Анотація до роботи:

Олена Склярчук. Особливості механізмів переносу заряду, фотоелектричних і люмінесцентних процесів у діодах Шотткі на основі SiC і CdTe . – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків. - Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2005.

У дисертації представлено результати дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, фотоелектричні та електролюмінесцентні характеристики діодів Шотткі на основі телуриду кадмію і карбіду кремнію.

Описана методика виготовлення Аl-SiC и Au-SiC діодів зі значним вигином зон біля поверхні напівпровідника (аж до 2.4-2.5 еВ). Запропонована технологія виготовлення фоточутливої бар’єрной структури на основі р-CdTе з інверсійним шаром на поверхні, яка забезпечує роботу діода без фронтального металевого електрода. Аналіз електричних і фотоелектричних характеристик діодів проводиться на основі теорії Саа-Нойса-Шокклі для генерації-рекомбінації в ОПЗ с урахуванням особливостей процесів у діоді Шотткі. З фотоелектричних характеристик визначені дифузійна довжина неосновних носіїв та їх час життя. Проаналізований внесок тунелювання в перенос заряду в SiC діодах Шотткі. Запропоновано механізм фотостимульованого тунелювання електронів з металу в зону провідності в Аl-SiC діодах.

Досліджено електролюмінісцентне випромінювання при прямому зміщенні діодів Шотткі, яке, на відміну від інжекційної електролюмінесценції, представлено безструктурним широкосмуговим спектром, який монотонно спадає в короткохвильову область і практично не залежить від рівня збудження й температури, природи напівпровідника й металу. Запропонована модель внутрішньозонних випромінювальних переходів електронів, інжектованих з напівпровідника в метал, кількісно описує характеристики спостережуваного випромінювання.