Анотація до роботи:

Іжнін І.І. Модифікація властивостей вузькощілинних твердих розчинів Cd_xHg_1-xTe при іонному травленні. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук зі спеціальності 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Львівський національний університет імені Івана Франка, Львів, 2006.

У дисертації подано результати досліджень впливу низькоенергетичних йонів (Ar⁺) під час йонного травлення на властивості монокристалів, епітаксійних шарів та гетероструктур із широкозонними захисними шарами вузькощілинного p-Cd_xHg_1-xTe. Встановлено дифузійний механізм формування під час йонного травлення джерела дифузії ртуті з високою концентрацією та дифузійний характер розповсюдження фронту конверсії, природу залежності глибини конверсії від складу матеріалу і температури зразка, вплив широкозонних захисних шарів на глибину конверсії. Обґрунтовано механізми конверсії типу провідності в легованому акцепторними домішками As, Sb, Cu, Ag, Au р-Cd_xHg_1-xTe. Встановлено механізми релаксації електричних параметрів конвертованих шарів та з’ясовані питання їхньої температурної стабільності.

Встановлено та узагальнено основні закономірності конверсії типу провідності під час йонного травлення у вакансійно-легованому та легованому акцепторними домішками I і V групи p-Cd_xHg_1-xTe і в структурах Cd_xHg_1-xTe із широкозонними захисними шарами Cd_yHg_1-yTe. Сукупність одержаних результатів вирішує важливу наукову проблему – процеси та явища під час взаємодії низькоенергетичних йонів із вузькощілинними твердими розчинами Cd_xHg_1-xTe, – що дає змогу розробити та запропонувати фізично обґрунтовані засади використання йонного травлення як низькотемпературний метод формування p-n переходів фотодіодів інфрачервоного діапазону спектра на основі вакансійно-легованого та легованого акцепторними домішками As або Au p-Cd_xHg_1-xTe.

1. Встановлено низку закономірностей процесу конверсії типу провідності під час йонного травлення у вакансійно-легованому та легованому акцепторними домішками І та V групи (As, Sb, Cu, Ag або Au) р-Cd_xHg_1-xTe:

– дифузійний характер розповсюдження фронту конверсії, при якому глибина конверсії d_j , де Ф – флюенс йонів, N_tr – концентрація центрів захоплення міжвузлової ртуті (вакансії ртуті, домішки І та V групи);

– формування типової n⁺-n-р структури з порушеним n⁺-шаром (~2-3 мкм) та основним конвертованим n-шаром. Порушений n⁺-шар характеризується підвищеною концентрацією електронів із низькою рухливістю та високою густиною структурних дефектів (дислокації та дислокаційні петлі). Основний об’єм конвертованого n-шару характеризується постійною концентрацією електронів та рухливістю, яка відповідає складу матеріалу та концентрації домішок;

– дифузійний механізм формування джерела дифузії міжвузлової ртуті з концентрацією 10¹³–10¹⁴ см^–3 зумовлений дифузією надлишкових атомів із зони остиглого теплового клину до внутрішньої частини дефектного шару в процесі релаксації дефектів у катіонній підґратці;

– головним чинником, який визначає залежність глибини конверсії в однорідному р-Cd_xHg_1-xTe від складу твердого розчину і температури зразка під час йонного травлення, є внутрішнє електричне поле p-n переходу, утвореного верхньою частиною збідненого на ртуть дефектного шару та конвертованим n-шаром, величина якого зростає зі збільшенням складу твердого розчину та зниженням температури зразка і яке перешкоджає проникненню в кристал, що призводить до зменшення глибини конверсії;

– висока швидкість руху фронту конверсії під час йонного травлення р-Cd_хHg_1-хTe зумовлена формуванням джерела дифузії з високою концентрацією, що відрізняє цей механізм конверсії від механізмів конверсії типу провідності під час йонного травлення в інших вузькощілинних напівпровідниках (р-Pb_1-хSn_хTe, р-InSb), а також під час відпалу анодного оксиду КРТ.

