Анотація до роботи:

Чорнодольський Я.М. Остовно-валентна люмінесценція та параметри енергетичної структури широкощілинних галоїдних кристалів. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Львівський національний університет імені Івана Франка. – Львів, 2008.

Дисертація присвячена дослідженню механізмів випромінювальної релаксації високоенергетичних збуджень за участю електронів валентної зони та дірок остовної зони у широкощілинних галоїдних кристалах.

Зроблено розрахунок електронної енергетичної структури кристалів CsCl, CsBr, KCaF₃, RbCaF₃, CsCaF₃ та CsCaCl₃ із використанням методу змішаного базису, що складається з функцій Блоха глибоких електронів і плоских хвиль, та методу псевдопотенціала з урахуванням градієнтних поправок до обмінно-кореляційної енергії. Визначено параметри енергетичної структури остовно-валентної люмінесценції та показано узгодженість парціальної густини s- і d- станів валентної зони з формою спектрів остовно-валентної люмінесценції для цих кристалів. Проаналізовано точність даних методів для розрахунку енергетичної структури широкощілинних діелектричних кристалів.

Проведено дослідження власної та домішкової остовно-валентної люмінесценції кристалів AX та ABX₃ (A = K, Rb, Cs; B = Ca; X = F, Cl, Br, I). Виявлено подібність спектрів власної остовно-валентної люмінесценції кристалів CsCaCl₃ зі спектрами домішкової остовно-валентної люмінесценції кристалів CsCaCl₃-Rb та CsCaCl₃-K. Підтверджено міграцію остовних дірок від 3pK²⁺ до 4pRb⁺ для кристалів RbCaF₃-K. Продемонстровано високу чутливість люмінесцентних методик для детектування мікрофаз у системі CsI-CsCl.