Анотація до роботи:

Зубарєв Є.Н. Структура, дифузія і початкові стадії фазоутворення у нанорозмірних багатошарових системах метал-кремній при термічному і радіаційному впливі.– Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 – фізика твердого тіла.– Інститут електрофізики і радіаційних технологій НАН України, Харків, Україна, 2008.

Дисертація присвячена встановленню закономірностей дифузії, структурних і фазових перетворень на ранніх стадіях у нанорозмірних багатошарових покриттях Mo/Si і Sc/Si у процесі їх виготовлення, термічного відпалу й опромінення прискореними частинками та лазерним рентгенівським випромінюванням.

У процесі одержання багатошарових покриттів Mo/Si і Sc/Si на міжфазних межах поділу утворюються аморфні перемішані зони складу MoSi₂ і ScSi, які продовжують рости на початку ізотермічного відпалу. Переважним дифузантом є атоми кремнію, а реакція силіцидоутворення відбувається на межі метал-силіцид. При опроміненні багатошарових покриттів Mo/Si іонами He⁺ і Ar⁺ малими дозами товщина перемішаних зон збільшується лінійно з дозою опромінення, а їх середній атомний склад відповідає сплаву складу MoSi_8.2 і MoSi_3.9, відповідно. Наведено результати детального вивчення структурних перетворень в багатошарових покриттях Sc/Si, опромінених імпульсами рентгенівського лазеру.

У роботі вирішено наукову проблему із встановлення закономірностей дифузії, структурних і фазових перетворень у шарах з нанорозмірною товщиною. Застосування модельних об'єктів – багатошарових періодичних структур Mo/Si і Sc/Si з високим ступенем періодичності і гладкості міжфазних меж дало можливість ефективно використовувати методи малокутової рентгенівської дифракції і рентгенівської тензометрії у поєднанні з електронною мікроскопією поперечних зрізів з високим розділенням. Це дало можливість простежити на атомному рівні й одержати кількісну інформацію про морфологію і хімічний склад проміжних фаз, а також охарактеризувати дифузійні потоки в наношарах при їх виготовленні, термічному відпалі і опроміненні.

Основні наукові і практичні результати можна сформулювати у вигляді таких узагальнюючих висновків:

1. Встановлено, що формування аморфних перемішаних зон складу MoSi₂ на межах поділу відбувається в процесі виготовлення багатошарових періодичних покриттів Mo/Si. За відсутності потенціалу зміщення на підкладці в процесі виготовлення:

- при номінальній товщині молібдену < 2.3 нм, молібденовий шар аморфний і на межі Si-на-Mo утворюються аморфні перемішані зони товщиною 1.2 нм;

- при номінальній товщині > 2.3 нм молібден переходить в кристалічний стан, а аморфна перемішана зона на межі Si-на-Mo стрибком зменшується до товщини 0.6 нм;

- на міжфазній межі Мо-на-Si завжди формується аморфна перемішана зона завтовшки 1.2 нм незалежно від структурного стану металевого шару.

У багатошарових періодичних покриттях з номінальною товщиною молібдену >> 2.3 нм і одержаних з потенціалом зміщення під час осадження шарів Мо, спостерігається зростання дисиліциду молібдену із зниженою густиною (приблизно на 10% щодо табличного значення) тільки на межі Мо-на-Si, що пов'язано з високим рівнем стискувальних напружень (~ – 2.5 ГПа) в шарі молібдену.

2. Встановлено механізми формування напружень в шарах молібдену залежно від товщини шару і потенціалу зміщення на підкладці. Напружений стан шарів Mo у багатошаровій структурі Mo/Si визначається такими процесами: генерацією радіаційних дефектів, збиральною рекристалізацією, а також складом твердого розчину заміщення кремнію в молібдені. Потенціал зміщення приводить до збільшення радіаційних дефектів у зростаючій плівці і, як наслідок, збільшення рівня стискувальних напружень. За малої товщини шарів молібдену h_Mo<20 нм в багатошаровому періодичному покритті Mo/Si період ґратки молібдену в ненапруженому перерізі менший за табличне значення параметра ґратки, що свідчить про утворення твердого розчину кремнію в молібденовому шарі. Концентрація розчиненого в молібдені кремнію більша поблизу міжфазної межі
Мо-на-Si і менша поблизу протилежної межі Si-на-Mo.

