Анотація до роботи:

Дмитрів А.М. Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості CdTe, HgTe та твердих розчинів на їх основі. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата хімічних наук за спеціальністю 02.00.21 – хімія твердого тіла. – Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, Івано-Франківськ, 2006.

Робота присвячена дослідженню природи точкових дефектів і механізмів їх утворення у кристалах CdTe, HgTe та твердих розчинах Cd_xHg_1-xTe, Cd_1-xZn_xTe, Cd_1-xMn_xTe.

Вперше запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння дефектної підсистеми нестехіометричних CdTe, HgTe n- i p- типу провідності, на основі яких розраховано зміну концентрації точкових дефектів і носіїв струму у межах області гомогенності.

На основі закону діючих мас і квазіхімічних реакцій дефектоутворення одержано узагальнені рівняння для визначення залежності концентрації вільних носіїв заряду, домінуючих точкових дефектів і холлівської концентрації носіїв струму для кристалів HgTe при двотемпературному відпалі у парі ртуті. Розраховано нові і уточнено відомі константи рівноваги та ентальпії утворення дефектів.

Встановлено, що у твердих розчинах Cd_xHg_1-xTe (0,1 < х < 0,3) переважають вакансії меркурію: , , , концентрацію яких у матеріалі можна регулювати відпалом у парі ртуті з можливою інверсією типу провідності.

Вперше запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння переважаючих механізмів утворення твердих розчинів на основі кадмій телуриду n-типу в системі СdTe-ZnTe та р-типу у системі СdTe-MnTe. Показано, що концентрація електронів у твердих розчинах n-Cd_1-xZn_xTe (0,0х0,2) великою мірою визначається вакансіями телуру , водночас вагомий вплив на дефектну підсистему має фонова домішка оксигену. Домінуючими акцепторами у p-Cd_1-xMn_xTe є однократно заряджені вакансії кадмію , ефективність яких зростає із збільшенням надстехіометрії телуру у вихідній матриці і зменшується із ростом вмісту MnTe.

Публікації автора:

1. Фреїк Д.М., Дмитрів А.М., Лісняк С.С., Писклинець У.М. Кристалоквазіхімія дефектів у телуриді кадмію кристалічної структури сфалериту і в’юрциту // Фізика і хімія твердого тіла. – 2003. – Т. 4, № 2.– С. 317–322.

Дисертант запропонувала кристалоквазіхімічні рівняння процесів легування, утворення твердих розчинів кадмій телуриду.

2. Фреїк Д.М., Прокопів В.В., Писклинець У.М., Дмитрів А.М. Подвійний термодинамічний n-p-перехід у кристалах телуриду кадмію, легованого хлором // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – Т. 3, № 4.– С. 642–646.

Дисертантом проведено порівняльний аналіз дефектної підсистеми, брала участь в експериментальних дослідженнях.

3. Межиловська Л.Й., Дмитрів А.М., Лоп’янко М.А. Домішково-дефектна підсистема сфалеритної структури у легованих хлором кристалах телуриду кадмію // Фізика і хімія твердого тіла. – 2003. – Т. 4, № 3.– С. 512–520.

Дисертант брала участь у електричних вимірюваннях досліджуваного матеріалу, запропонувала кристалоквазіхімічні рівняння і зробила попередній аналіз отриманих результатів.

4. Фреїк Д.М., Дмитрів А.М., Жуковські П.В., Межиловська Л.Й. Атомні дефекти і фізико-хімічні властивості твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe з участю кисню при відпалі // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т. 5, № 1.– С. 147–152.

Дисертант кристалоквазіхімічним описом визначила можливі дефекти у твердих розчинах, зробила попередній аналіз одержаних результатів.

5. Межиловська Л.Й., Дмитрів А.М., Жуковські П.В. Кристалоквазіхімія атомних дефектів твердих розчинів Cd_1-xZn_xTe з участю кисню // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т. 5, № 2.– С. 325–329.

Дисертантом пояснено процеси дефектоутворення за допомогою кристалоквазіхімічної моделі, спрогнозовано електричні властивості утворених розчинів.

6. Межиловська Л.Й., Дмитрів А.М., Фреїк Д.М., Жуковські П.В. Точкові дефекти твердого розчину Cd_xHg_1-xTe // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т. 5, № 4.– С. 792–798.

Дисертант виконала технологічну частину, кристалоквазіхімічним описом визначила можливі точові дефекти.

7. Дмитрів А.М. Точкові дефекти та їх компенсація у меркурій телуриді // Фізика і хімія твердого тіла. – 2005. – Т. 6, № 2.– С. 287–294.

8. Фреїк Д.М, Дмитрів А.М., Межиловська Л.Й., Жуковські П.В. Особливості дефектної підсистеми монокристалів Cd_1-xZn_xTe, Cd_1-xMn_xTe // Фізика і хімія твердого тіла. – 2005. – Т. 6, № 3.– С. 448–454.

Дисертантом проведено експериментальні вимірювання холлівських параметрів і рентгенофазного аналізу, запропоновано моделі дефектної підсистеми. Розроблено систему кристалоквазіхімічних рівнянь і на їх основі проведено розрахунок концентрації та природи точкових дефектів і носіїв струму.

