Кузик Олег Васильович. Самоузгоджені електрон-деформаційно-дифузі- йні ефекти в широкозонних напівпровідниках та гетеросистемах із самоорганізованими точковими дефектами : Дис... канд. наук: 01.04.10 - 2008.
Анотація до роботи:
Кузик О. Самоузгоджені електрон-деформаційно-дифузійні ефекти в широкозонних напівпровідниках та гетеросистемах із самоорганізованими точковими дефектами. – Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2008.
Дисертація присвячена дослідженню закономірностей формування n-n+ переходів у широкозонних напівпровідниках та гетеросистемах із самоорганізованими точковими дефектами, просторового розподілу точкових дефектів і деформації кристалічної ґратки в напружених гетероструктурах у межах самоузгодженої електрон-деформаційно-дифузійної нелінійної моделі.
Встановлено, що в діапазоні концентрацій дефектів Ndс1<Nd0<Ndс (Ndс1=31018см-3; Ndс=1020 см-3) у кристалі GaAs виникають подвійні n-n+ переходи, а при Nd0> Ndс – періодичні n-n+ переходи. Показано, що самоузгоджений дифузійно-деформаційний перерозподіл точкових дефектів виду центру розтягу призводить до зменшення їх середньої концентрації у внутрішньому шарі гетероструктури GaAs/InAs/GaAs порівняно з просторово-однорідним значенням.
Пелещак Р.М., Кузик О.В. Виникнення n-n+-переходів у кристалах з самоорганізованими дефектно-деформаційними структурами // УФЖ. – 2006. – Т.51, № 9. – С.888-893.
Peleshchak R.M., Kuzyk О.V., Tupichak V.P., Shuptar D.D. The formation of n-n+ transition in the implanted crystal matrix // Functional Materials. – 2005. – Vol.12, № 2. – P.201-205.
Peleshchak R., Kuzyk О., Khlyap H. Theoretical investigation of formation of (n-n+)-junction in ion-implanted crystalline matrix // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. – 2005. – Vol.864. – P.E9.16.1-E9.16.9.
Кузик О.В., Пелещак Р.М., Шуптар Д.Д., Одрехівська О.О. Самоузгоджені дифузійно-деформаційні ефекти у напруженому епітаксійному шарі // Матеріали Ювілейної Х Міжнародної конференції “Фізика і технологія тонких плівок” МКФТТП-Х. Івано-Франківськ, 16-21 травня 2005 р. – Івано-Франківськ, 2005. – Том ІІ. – С.77-78.
Пелещак Р.М., Кузик О.В. Модель явища дифузії у гетеросистемах з напруженими шарами // Матеріали Відкритої науково-технічної конференції молодих науковців і спеціалістів Фізико-механічного інституту ім. Г.В.Карпенка НАН України “Проблеми корозійно-механічного руйнування, інженерія поверхні, діагностичні системи”. Львів, 19-22 вересня 2005 р. – Львів, 2005. – C.122-124.
Пелещак Р.М., Кузик О.В., Станько М.Г. Роль синергетики у перерозподілі дефектів у напружених 2D-гетеросистемах // Матеріали ХІ Міжнародної конференції “Фізика і технологія тонких плівок та наносистем” МКФТТПН-ХІ. Івано-Франківськ, 7-12 травня 2007р.– Івано-Франківськ, 2007. – Том ІІ. – С.189.
Пелещак Р.М., Кузык О.В., Слюсарчук Ю.М. Нелинейная математическая модель перераспределения дефектов в напряженных 2D-гетеросистемах // Труды Восьмой Международной научно-практической конференции “Современные информационные и электронные технологии”. Одесса, 21-25 мая 2007 г. – Одесса, 2007. – C.376.
Пелещак Р.М., Кузик О.В., Штим В.С. Вплив самоузгодженого деформаційно-концентраційного поля на просторовий перерозподіл дефектів у гетероструктурі GaAs/InAs/GaAs // Тези доповідей ІІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників. Одеса, 17-22 червня 2007 р. – Одеса, 2007. – С.101.
Peleshchak R.M., Kuzyk O.V. The influence of electron-deformation interaction on formation n-n+ junctions in three-layers heterosystems with self-assembled point defects // Book of abstracts. Conference of Physicists of Moldova with international participation. Chishinau, 11-12 October 2007.– Chishinau (Moldova), 2007. – P.81.
Peleshchak R. and Kuzyk O. Formation of the n-n+ junctions caused by self-organizational effects in a crystal with dot defects // Book of abstracts. Annual Conference in Ukraine “Statistical Physics 2005: Modern Problems and New Applications”. Lviv, 28-30 August 2005.– Lviv, 2005. – P.160.
Пелещак Р.М., Кузык О.В., Тупичак В.П. Роль электрон-деформационного взаимодействия в формировании самоорганизованных кластеров в облученных кристаллах // Труды Седьмой Международной научно-практической конференции “Современные информационные и электронные технологии”. Одесса, 22-26 мая 2006 г. – Одесса, 2006. – Том ІІ. – C.109.
Пелещак Р.М., Кузик О.В., Бачинський І.Я. Синергетика дефектів в кристалах з врахуванням електрон-деформаційної взаємодії // Тези доповідей 2-гої Міжнародної науково-технічної конференції “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології” (СЕМСТ-2). Одеса, 26-30 червня 2006 р.– Одеса, 2006. – С.37.
Peleshchak R., Kuzyk O. and Shtym V. Self-organizing of defect-deformation structures in crystals within the framework of electron-deformation model // Book of abstracts. VIII Ukrainian-Polish and ІІІ East-European Meeting on Ferroelectrics Physics. Lviv, 4-7 September 2006.– Lviv, 2006. – P.105.
Peleshchak R., Kuzyk O. The criterion of appearance of an n-n+ junctions in a crystal with dot defects // Book of abstracts: The European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting 2006. Warsaw, 4-8 September 2006.– Warsaw (Poland), 2006. – P.31.
Кузик О.В., Пелещак Р.М., Станько М.Г., Шуптар Д.Д., Одрехівська О.О., Блашків В.С. Утворення плавних n-n+-переходів в імплантованих шарах арсеніду галію // Тези доповідей IV Міжнародної школи-конференції “Актуальні проблеми фізики напівпровідників”. Дрогобич, 24-27 червня 2003 р.– Дрогобич, 2003. – С.29.
Пелещак Р.М., Кузик О.В., Тупичак В.П. Фізичні критерії виникнення n-n(+) переходу в імплантованій кристалічній матриці GaAs // Тези доповідей ІІ Української наукової конференції з фізики напівпровідників (за участю зарубіжних науковців) УНКФН-2. Чернівці-Вижниця, 20-24 вересня 2004 р.– Чернівці-Вижниця, 2004. – Том 2. – С.280.