3. У багатошарових структурах Sc/Si на обох міжфазних межах поділу Sc-на-Si і Si-на-Sc утворюється аморфна перемішана зона складу ScSi і товщиною 3.04.0 нм залежно від умов одержання. Дифузійні бар'єри на основі вольфраму і хрому дають можливість істотно зменшити дифузійне перемішування між скандієм і кремнієм у багатошарових періодичних покриттях Sc/Si. Мінімальна номінальна товщина бар'єрного шару, який блокує дифузійну взаємодію в процесі виготовлення періодичних покриттів, складає h_W^ном 0.44 нм і 0.5 < h_Cr^ном < 1.0 нм для вольфраму і хрому, відповідно.

4. За допомогою методу дифузійних міток на основі вольфраму встановлено, що атоми Si є найбільш рухливими в бінарній системі Sc–Si. Процес утворення силіциду лімітується дифузією атомів кремнію через шар ScSi, а утворення силіциду скандію відбувається на міжфазних межах поділу Sc-на-ScSi і ScSi-на-Sc. Силіцид ScSi аморфний при низьких температурах відпалу (130210С) і кристалічний при вищих температурах (300400С).

5. Кінетика зростання аморфного силіциду ScSi добре описується на основі уявлень про структурну релаксацію й анігіляцію надлишкового вільного об'єму в шарі зростаючого силіциду. Дифузія атомів кремнію через шар силіциду характеризується низьким значенням енергії активації Q=1.0 еВ і передекспоненціального множника D₀=410^-12 м²/с. На початкових стадіях зростання аморфного силіциду має явно виражений нелінійний характер (параболічний закон зростання h²~t не виконується). Зі збільшенням часу відпалу відбувається перехід до класичного параболічного закону зростання, при цьому коефіцієнт дифузії зменшується в 15-20 разів.

6. Швидкість росту дисиліциду MoSi₂ в багатошарових покриттях Mo/Si при досягненні ним деякої товщини сильно сповільнюється на міжфазній межі Si-на-Mo. Ця товщина збільшується зі збільшенням температури відпалу. Кінетичні криві (залежність квадрата товщини дисиліциду молібдену від часу відпалу h²~t) росту дисиліциду молібдену описуються релаксаційною моделлю аморфної речовини. Енергія активації дифузії складає Q = 2.3 еВ, а передекспоненціальний множник D₀=610^-5 м²/c.

7. Встановлено, що в багатошарових періодичних покриттях Mo/Si, які виготовлялись із використанням потенціалу зміщення і характеризуються високим рівнем стискувальних напружень, переважним дифузантом є атоми кремнію, які доставляються до місця реакції на міжфазній межі Мо-на-MoSi₂. Енергія активації процесу дифузії складає приблизно Q = 2.34 еВ, а передекспоненціальний множник D₀=110^-4 м²/c на ділянці параболічного зростання силіцидної фази. Енергія активації дифузії на різних ділянках кінетичної кривої в межах точності вимірювання приблизно однакова, хоча і більша на ділянці параболічного зростання. Кристалізація дисиліциду молібдену, який утворюється, спостерігається при температурі відпалу Т_відп 350С.

8. При малих дозах опромінення (іонами He⁺ до Ф 510²⁰ іон/м² і іонами Ar⁺ до Ф 1.310¹⁸ іон/м²) товщина обох зон на міжфазних межах поділу Мо-на-Si і
Si-на-Mo збільшується однаково і лінійно залежить від дози опромінення. При збільшенні дози опромінення спостерігається зменшення густини аморфних перемішаних зон. Середній атомний склад аморфних перемішаних зон, що утворюються при іонно-променевому перемішуванні, відповідає сплаву складу MoSi_8.2 і MoSi_3.9 при опроміненні іонами He⁺ і іонами Ar⁺, відповідно. Силіциди даного складу розташовуються між найбагатшою кремнієм рівноважною фазою (дисиліцидом молібдену MoSi₂) і евтектикою. Особливості іонно-променевого перемішування пояснюються на основі перемішування в субкаскадах зіткнень. Ефективність перемішування багатошарових періодичних покриттів Mo/Si іонами He⁺ становить f = 2.710^-4 нм⁵/еВ, а іонами Ar⁺ – f=9.610^-4 нм⁵/еВ. Ефективність перемішування більша для важких первинних іонів за рахунок ефекту перекриття субкаскадів зіткнень.