9. Пат. № 65338А Україна, С 30В31/00, 33/00. Спосіб отримання легованих хлором монокристалів n-CdTe: Пат. № 65336А Україна, С 30В31/00, 33/00 / Фреїк Д.М., Дмитрів А.М. (Україна); Прикарпатський університет. – № 2003076604; Заявл. 15.07.03; Опубл. 15.03.04; Бюл. № 3. – 2 с.

Дисертант брала участь у проведені двотемпературного відпалу.

10. Дмитрів А.М. Власні атомні дефекти бінарних сполук із структурою сфалериту і в’юрциту // Всеукраїнська конференція студентів і молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики “Еврика-2003”. – Львів (Україна), 2003. – С. 124.

11. Дмитрів А.М. Кристалохімія атомних дефектів у халькогенідах кадмію і цинку // Матеріали IX Міжнародної конференції фізики і техніки тонких плівок. – Івано-Франківськ: Місто НВ, 2003. – Т. 1. – С. 198–199.

12. Фреїк Д.М., Жуковські П.В., Дмитрів А.М., Межиловська Л.Й. Кристалохімія атомних дефектів і фізико-хімічні властивості твердих розчинів Cd_1-xMn_xTe, Cd_1-xZn_xTe // XVI Українська конференція з неорганічної хімії за участю закордонних учених. – Ужгород (Україна), 2004. – С. 119–120. Дисертантом запропоновані механізми утворення твердих розчинів.

13. Прокопів В.В., Фочук П.М., Писклинець У.М., Дмитрів А.М. Процеси дефектоутворення у кристалах телуриду кадмію при гетеровалентному легуванні // ІІ Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (за участю зарубіжних науковців) УНКФН-2. – Чернівці (Україна), 2004. – С. 328–329. Дисертант запропонувала кристалоказіхімічні рівняння утворення власних точкових дефектів.

14. Фреик Д.М., Жуковски П.В., Дмитрив А.М., Межиловськая Л.И. Дефектообразование и физико-химические свойства твердых растворов в системах Cd-Zn-Te, Cd-Mn-Te // ІІ Всероссийская конференция физико-химические процессы в конденсированном состояние и на межфазных границах “Фагран-2004”. – Воронеж (Россия), 2004. – С. 368–369. Дисертантом проведено рентгенофазний аналіз, запропоновані моделі точкових дефектів.

15. Дмитрів А.М. Фізико-хімічні властивості і електронно-дефектні процеси у твердих розчинах на основі телуридів металів ІІ підгрупи // Матеріали X Міжнародної конференції фізики і техніки тонких плівок. – Івано-Франківськ: Гостинець, 2005. – Т. 1. – С. 302.

16. Дмитрів А.М., Жуковські П., Бабущак Г.Я. Моделі точкових дефектів і механізми утворення твердих розчинів на основі телуридів кадмію і ртуті // Матеріали X Міжнародної конференції фізики і техніки тонких плівок. – Івано-Франківськ: Гостинець, 2005. – Т. 1. – С. 301–302. Дисертантом проведено аналіз дефектної підсистеми твердих розчинів.

17. Межиловська Л.Й., Дмитрів А.М., Бабущак Г.Я. Електричні властивості телуриду меркурію при їх відпалі у парах меркурію // Відкрита науково-технічна конференція професорсько-викладацького складу Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки (ІТРЕ). – Львів (Україна), 2005. – С. 29. Дисертант проводила електричні вимірювання і квазіхімічний розрахунок концентрації точкових дефектів і носіїв струму.

18. Дмитрів А.М., Ткачик О.В., Бабущак Г.Я. Механізми утворення і властивості твердих розчинів на основі телуридів металів II та IV груп // ІІ Міжнародна науково-технічна конференція студентів, аспірантів та молодих вчених “Хімія і сучасні технології”. – Дніпропетровськ (Україна), 2005. – С. 235. Дисертантом запропоновані моделі утворення точкових дефектів.

19. Межиловская Л., Жуковски П., Дмитрив А., Писклинец У., Борык В. Физико-химические свойства и модели атомных дефектов в легированых кристаллах теллуридов кадмия и ртути // IV International Conference New electrical and electronic technologies and their industrial implementation “NEET’2005”. – Zakopane (Poland), 2005. – P. 55–58. Дисертантом проведені експериментальні дослідження по вимірюванню ефекту Холла, запропоновані кристалохімічні моделі дефектної підсистеми.

20. Mezhylovska L.Y., Dmytriv А.M., Tkachyk О.V., Babushchak H.Y. Point defects and physic-chemical possessions of hard solutions on the basis of the А^ІIВ^VI and А^ІVВ^VI combinations // 2^nd International conference on physics of electronic materials PHYEM’05. – Kaluga (Russia), 2005. – P. 113–116. Дисертантом проведено аналіз дефектної підсистеми, запроновані домінуючі механізми утворення точкових дефектів.

21. Межиловська Л.Й., Дмитрів А.М., Бабущак Г.Я. Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості твердих розчинів на основі телуридів кадмію і цинку // Міжнародна науково-практична конференція “Дні науки '2005”. – Дніпропетровськ (Україна), 2005. – С. 32–33. Дисертантом проведено аналіз дефектної підсистеми з використанням експериментальних і теоретичних моделей.