Анотація до роботи:

Сліпухіна І.В. Вплив симетрійних та структурних факторів на формування енергетичного спектру поблизу забороненої зони складних напівпровідників. – Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Ужгородський національний університет, Ужгород, 2007.

Дисертаційна робота присвячена дослідженню симетрійних та структурних факторів, які є визначальними у формуванні енергетичних спектрів складних кристалів, а також характеризують їхній відклик на зовнішні збурення такі як деформації та дефекти. В рамках концепції мінімальних комплексів зон з використанням наближення пустої ґратки встановлено основні симетрійні аспекти формування зонного спектру кристалу CdSb в околі забороненої зони. На прикладі цього напівпровідника встановлено особливості формування мінімальних комплексів зон у валентній зоні кристалів, у яких жоден з атомів в елементарній комірці не розміщується в специфічних позиціях Викоффа. Проведено дослідження відмінностей у комплексоутворенні в зонних спектрах ізовалентних кристалів SnS та PbS групи A⁴B⁶ з суттєво різною симетрією, а також твердого розчину Pb_0.5Sn_0.5S на їхній основі. Досліджено вплив зсувних деформацій на топологію зон в околі забороненого проміжку в кристалах SbSI та In₄Se₃. Методами з перших принципів досліджено зміни в зонному спектрі інтеркальованого міддю та літієм кристалу In₄Se₃.

Публікації автора:

1. Bercha D.M., Rushchanskii K.Z., Slipukhina I.V., Bercha I.V. Manifestation of deformation effect in band spectra in crystals with inhomogeneous bonding // Cond. Matt. Phys. – 2003. – Vol. 6, No. 2(34). – P. 229-236.

2. Bercha D.M., Slipukhina I.V., Sznajder M., Rushchanskii K.Z. Elementary energy bands in the band structure of the narrow-band-gap semiconductor CdSb // Phys. Rev. B. – 2004. – Vol. 70, No. 23. – P. 235206-2352013.

3. Slipukhina I.V., Bercha D.M. Formation of the CdSb band spectrum in the vicinity of band gap in ab initio calculations // J. of Thermoelectricity. – 2004. – Vol. 3. – P. 16-26.

4. Sznajder M., Bercha D.M., Glukhov K.E., Slipukhina I.V. Universality of the empty-lattice approximation to predict the topology of energy spectra of high-symmetry crystals and superlattices based upon them // Acta Physica Polonica A. – 2006. – Vol. 110, No. 3. – P. 369-378.

5. Slipukhina I.V., Bercha D.M. Elementary energy bands in isovalent IV-VI orthorhombic and cubic crystals and their solid solutions // Phys. Stat. Sol. (b). - 2007. – Vol. 244, No. 2. – P. 650-668.

6. Сліпухіна І.В., Хархаліс Л.Ю., Берча І.В. Вплив зсувових деформацій та домі-шок впровадження на закони дисперсії носіїв струму шаруватих кристалів In₄Se₃ // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. – 2006. – № 19. – С. 14-19.

7. Bercha D.M., Rushchanskii K.Z., Slipukhina I.V. Group-theoretical analysis of band structure transformation peculiarities of ferroelectric SbSI crystal under external influence // Proc. of the 4th EMU School and Symposium: Energy Modeling in Minerals. – Budapest (Hungary). – 2002. – P. 8.

8. Вercha D.M., Rushchanskii K.Z., Slipukhina I.V. Manifestation of deformation influ-ence in band spectra in crystals with inhomogeneous bonding // Proc. of the VI Ukra-inian-Polish and II East-European Meeting on Ferroelectrics Physics (UPEMFP'2002). – Uzhgorod-Synjak. – 2002. – P. 105.

9. Берча Д.М., Сліпухіна І.В., Рущанський К.З., Берча І.В. Першопринципні дослі-дження пружних властивостей та зонного спектру деформованого кристала SbSI в парафазі // Матеріали Міжнародної конференції молодих науковців з теоретич-ної та експериментальної фізики: Еврика-2004. – Львів. – 2004. – C. 84-85.

10. Сліпухіна І.В., Берча Д.М. Виняткові симетрійні та структурні передумови фор-мування унікальної енергетичної структури та розподілу електронної густини в кристалах типу CdSb в ab initio розрахунках // Тези доповідей ІІ української наукової конференції з фізики напівпровідників (за участі зарубіжних науковців) (УНКФН-2). – Чернівці-Вижниця. – 2004. – Т. 2. – С. 103-104.

11. Sznajder M., Kharkhalis L.Yu., Slipukhina I.V., Glukhov K.E. The idea of the elemen-tary energy bands applied to the investigation of electron density distribution in rhom-bic crystals with various chemical bonding // Proc. of the XXXIV International school on the physics of semiconducting compounds. – Jaszowiec (Poland). – 2005. –P. 72.

12. Sznajder M., Bercha D.M., Glukhov K.E., Slipukhina I.V. Universality of the empty-lattice approximation to predict the topology of energy spectra of high-symmetry crystals and superlattices based upon them // Proc. of the International school on the physics of semiconducting compounds. – Jaszowiec (Poland). – 2006. – P. 39.