2. Виявлено основні закономірності конверсії типу провідності під час йонного травлення в легованому акцепторними домішками As, Sb, Cu, Ag або Au р-Cd_xHg_1-xTe, які обґрунтовують запропоновані механізми конверсії:

– існування глибинної p-n конверсії типу провідності у легованому Sb, Cu, Ag або Au р-Cd_xHg_1-xTe;

– концентрація електронів основного об'єму конвертованого n-шару в перший момент після йонного травлення дорівнює концентрації легуючих домішок (у випадку As, Cu, Ag або Au) і релаксує за кімнатної температури за експоненціальним законом, який відповідає хіміко-кінетичному рівнянню першого порядку й характеризує розпад утворених йонним травленням донорних дефектів, характеристичні часи релаксації визначаються типом домішки;

– за кімнатної температури повна реконверсія основного об'єму конвертованого n-шару в р-тип не спостерігається, проте вона стає можливою за температур, більших від 100–120 С, що, поряд із існуванням декількох експоненціальних ділянок релаксації, свідчить про складніший характер релаксації донорних дефектів, ніж проста емісія міжвузлової ртуті;

– механізм конверсії типу провідності під час йонного травлення в легованому As або Sb КРТ полягає в утворенні донорних комплексів –“атом As(Sb) у підґратці Те – між-вузловий атом ртуті” (–) у процесі надшвидкої дифузії міжвузлової ртуті;

– механізм конверсії типу провідності під час йонного травлення в легованому Cu, Ag або Au КРТ пов'язаний з надшвидкою дифузією міжвузлової ртуті та витисканням нею домішкових атомів із катіонної підґратки в міжвузля;

– необхідною умовою конверсії типу провідності в легованому акцепторними домішками As, Sb, Cu, Ag або Au р-Cd_xHg_1-xTe є перевищення концентрації міжвузлової ртуті в джерелі над константами рівноваги утворення донорних комплексів або центрів, що накладає обмеження на величину струму йонів і відрізняє таку конверсію від конверсії у вакансійно-легованому КРТ.

3. Визначені основні закономірності релаксації електричних параметрів n⁺-n-p структур, сформованих йонним травленням у вакансійно-легованому Cd_xHg_1-xTe:

– різний характер релаксації електричних параметрів порушеного n⁺-шару та основного об'єму n-шару;

– після релаксації електричних параметрів конвертованого шару n⁺-n-p характер конвертованих структур залишається незмінним після довготермінового (понад 10 років) зберігання зразків за кімнатної температури в лабораторній атмосфері, що робить метод йонного травлення придатним для формування р-n переходів фотодіодів;

– існування зворотної реконверсії типу провідності в конвертованих йонним травленням n⁺-n-p структурах завдяки термічного відпалу, що дає змогу оцінити верхню межу допустимих температур (~ 90-100 С) під час проведення технологічних операцій виготовлення фотодіодів.

4. Аналіз кінетики релаксації концентрації електронів у основному об’ємі конвертованого йонним травленням n-шару для вакансійно-легованого р-Cd_xHg_1-xTe під час ізотермічного та ізохронного відпалів дав змогу встановити:

– параметри основного об’єму конвертованого n-шару відповідають високоякісному n-Cd_xHg_1-xTe із низьким ступенем компенсації;

– механізм релаксації концентрації електронів основного об’єму конвертованого n-шару пов'язаний із розпадом донорних комплексів і центрів, які утворені під час йонного травлення міжвузловою ртуттю з неконтрольованими акцепторними домішками І та V групи (Cu, Ag, Au, As та Sb);

– кінетика релаксації концентрації електронів визначається типом домінуючої неконтрольованої акцепторної домішки а, отже, залежить від технології росту КРТ;

– концентрація електронів у основному об’ємі конвертованого n-шару в перший момент після йонного травлення визначається сумою концентрацій неконтрольованих донорів (або власних донорних дефектів – антиструктурний Те для МПЕ шарів), спеціально введених донорних домішок та донорних комплексів і центрів, які утворені йонним травленням. Після релаксації комплексів і центрів концентрація електронів у основному об’ємі конвертованого n-шару визначається сумою концентрацій неконтрольованих донорів (або власних донорних дефектів – антиструктурний Те для МПЕ шарів) та (або) спеціально введених дононорних домішок.

