1. На основі проведеного компютерного моделювання розподілів інтенсивності рентгенівських променів, розсіяних кристалами сполук систем Bi-Sr-Ca-Cu-O і Sr-Bi-Nb-O, показано, що наявність в цих кристалах дефектів пакування (блоків атомних шарів з укладкою, котра відрізняється від укладки атомних шарів в базовій структурі) спричиняє зсув дифракційних піків 00Li базової структури в напрямку до найближчого дифрак-ційного піка 00Lj, властивого структурі, фрагментом якої є дефект пакування. Величина зміщення D при цьому залежить не тільки від концентрації r дефектів пакування, але й від характеру їх розподілу у кристалі, а також від індексу Li. В загальному випадку залежності D(r) є нелінійними і не можуть бути описані функцією одного типу. 2. Встановлено, що на рентгенодифракційних картинах від одновимірно розупорядкованих кристалів систем Bi-Sr-Ca-Cu-O і Sr-Bi-Nb-O існують максимуми інтенсивності, для яких відношення величин їх дифракційних векторів визначається ха-рактеристиками одновимірного розупорядкування (типом дефектів пакування, їх концен-трацією і характером розподілу у кристалі) і не залежать від співвідношення між значен-ням параметру с гратки базової структури і розміром дефекту пакування вздовж осі с. 3. Розроблено методику аналізу експериментальних рентгенодифракційних картин від одновимірно розупорядкованих кристалів систем Bi-Sr-Ca-Cu-O і Sr-Bi-Nb-O, яка дозволяє із закономірностей відносного розташування дифракційних піків та асиметрії їх профілів визначити характеристики ансамблю дефектів пакування (тип, концентрацію і характер розподілу у кристалі) без інформації про значення параметру с базової структури і розмір дефекту пакування вздовж осі с, які в загальному випадку невідомі. 4. Із застосуванням розробленої методики проведено рентгенодифракційні дослідження структури монокристалів, близьких за хімічним складом до фази Bi4Sr4СаCu3Oy (4413). Показано, що структура цих кристалів розупорядкована дефектами пакування у вигляді фрагментів структури Bi2Sr2СаCu2Oх (2212). Встановлено, що дефекти пакування виявляють тенденцію до упорядкування, спричиняючи таким чином формування прошарків наноструктурного масштабу з укладкою атомних шарів, властивих структурам 2212 і 6625, а концентрація дефектів пакування може складати величину від 10 % до 55 %. 5. Рентгенодифракційним методом визначено характеристики одновимірного розупорядкування тонких епітаксійних плівок, близких за хімічним складом до фази SrBi2Nb2Ox (m = 2). Показано, що в плівках нестехіометричного складу дефекти пакування у вигляді фрагментів структури Sr2Bi2Nb3Oy (m = 3) розподілені неоднорідно, формуючи області з переважаючою структурою m = 2 і області з переважаючою структурою m = 3. В залежності від хімічного складу плівок концентрація дефектів пакування в областях із базовою структурою m = 2 змінюється від ~ 8 % до 30 %, а концентраціяя дефектів пакування в областях із базовою структурою m = 3 складає величину не менше 30 %. Основні результати дисертації викладено у публікаціях: 1. Л. А. Олиховская, А. И. Устинов, О. В. Федорова. Определение характеристик ансамбля планарных дефектов в монокристаллах системы Bi-Sr-Ca-Cu-O по дифракционным данным. 1. Хаотичное распределение дефектов. Металлофиз. новейшие технол., 25, № 4: 453 (2003). 2. Л. А. Олиховская, А. И. Устинов, О. В. Федорова. Определение характеристик ансамбля планарных дефектов в монокристаллах системы Bi-Sr-Ca-Cu-O по дифракционным данным. 2. Упорядоченное распределение дефектов. Металлофиз. новейшие технол., 26, № 1: 89 (2004) . 3. Л. А. Олиховская, А. И. Устинов, О. В. Федорова, В. Ш. Шехтман, Б. Х. Нарымбетов. Определение характеристик ансамбля планарных дефектов в монокристаллах системы Bi-Sr-Ca-Cu-O по дифракционным данным. 3. Структура кристаллов Bi4Sr4CaCu3Oz. Металлофиз. новейшие технол., 26, № 2: 241 (2004). 4. L.O.Olikhovska, A.I. Ustinov, O.V. Fedorova. Geterogeneous intergrowth arrangements in Bi-Sr-Ca-Cu-O crystals prepared in non-equilibrium conditions. Abstract of 2nd International workshop “Diffusion and diffusional phase transformations in alloys” (Cherkasy, Ukraine, 24 June – 1 Jule, 2001); – P. 57. 5. L. Olikhovska, N. Budarina, A.Ustinov, B. Narymbetov, V. Shekhtman, O. Fedorova. Intergrowth distribution in superconducting Bi-Sr-Ca-Cu-O single crystals determined by X-ray diffractometry. Abstarct of the Size-Strain III Conference. – Trento (Italy). – 2001. – P. 74. 6. L. Olikhovska, A.Ustinov, O. Fedorova, J.-R. Duclиre, A. Perrin. The structure characterization of SBN crystals with intergrowths by diffraction methods. Abstract of 2nd open Franco-Ukrainian workshop on Ferroelectricity. 16-18 October, 2002, Dinard (France), p. 76. |