС) показало, що якщо у випадку іона Zn+ в припороговій області енергій має місце добре узгодження теорії й експерименту, то для іона Cd+ на сьогоднішній день існують значні відмінності між вимірами і розрахунками як за абсолютним значенням перерізів збудження, так і за резонансним внеском. 5. Виявлено інтенсивне випромінювання з максимумом ефективності при енергії 3.81 еВ на довжині хвилі l = 325.4 нм при зіткненні іонів Cd+ з моноенергетичними електронами, яке є результатом радіаційного розпаду Cd(4d95s25p)1P1 атомарного АІС на рідбергівські 4d105snl рівні атома Cd у процесі ДР. Велика ймовірність радіаційного розпаду вказаного АІС пов’язана зі значним (теоретично передбаченим) його конфігураційним змішуванням з іншими рівнями (85 % 1P1, 11 % 3P1 та 4 % 3D1), що є експериментальним підтвердженням суттєвого зростання ймовірності радіаційного розпаду АІС багатоелектронних атомних систем за рахунок їх сильного конфігураційного змішування рівнів. Це, у свою чергу, призводить до перерозподілу ймовірностей між електронним та радіаційним каналами розпаду АІС. |