5. Аналіз кінетики релаксації концентрації електронів у порушеному n⁺-шарі під час ізотермічного та ізохронного відпалів дав змогу встановити:

– утворення під час йонного травлення Cd_xHg_1-xTe n⁺-шару, який складається з декількох підшарів із різною природою електронної провідності;

– електронна провідність у порушеному n⁺-шарі пов’язана з утворенням під час йонного травлення донорних центрів та комплексів міжвузлової ртуті з неконтрольованими акцепторними домішками І та V групи, так, як це відбувається в основному об’ємі конвертованого n-шару. Релаксація електричних параметрів порушеного n⁺-шару пов’язана з розпадом донорних центрів і комплексів;

– додатковий механізм електронної провідності в порушеному n⁺-шарі, пов'язаний з утворенням під час йонного травлення донорних дефектів шляхом захоплення ядрами дислокацій. Релаксація електричних параметрів відбувається через нейтралізацію цих донорних дефектів, коли вони вбудовуються в ґратку кристала, викликаючи переповзання дислокацій.

6. У структурах вакансійно-легованого р-Cd_хHg_1-хTe із захисним градієнтним (по складу від y 0,4 до y = х) широкозонним шаром Cd_yHg_1-yTe завтовжки ~0,5–1 мкм глибина конверсії у активному шарі Cd_хHg_1-хTe під час йонного травлення менша, ніж для однорідного КРТ, і більша, ніж у однорідному КРТ з х 0,4 (за решти ідентичних умов). Основним чинником, який визначає залежність глибини конверсії від параметрів структур та режимів йонного травлення, є сумарне електричне поле p-n переходу та ділянки градієнтного захисного шару. Поле p-n переходу послаблює, а поле захисного широкозонного шару, навпаки, посилює потік з джерела в об’єм КРТ. За великих флюенсах йонів залежність глибини р-n конверсії від флюенсу та концентрації вакансій узгоджується з дифузійним характером розповсюдження фронту конверсії. За малих флюенсах йонів дрейф в електричному полі захисного шару призводить до лінійної залежності глибини конверсії від флюенсу йонів та обернено пропорційної залежності від концентрації вакансій Hg.

7. Встановлені закономірності конверсії типу провідності та релаксації електричних параметрів конвертованих шарів, впливу основних домішок на параметри структур дають змогу здійснювати вибір режимів йонного травлення, що забезпечують формування стабільних p-n переходів фотодіодів з потрібною глибиною залягання в однорідному Cd_xHg_1-xTe та в структурах із широкозонним захисним шаром.

Публікації автора:

1. Аигина Н.Р., Берченко Н.Н., Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Медведев Ю.В. Сверхрешетки HgTe-CdTe – новый материал ИК оптоэлектроники // ЗЭТ. – 1987. – № 11. – С. 3–46.

2. Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Кемарский В.А., Кульчицкий Н.А. Приборы ИК оптоэлектроники на основе структур Cd_xHg_1-xTe, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ЗЭТ. – 1991. – № 12. – С. 3–44.

3. Берченко Н.Н., Войцеховский А.В. Ижнина Н.Ю., Ижнин И.И., Ланская О.Г., Лиленко Е.П., Савчин В.П. Катодолюминесценция анодных оксидов Cd_xHg_1-xTe // Поверхность. Физика, химия, механика. – 1991. – № 5. – С. 107–112.

4. Берченко Н.Н., Батенчук М.М., Ижнин И.И., Савчин В.П., Винникова А.И. Катодолюминесценция анодного оксида теллурида свинца // ЖТФ. – 1994. – Т. 64, № 3. – С. 184–187.

5. Izhnin I.I., Izhnin A.I., Kurbanov K.R., Prytuljak B.B. p-to-n ion beam milling conversion in specially doped Cd_xHg_1-xTe // Proc. SPIE. – 1996. – Vol. 3182. – P. 383–387.

