Анотація до роботи:

1. Блецкан Д.І., Блецкан О.Д., Лук’янчук О.Р., Машков А.І., Пекар Я.М., Цифра В.І. Промислове вирощування монокристалів сапфіру видозміненим методом Кіропулоса // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія фізика. – 2000. – № 6. – С.221-239.

2. Блецкан Д.І., Блецкан О.Д., Лук’янчук О.Р., Машков А.І., Пекар Я.М. Механічна обробка кристалів сапфіра та виготовлення підкладок із них // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. – 2000. – № 7. – С.161-172.

3. Блецкан Д.І., Блецкан О.Д., Лук’янчук О.Р., Стефанович В.О. Вплив неконтрольованих домішок у сапфіровій підкладці на спектри випромінювання світлодіодів на основі гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. – 2002. – № 11. – С.29-36.

4. Лук’янчук О.Р. ІЧ-спектри поглинання кристалів сапфіра і рубіна // Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. – 2003. – № 13. – С.90-93.

5. Bletskan D.I., Lukyanchuk O.R., Bletskan O.D. Effect of sapphire substrate on spectral emission features for LEDs based on InGaN/AlGaN/GaN hetero-structures // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2003. – Vol.6, № 2. – P. 189-191.

6. Патент України на винахід № 35341. Блецкан Д.І., Пекар Я. М., Машков А.І., Блецкан О.Д., Бундаш Й.Й., Лук’янчук О.Р., Цифра В.І. Спосіб відновлення тигля із молібден-вольфрамового сплаву для вирощування монокристалів корунду (a-оксид алюмінію). Опубл. 15.07.2003, Бюл. № 7.

7. Блецкан Д.И., Бундаш Й.Й., Гунда Б.М., Лукьянчук А.Р., Цифра В.И. Влияние метода и условий выращивания монокристаллов a-Al₂O₃ на их дефектную структуру // Тези доповідей Х науково-технічної конференції “Складні оксиди, халькогеніди та галогеніди для функціональної електроніки”. – Ужгород (Україна). – 2000. – С. 149.

8. Блецкан Д.І., Блецкан О.Д., Лук’янчук О.Р., Пекар Я.М. Промислове вирощування кристалів сапфіра для потреб наноелектроніки, лазерної техніки, оптичного та радіаційного приладобудування, медицини // Розширені тези доповідей науково-практичної конференції “Проблеми винахідництва та раціоналізаторства в Україні”. – Львів: ЛвЦНТЕІ. – 2001. – С.29-31.

9. Блецкан Д.И., Блецкан А.Д., Пекар Я.М., Лукьянчук А.Р. Физико-химия массопереноса при промышленном выращивании монокристаллов сапфира // Тезисы докладов Х Национальной конференции по росту кристаллов НКРК-2002. – Москва (Россия). – 2002. – С. 226.

10. Блецкан Д.И., Блецкан А.Д., Лукьянчук А.Р., Маслюк В.Т., Пекар Я.М., Парлаг О.А. Влияние остаточных примесей в сапфировой подложке на спектры излучения светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN // Тезисы докладов Х Национальной конференции по росту кристаллов НКРК-2002. – Москва (Россия). – 2002. – С. 485.

11. Блецкан Д.И., Маслюк В.Т., Лукьянчук А.Р., Парлаг О.А., Пекар Я.М. Неразрушающие методы контроля остаточных примесей в сапфировых подложках, используемых в нанотехнологии // Тезисы докладов четвертой Международной научно-практической конференции “Современные информационные и электронные технологии” – Одесса (Украина). – 2003. – С. 273.

12. Лук’янчук О.Р., Керецман В.В., Сеневич Ю.І. Вплив залишкових домішок у сапфіровій підкладці на спектральний склад випромінювання світлодіодів, виготовлених на базі гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN // Тези доповідей Всеукраїнської конференції студентів і молодих науковців з теоретичної та експериментальної фізики “ЕВРИКА-2003”. – Львів (Україна). – 2003. – С. 132.

АНОТАЦІЇ

Лук’янчук О. Р. Одержання кристалів сапфіру та їх оптичні і люмінесцентні властивості. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. - Ужгородський національний університет, Ужгород, 2003.

Дисертація присвячена удосконаленню технології промислового вирощування кристалів сапфіра за видозміненим методом Кіропулоса на вітчизняних установках типу “Омега”, встановленню взаємозв’язку між умовами вирощування та структурною досконалістю кристалів, виявленню власних та домішкових точкових дефектів оптико-люмінесцентними методами, виготовленню досконалих сапфірових підкладок діаметром два та три дюйми орієнтації (0001) для епітаксії гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN, на базі яких виготовляють кольорові світлодіоди, та дослідженню спектральних і вольт-амперних характеристик таких світлодіодів. Виготовлено тепловий вузол до ростових установок “Омега”, який забезпечує вирощування оптичноякісних, безбульбашкових і безблочних кристалів a-Al₂O₃ діаметром 120150 мм і відпрацьовано технологію нарізання підкладок заданої орієнтації з точністю 15^/ для потреб опто- і мікроелектроніки. Досліджено спектри люмінесценції при лазерному, рентгенівському та електронному збудженні кристалів a-Al₂O₃, вирощених методами Вернейля та видозміненим методом Кіропулоса. Показано, що в спектрах люмінесценції присутні смуги, обумовлені як власними точковими дефектами гратки (F-, F⁺-, F₂- та Al_i⁺- центри), так і фоновими домішками Cr³⁺ і Ti³⁺. Виявлено наявність домішки Мо у кристалах a-Al₂O₃, вирощених із розплаву у молібден-вольфрамових тиглях. Встановлено, що причиною появи у спектрах випромінювання блакитних світлодіодів крім основної смуги електролюмінесценції у гетероструктурі InGaN/AlGaN/GaN ще слабких R-ліній (692,8 і 694,3 нм) є перевипромінювання іонів Cr³⁺ у сапфіровій підкладці.