9. Вивчено механізми руйнування багатошарових періодичних покриттів Sc/Si, опромінених інтенсивними лазерними імпульсами від неоноподібного Ar розрядно-капілярного лазера, що працює на довжині хвилі 46.9 нм і флюенсах 0.041 Дж/см². Поріг пошкодження багатошарових періодичних покриттів Sc/Si становить 0.08 Дж/см². При малих флюенсах <0.08 Дж/см² пошкодження носять переважно поверхневий характер. При флюенсі 0.08 F 0.23 Дж/см² в опроміненому багатошаровому покритті можна розрізнити три різні зони: 1) розплавлена зона нагорі багатошарового періодичного покриття, що складається переважно з силіциду Sc₃Si₅; 2) зона теплової дії, в якій шарувата структура послідовно змінюється від (c-Sc₃Si₅+ScSi)/a-Si поблизу розплавленої зони до a-ScSi/c-Sc/a-ScSi/a-Si; 3) немодифікована шарувата структура. Її структура така ж, як і у вихідного багатошарового періодичного покриття. Товщина зони теплової дії складає 0.050.1мкм або 2-4 періоди вихідного багатошарового періодичного покриття. Фазовий склад зони теплової дії відповідає фазовому складу багатошарових періодичних покриттів, які були піддані короткочасному (1година) ізотермічному відпалу в інтервалі температур 130530С. При опроміненні багатошарового рентгенівського дзеркала Sc/Si з числом періодів n = 48 флюенсом F 0.9 Дж/см² навколо лазерного відбитку утворюється періодичний поверхневий рельєф з періодом 1.72.3 мкм.

10. Запропоновано нову електронно-мікроскопічну методику визначення середнього хімічного складу проміжних фаз, що утворюються на міжфазних межах поділу метал/кремній в процесі одержання багатошарових періодичних покриттів. За електронно-мікроскопічними зображеннями визначаються з високою точністю (~0.3нм) товщини всіх шарів. Потім, задаючись одним з відомих силіцидів, товщина силіцидной фази перераховується в товщину чистих компонентів, металу і кремнію. Сумарна товщина чистих компонентів, одержана з електронно-мікроскопічних знімків, порівнюється з номінальною товщиною чистих компонентів, які задавалися в експерименті при виготовленні багатошарового періодичного покриття. Встановлено, що середній хімічний склад аморфних перемішаних зон в багатошарових періодичних покриттях Mo/Si і Sc/Si відповідає дисиліциду молібдену MoSi₂ і моносиліциду ScSi.

Виявлені закономірності дифузії і фазоутворення в наношарах дали можливість прогнозувати стабільність багатошарових структур Mo/Si і Sc/Si, створити дифузійні бар'єри атомарної товщини, що дало можливість створити рентгенівські дзеркала з підвищеною термічною і радіаційною стійкістю.

Публікації автора:

1. Materials modification with intense extreme ultraviolet pulses from a compact laser / M.E. Grisham, G. Vaschenko, C.S. Menoni, L. Juha, M. Bittner, Yu.P. Pershyn, V.V. Kondratenko, E.N. Zubarev, A.V.Vinogradov, I.A. Artioukov, J. Rocca // Book «Laser Ablation and its Applications», C. Phipps ed.– Springer Verlag, 2007.– Chapter 21.– P.529-548.

2. Влияние основных структурных параметров на рентгенооптические свойства многослойных покрытий Sc/Si в диапазоне длин волн 36-50 нм / В.В. Волобуев, Д.Л. Воронов, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко Ю.П. Першин, А.Г. Пономаренко, В.А. Севрюкова, А.И. Федоренко, А.В. Виноградов, В.Е. Левашов // Наноструктурные материалы. Сб. научных трудов НАН Украины.– К.: Ин-т проблем материаловедения, 1998.– С.141-161.

3. High-reflectivity multilayer mirrors for a vacuum-ultraviolet interval of 35-50 nm / Yu.A. Uspenskii, A.V. Vinogradov, V.E. Levashov, Yu.P. Pershin, A.I. Fedorenko, E.N. Zubarev, V.Yu. Fedotov // Opt. Lett.– 1998.– Vol. 23, №10.– P.771-773.

4. Layer interaction in multilayer Sc/Si and Sc/W/Si/W coating / D.L. Voronov, E.N. Zubarev, V.V. Kondratenko, A.V. Pen'kov, Yu.P. Pershin, A.I. Fedorenko // Func. Mater.– 1999.– Vol. 6, № 5.– P.856–859.

