Анотація до роботи:

Прохоров Г.В. “Радіаційне дефектоутворення і механічні напруження в кремнієвих структурах мікроелектроніки”. Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.01 – фізика приладів, елементів і систем. – Інститут термоелектрики Національної академії наук України та Міносвіти і науки України, Чернівці, 2006.

Дисертація присвячена дослідженню впливу бомбардування високоенерге-тичними частинками (іонами, протонами, нейтронами, гама-квантами, альфа-частинками) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Для вивчення формування тонких шарів силіцидів металів наноелектроніки використане Резерфордівське зворотне розсіювання. Розроблена система вимірювання модуля пружності кремнію в процесі опромінення. Одержано патент України на пристрій для дослідження зразків під час опромінення в горизонтальному каналі ядерного реактора. Досліджені механічні напруження в іонно-легованих шарах кремнію, показана наявність розпухання кремнію при імплантації і виникнення дислокаційних систем поблизу межі легована-нелегована області. Розроблені практичні рекомендації для підвищення експлуатаційних характеристик і радіаційної стійкості приладних структур мікроелектроніки. Помітно підвищує радіаційну стійкість елементів термоелектротренування.

Публікації автора:

1. Пеліхатий М.М. Гнап А.К. Храмов Є.П., Прохоров Г.В., Коваленко М.Й. Сухова Т.П. Рохманов М.Я. Області розупорядкування в напівпровідниках. // Вісник ХНУ №574. Серія фізична “Ядра частинки поля”. -2002. -випуск 4/20/. -С.81-88.

2. Рохманов Н. Я., Прохоров Г.В., Лепих Я. И., Гнап А. К. Радиационные дефекты и микропластичность кремния. // Фотоэлектроника. -2003. -вып. № 12. -С.119-126.

3. Викулин И.М.Храмов Е.Ф., Прохоров Г.В., Гнап А.К. Микронеодно-родности поверхности ионнолегированного кремния. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. -2003. -№1. -С. 55-58.

4. Гнап А.К., Коваленко Н.И., Онищенко В.В., Прохоров Г.В. Пластическая деформация кремния вблизи края ионно-легированной области // Праці Інституту проблем моделювання в енергетиці. -2003. -В.27. -с. 25-29.

5. Залюбовский И.И., Прохоров Г.В., Гнап А. К., Рохманов Н. Я., Пелихатый Н. М., Храмов Е. Ф. Влияние рентгеновского, гамма и нейтронного облучения на фоточувствительные характеристики электронно-дырочных структур. // Нові технології. -2003. -№2. -С.16-20.

6. Храмов Е.Ф. Прохоров Г.В., Пелихатый Н.М., Гнап А.К. Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении г-квантами. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. -2003. -№2. -С. 58-60.

7. Гнап А.К., Прохоров Г.В., Коваленко М.Й., Галкін С.Н., Воронкін Є.Ф. Фізико-технічні аспекти підвищення радіаційної стійкості приладів електронної техніки термоелектротренуванням // Нові технології. -2005. -вип.3(9). -С.17-28.

8. Храмов Є.П., Прохоров Г.В., Гнап А.К. Растрова електронна мікроскопія вибухової кристалізації в напівпровідникових плівках. // Технология приборо-строения. -2002. -№2. -С.3-6.

9. Вікулін І.М. Гнап А.К. Прохоров Г.В., Храмов Є.П. Мікронеоднорідності об’єму іонно-легованого кремнію // Технология приборостроения. -2002. - №1. -С. 83-87.

10. Гнап А.К., Пелихатый Н.М., Коваленко Н.И., Рохманов Н.Я., Прохоров Г.В. Механические свойства поверхностных слоев кремния при бомбардировке ускоренными ионами // Системи обробки інформації. Збірник наукових праць. -2003. -Вип. 4. -С.8-13.

11. Гнап А.К., Прохоров Г.В., Пеліхатий М.М., Гнап Б.А. Формування силіцидів металу при іонному бомбардуванні шаруватих структур // Системи обробки інформації. Збірник наукових праць. -2004. -Вип. 5. -С.49-56.

12. Деклараційний патент №63158 A України МПК G 01 R29/00 Пристрій для дистанційного дослідження зразків / Гнап А. К., Прохоров Г.В., Коваленко М. Й., Храмов Є. П. Патент (Україна); ВАТ СКТБ «Елемент». Заявка № 2003021050 від 6.02.2003; опубл. 15.01.2004; Бюл. №1.