5. Sc-Si normal incidence mirrors for a VUV interval of 35-50 nm / Yu.A. Uspenskii, V.E. Levashov, A.V. Vinogradov, A.I. Fedorenko, V.V. Kondratenko, Yu.P. Pershin, E.N. Zubarev, S. Mrowka, F. Schafers // Nucl. Instrum. Math. A.– 2000. Vol. 448.– P.147-151.

6. Structure of Sc/Si multilayer mirrors in as-deposited state and after annealing / A.I. Fedorenko, Yu.P. Pershin, O.V. Poltseva, A.G. Ponomarenko, V.A. Sevryukova, D.L. Voronov, E.N. Zubarev // J. X-Ray Sci. Technol.– 2001.– № 9.– P.35-42.

7. Структура, термическая стойкость и оптические свойства многослойных рентгеновских зеркал Sc/Si и Sc/W/Si/W / Д.Л. Воронов, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, А.В. Пеньков, Ю.П. Першин, А.Г. Пономаренко, А.В. Виноградов, Ю.А. Успенский, Д. Сили // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.– 2002.– №1.– С.6-9.

8. Interlayer transition zones in Mo/Si superlattices / S. Yulin, T. Feigl, T. Kuhlmann, N. Keiser, A.I. Fedorenko, V.V. Kondratenko, O.V. Poltseva, V.A. Sevryukova, A.Yu. Zolotaryov, E.N. Zubarev // J. App. Phys.– 2002.– Vol. 92, I. 3.– P.1216-1220.

9. Структура межфазных границ раздела в сверхрешетках Mo/Si / Е.Н. Зубарев, А.Ю. Золотарев, В.В. Кондратенко О.В. Польцева, В.А. Севрюкова, А.И. Федоренко, С.А. Юлин, T. Файл, Т. Кульман, Н. Кайзер // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.– 2002.– №2.– С.20-24.

10. Study of silicide formation processes in Sc/Si multilayer coating / D.L. Voronov, E.N. Zubarev, V.V. Kondratenko, A.V. Pen'kov, Yu.P. Pershin // Func. Mater.– 2002.– Vol. 9, № 3.– P.534-539.

11. Влияние структурного состояния слоев молибдена на образование межфазных перемешанных зон в многослойных композициях Мо/Si / Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, В.А. Севрюкова, С.А. Юлин, Т. Файгл, Т. Кульман, Н. Кайзер // Металлофиз. и новейшие технол.– 2002.– Т. 24, № 10.– С.1429-1437.

12. Ионно-лучевое перемешивание в многослойных периодических композициях Мо/Si / Д.Л. Воронов, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, А.В. Пеньков, В.А. Севрюкова, Т.И. Перегон, Л.П. Тищенко // Металлофиз. и новейш. технол.– 2004.– Т. 26, № 6.– С.753-763.

13. Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He / Д.Л. Воронов, А.Ю. Девизенко, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, А.В. Пеньков, В.А. Севрюкова, В.В. Бобков, Т.И. Перегон, Л.П. Тищенко // Физическая инженерия поверхности.– 2004.– Т. 2, № 1–2.– С.1-6.

14. Damage to extreme ultraviolet Sc/Si multilayer mirrors exposed to intense 46.9- nm laser pulses / M. Grisham, G. Vaschenko, C.S. Menoni, J.J. Rocca, Yu.P. Pershyn, E.N. Zubarev, D.L. Voronov, V.A. Sevryukova, A.V. Vinogradov, I.A. Artioukov // Opt. Lett.– 2004.– Vol. 29, № 6.– P.620–622.

15. Features of diffusion mixing in Mo/Si multilayers / A.V. Penkov, D.L. Voronov, A.Yu. Devizenko, A.G. Ponomarenko, E.N. Zubarev // Func. Mater.– 2005.– Vol. 12, № 4.– P.750-754.

16. Температурная зависимость ионно-лучевого перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si / А.В. Пеньков, Д.Л. Воронов, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, А.Г. Пономаренко, В.А. Севрюкова, В.В. Бобков, Т.И. Перегон, Л.П. Тищенко // Металлофиз. новейшие технол.– 2006.– Т. 28, № 2.– С.183-192.

17. Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi₂/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия / А.В. Пеньков, Е.Н. Зубарев, О.В. Польцева, А.Г. Пономаренко, В.В. Кондратенко, В.В. Бобков, Т.И. Перегон, Л.П. Тищенко // Вопросы атомной науки и техники. Серия «Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение».– 2006.– Т. 89, № 4.– С.157-163.

18. Определение химического состава промежуточных фаз в многослойных структурах Sc/Si при помощи электронной микроскопии поперечных срезов / Е.Н. Зубарев, Д.Л. Воронов, В.В. Кондратенко, Ю.П. Першин, В.А. Севрюковa, И.Ю. Михайловa // Вісник Харківського національного університету. Серія «Фізика».– 2006.– № 739, Вип. 9.– C.141-144.

19. Study of fast diffusion species in Sc/Si multilayers by W-based marker analysis / D.L. Voronov, E.N. Zubarev, V.V. Kondratenko, Yu.P. Pershin, V.A. Sevryukova, Ye.A. Bugayev // Thin Solid Films.– 2006.– Vol. 513.– P.152-158.

20. Исследование процессов деградации многослойных рентгеновских зеркал Sc/Si при нагреве и облучении рентгеновским лазером методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии / Д.Л. Воронов, Е.Н. Зубарев, Ю.П. Першин, В.А. Севрюкова, А.В. Пеньков, В.В. Кондратенко, А.В. Виноградов, И.А. Артюков, Ю.А. Успенский, G. Vaschenko, M. Grisham, C.S. Menoni, J.J. Rocca // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.– 2007.– № 5.– С.13-20.

21. The structure, diffusion and phase formation in Mo/Si multilayers with stressed Mo layers / E.N. Zubarev, A.V. Zhurba, V.V. Kondratenko, V.I. Pinegyn, V.A. Sevryukova, S.A. Yulin T. Feigl, N. Kaiser // Thin Solid Films.– 2007.– Vol. 515.– P.7011–7019.

22. Процессы перемешивания в многослойных периодических композициях Mo/Si при облучении ионами Ar⁺ / Е.Н. Зубарев, В.П. Мельник, В.В. Кондратенко, А.В. Пеньков, А.Г. Пономаренко, Б.Н. Романюк, В.А. Севрюкова // Металлофиз. новейшие технол.– 2007.– Т.29, № 12.– С.1555-1570.

23. Structure and stressed state of molybdenum layers in Mo/Si multilayers / V.I. Pinegyn, E.N. Zubarev, V.V. Kondratenko, V.A. Sevryukova, S.A. Yulin, T. Feigl, N. Kaiser // Thin Solid Films.– 2008.– Vol. 516.– P.2973-2980.

24. Initial stages of diffusion and phase formation in Sc/Si layered systems / D.L. Voronov, E.N. Zubarev, V.V. Kondratenko, Yu.P. Pershin, V.A. Sevryukova, Ye.A. Bugayev // Funct. Mater.– 2008.– Vol. 15, № 1.– P.30-37.

25. Ионно-лучевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия / А.В. Пеньков, Д.Л. Воронов, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, А.Г. Пономаренко, В.А. Севрюкова, В.В. Бобков, Т.И. Перегон, Л.П. Тищенко // Известия РАН, Серия Физическая.– 2006.– Т. 70, № 6.– С.917-920.

26. Structure, thermal stability, and reflectivity of Sc/Si and Sc/W/Si/W multilayer x-ray mirrors / A.V. Vinogradov, Yu.P. Pershin, E.N. Zubarev, D.L. Voronov, O.V. Penkov, V.V. Kondratenko, Yu.A. Uspenskii, I.A. Artioukov, J.F. Seely // Proc. SPIE «Soft X-Ray Lasers and Applications IV». 1 August 2001. – San Diego, CA, USA. – 2001. – Vol. 4505. – P. 230–235.

27. Structural transformations in multilayers irradiated by EUV lasers / Dmitriy L. Voronov, Evgeniy N. Zubarev, Yuriy P. Pershyn, Victoriya A. Sevryukova, Valeriy V. Kondratenko, Alexander V. Vinogradov, Igor A. Artioukov, Yuriy A. Uspenskiy, Michael Grisham, Georgiy Vaschenko, Carmen S. Menoni, and Jorge J. Rocca // Proc. SPIE «Soft X-Ray Lasers and Applications VII». 29 August 2007. – San Diego, CA, USA. – 2007. – Vol. 6702. – P. 6702OU-10.

28. Thermoresistive multilayer mirrors with antidiffusion barriers for work at the wavelengths 40-50 nm / D.L. Voronov, E.N. Zubarev, V.V. Kondratenko, A.V. Penkov, Yu.P. Pershin, A.G. Ponomarenko, I.A. Artioukov, A.V. Vinogradov, Yu.A. Uspenskii, J.F. Seely // 8^th International Conference on X-Ray Lasers. 27-31May 2002.– Aspen, USA. AIP Conference Proceedings.– 2002.– Vol. 641.– P.575-582.

29. Damage threshold and damage mechanism of Sc/Si multilayer mirrors exposed to intense nanosecond 46.9 nm laser pulses / G. Vaschenko, M. Grisham, C.S. Menoni, J.J. Rocca, Yu.P. Pershyn, E.N. Zubarev, D.L. Voronov, V.A. Sevryukova, V.V. Kondratenko, A.V. Vinogradov, I.A. Artioukov // 9^th International Conference on X-Ray Lasers 24-38 May 2004.– Beijing, China. AIP Conf. Ser.– 2004.– № 186.– P.559-562.

30. Процессы атомного перемешивания в искусственных сверхрешетках Mo/Si при облучении их ионами гелия / Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, Ю.П. Першин, А.И. Федоренко, Л.П. Тищенко, Т.И. Перегон // Взаимодействие атомных частиц с твердым телом : материалы девятой Всесоюзной конференции, 10-12 октября 1989г. Т. 2.– Москва, 1989г.– C.87–89.

31. Радиационная деградация рентгеновских зеркал / Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, Ю.П. Першин, А.И. Федоренко, Л.П. Тищенко, Т.И. Перегон // Взаимодействие ионов с поверхностью : материалы десятой Всесоюзной конференции, 3-6 сентября 1991г. Т. 1. – Звенигород, 1991. – С.174–176.

32. Ионное перемешивание в сверхрешетках Mo/Si и MoSi₂/Si / В.В. Ганн, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, А.И. Федоренко // Взаимодействие ионов с поверхностью : материалы двенадцатой Международной конференции, 5-8 сентября 1995г., Т. 2.– Звенигород, Россия, 1995. – С.191–193 .

33. Межслоевое взаимодействие в многослойных рентгеновских зеркалах Sc/Si / Д.Л. Воронов, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, Ю.П. Першин, А.Г. Пономаренко, В.А. Севрюкова // Рентгеновская оптика – 99 : материалы рабочего совещания, 1-4 марта 1999г.– Нижний Новгород, Россия, 1999.– С.138-141.

34. Структура межфазных границ раздела в сверхрешетках Mo-Si / Е.Н. Зубарев, А.Ю. Золотарев, В.В. Кондратенко, О.В. Польцева, В.А. Севрюкова, А.И. Федоренко, С.А. Юлин // Тезисы докладов IХ Национальной конференции по росту кристаллов, 16-20 октября 2000г.– Москва, Россия, 2000.– C.528.

35. Diffusion barrier in Sc/Si multilayers / D.L. Voronov, E.N. Zubarev, V.V. Kondratenko, Yu.P. Pershin, A.I. Fedorenko, V.E. Levashov, A.V. Vinogradov, I.A. Artioukov // Books of Abstracts «The 5^th International Conference on the Physics of X-ray Multilayer Structures», March 5-9, 2000. - Chamonix Mont-Blanc, France, 2000.– P.13-15.

36. Структура, термическая стойкость и оптические свойства многослойных рентгеновских зеркал Sc/Si и Sc/W/Si/W / Д.Л. Воронов, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, А.В. Пеньков, Ю.П. Першин // Рентгеновская оптика – 2001 : материалы совещания, 19-22 февраля 2001г. – Нижний Новгород, Россия, 2001.– C.48-54.

37. Зубарев Е.Н. Электронно-микроскопическое исследование начальных стадий фазообразования на межфазных границах металл/кремний / Е.Н. Зубарев // Тонкие пленки в электронике : материалы 12-го Международного симпозиума, 23-27 апреля 2001г.– Харьков, Украина, 2001.– С.194.

38. The structure of interfaces in as-deposited, annealed and irradiated multilayers / E.N. Zubarev, V.V. Kondratenko, V.A. Sevryukova, A.V. Pen’kov // Books of Abstracts «12^th International Conference on Thin Films». September 15-20, 2002.– Bratislava, Slovakia, 2002.– P.212.

39. Ионно-лучевое перемешивание в многослойных рентгеновских зеркалах Mо/Si / Д.Л. Воронов, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, А.В. Пеньков, Т.И. Перегон, Л.П. Тищенко // Тонкие пленки в оптике и электронике : сборник докладов 14-го Международного симпозиума, Ч.2.– Харьков, Украина, 2002.– С.168-175.

40. Scanning and transmission electron microscopy and x-ray diffraction study of damage Sc/Si multilayer mirrors irradiated by intense 46.9 nm laser pulses / M. Grisham, G. Vaschenko, C.S. Menoni, J.J. Rocca, E.N. Zubarev, Yu.P. Pershyn, D.L. Voronov, V.A. Sevryukova, V.V. Kondratenko, A.V. Vinogradov, I.A. Artioukov // Books of Abstracts «The 7^th International Conference on the Physics of X-ray Multilayer Structures». March 7-11, 2004.– Rusutsu Resort, Sapporo, Japan, 2004.– P.02-03.

41. Нелинейная реактивная диффузия в наноразмерных пленочных системах Sc/Si / Д.Л. Воронов, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, Ю.П. Першин, В.А. Севрюкова // Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении : материалы V Международной конференции, 3-5 октября 2004г., Т. 1.– Воронеж, Россия, 2004.– С.117-119.

42. Межфазное взаимодействие в многослойных композициях металл-кремний / Е.Н. Зубарев, Д.Л. Воронов, В.В. Кондратенко, В.И. Пинегин, В.А. Севрюкова // Фізичні явища в твердих тілах : матеріали 7-ої Міжнародної конференції, 14-15грудня 2005р.– Харків, Україна, 2005.– С.88.

43. Interfacial mixing in Mo/Si multilayer coatings during irradiation and annealing / O.Yu. Devizenko, D.L. Voronov, V.V. Kondratenko, A.G. Ponomarenko, E.N. Zubarev, V.V. Bobkov, T.I. Peregon, L.P. Tishenko // Abstract book of the International Conference «Crystal Materials '2005» (ICCM'2005). – Kharkov, Ukraine, 2005.– P.211.

44. Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo-Si при облучении ионами гелия / А.В. Пеньков, Д.Л. Воронов, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, А.Г. Пономаренко, В.В. Бобков, Т.И. Перегон, Л.П. Тищенко // Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2005) : материалы XVII Международной конференции, 25-29 августа 2005г., Т.2. –Звенигород, Россия 2005. – С.44–47.

45. Исследование процессов деградации многослойных рентгеновских зеркал Sc/Si при нагреве и облучении рентгеновским лазером методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии / Д.Л. Воронов, Е.Н. Зубарев, Ю.П. Першин, В.А. Севрюкова, А.В. Пеньков, В.В. Кондратенко, А.В. Виноградов, И.А. Артюков, Ю.А. Успенский, G. Vaschenko, M. Grisham, C.S. Menoni, J.J. Rocca // Современные методы анализа дифракционных данных (топография, дифрактометрия, электронная микроскопия) : материалы Третьего международного научного семинара, 22-25 мая 2006г. – Великий Новгород, Россия, 2006.– С.135-138.

46. Interdiffusion in Sc/Si multilayers / Dmitriy L. Voronov , Evgeniy N. Zubarev, Valeriy V. Kondratenko, Yuri P. Pershin, Victoriya A. Sevrukova, and Yegor A. Bugaev // Books of Abstracts «The 9^th International Conference on the Physics of X-ray Multilayer Structures», February 3-7, 2008.– Montana ,USA, 2008.– P.2-3.

47. Fabrication and characterization of Sc/Cr/Si multilayer mirrors for Schwarzschild optics for 49.6 nm compact capillary discharge laser / D.L. Voronov, A.G. Ponomarenko, E.N. Zubarev, V.V. Kondratenko, A.V. Penkov, V.A. Sevryukova, I.A. Kopylets, A.V. Vinogradov, I.A. Artioukov, Yu.A. Uspenskii, Yu.S. Kasjanov, J.J. Rocca // Books of Abstracts «10^th International Conference on X-Ray Lasers», August 21-25, 2006.– Berlin, Germany, 2006.– P.115.