6. Berchenko N.N., Izhnin I.I., Savchyn V.P., Stakhira J.M., Voitsekhovskii A.V. Cathodoluminescence characterization of a compound semiconductors – native dielectric interface // Material Science and Engineering. – 1997. – Vol. B44, N 1. – P. 139–142.

7. Izhnin I.I. Temperature stability of the IBM formed Cd_xHg_1-xTe p-n structure // Proc. SPIE. – 1998. – Vol. 3890. – P. 519–522.

8. Savitsky V., Mansurov L., Fodchuk I., Izhnin I.I.,Virt I., Lozynska M., Evdokimenko A. Peculiarities of MCT Etching in RF Mercury Glow Discharge // Proc. SPIE. – 1998. – Vol. 3725. – P. 299–303.

9. Іжнін І.І. Легкі дірки в Cd_xHg_1-xTe // Вісник Державного університету “Львівська політехніка” Сер. Електроніка. – 2000. – № 397. – С. 121–126.

10. Богобоящий В.В., Ижнин И.И. Механизм конверсии типа проводимости при бомбардировке кристаллов p-Hg_1-xCd_xTe ионами малых энергий // Известия ВУЗОВ Сер. Физика. – 2000. – Т. 43, № 8. – С. 16–25.

11. Богобоящий В.В., Власов А.П., Ижнин И.И. Механизм конверсии типа проводимости в легированном мышьяком р-Cd_xHg_1-xTe при ионно-лучевом травлении // Известия ВУЗОВ Сер. Физика. – 2001. – Т. 44, № 1. – С. 50-59.

12. Берченко М.М., Богобоящий В.В., Іжнін І.І., Савицький Г.В., Юденков В.О. Модифікація електрофізичних властивостей епітаксійних шарів PbTe в умовах низькоенергетичного бомбардування // Вісник Національного університету “Львівська політехніка” Сер. Електроніка. – 2001 – № 423. – С. 3–7.

13. Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V., Izhnin I.I., Vlasov A.P. Defect structure rebuilding by ion beam milling of As and Sb doped p-Cd_xHg_1-xTe // Phys. Stat. Sol. (b). – 2002. – Vol. 229, N 1. – P. 279–282.

14. Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V., Vlasov A.P., Izhnin I.I., Ilyina Yu.S. Type conductivity conversion in As, Sb doped p-Cd_xHg_1-xTe under ion beam milling // Surface and Coatings Technol. – 2002. – Vol.158/159C. – P. 732–736.

15. Іжнін І.І. Порівняльній аналіз процесів конверсії типу провідності в p-Cd_xHg_1-xTe // Вісник Національного університету “Львівська політехніка” Сер. Електроніка. – 2002. – № 455. – С. 157–162.

16. Берченко М.М., Богобоящий В.В., Власов А.П., Іжнін І.І., Яковина В.С. Низькотемпературні методи модифікації властивостей Cd_xHg_1-xTe та структур на його основі // Вісник Національного університету “Львівська політехніка” Сер. Електроніка. – 2002. – № 459. – С. 18–28.

17. Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V., Izhnin I.I., Yudenkov V.A. Properties of n-layers formed by low energy ion beam milling of chalcogenides epitaxial films // Phys. Stat. Sol. (c). – 2003. – Vol. 0, N 3. – P. 872–874.

18. Belas E., Bogoboyashchii V.V., Grill R., Izhnin I.I., Vlasov A.P., Yudenkov V.A. Time relaxation of points defects in p- and n-(HgCd)Te after ion beam milling // J. Electron. Mater. – 2003. – Vol. 32, N 7. – P. 698–702.

19. Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V., Izhnin I.I., Kurbanov K.R., Vlasov A.P., Yudenkov V.A. Type conductivity conversion in p-Cd_xHg_1-xTe // Opto-Electronics Review. – 2003. – Vol. 11, N 2. – Р. 93–98.

20. Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V., Izhnin I.I., Kurbanov K.R., Vlasov A.P., Yudenkov V.A. Peculiarities of conductivity type conversion in p-Cd_xHg_1-xTe under ion beam etching and anodic oxide annealing // Functional Materials. – 2003. – Vol. 10, N 2. – Р. 287–292.

21. Богобоящий В.В., Ижнин И.И. О физическом смысле огибающей спектров подвижности // Вісник Кременчуцького державного політехнічного університету. – 2003. – № 2.– С. 10–13.

22. Богобоящий В.В., Іжнін І.І., Савицький Г.В., Юденков В.О. Часова стабільність Cd_xHg_1-xTe p-n структур, сформованих іонно-променевим травленням // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, сер. Електроніка. – 2003. – № 482. – С. 119–125.

23. Богобоящий В.В., Елизаров А.И., Ижнин И.И. Локальные механизмы диффузии меди в кристаллах Hg_0,8Cd_0,2Te // Вісник Кременчуцького державного політехнічного університету. – 2003. – № 5. – С. 131–137.

24. Богобоящий В.В., Ижнин И.И. Механизм образования источника диффузии ртути в р-Cd_xHg_1-xTe при ионно-лучевом травлении // Прикладная физика. – 2003. – № 6. – С. 120–125.

25. Bogoboyashchyy V.V., Izhnin I.I. Mechanism for creation of the mercury diffusion source at type conductivity conversion in p-Hg_1-xCd_xTe under ion-beam milling // Proc. SPIE. – 2003. – Vol. 5126. – P. 427–433.

26. Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V., Izhnin I.I., Kurbanov K.R., Vlasov A.P., Yudenkov V.A. Type conductivity conversion in p-Cd_xHg_1-xTe // Proc. SPIE. – 2003. – Vol. 5136. – P. 424–429.

27. Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V., Berchenko N.N., Yudenkov V.A. Mechanisms of conductivity conversion in extrinsically and intrinsically doped p-HgCdTe solid solutions under low energy ion beam milling // Journal of Alloys and Compounds. – 2004. – Vol. 371, N 1–2. – P. 122–124.

28. Bogoboyashchyy V.V., Dvoretsky S.A., Izhnin I.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G., Sizov F.F., Varavin V.S., Yudenkov V.A. Properties of MBE Cd_xHg_1-xTe/GaAs structures modified by ion-beam milling // Phys. Stat. Sol. (c). – 2004. – Vol. 1, N 2. – P. 355–359.

29. Богобоящий В.В., Іжнін І.І., Сизов Ф.Ф., Юденков В.О. Релаксація електричних параметрів структур, сформованих іонним травленням у вузькощилинному Cd_xHg_1-xTe // Доповіді НАН України. – 2004. – № 4. – С. 70–75.

30. Богобоящий В.В., Гаврилюк Ю.М., Ижнин И.И., Курбанов К.Р. Влияние технологических особенностей получения р-Cd_xHg_1-xTe на процессы релаксации p-n структур, созданных ионным травлением // Нові технології. – 2004. – № 1–2. – С. 143–147.

31. Berchenko N.N., Bogoboyashchiy V.V., Izhnin I.I., Pociask M., Sheregii E.M., Yudenkov V.A. Influence of the low energy ion beam milling on the electrical properties of InSb // Phys. Stat. Sol. (c). – 2005. – Vol. 2, N 4. – P. 1418–1422.

32. Богобоящий В.В., Ижнин И.И., Курбанов К.Р. Конверсия типа проводимости в легированных примесями I группы монокристаллах Cd_xHg_1-xTe при ионном травлении // Прикладная физика. – 2005. – № 2.– С. 48–53.

33. Bogoboyashchyy V.V., Elizarov A.I., Izhnin I.I. Conversion of conductivity type in Cu-doped Hg_0.8Cd_0.2Te crystals under ion beam milling // Semicond. Sci. Technol. – 2005. – Vol. 20, N 8. – P. 726–732.

34. Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V., Kurbanov K.R., Mynbaev K.D., Rjabikov V.M. Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-Cd_xHg_1-xTe // Semicond. Phys., Quantum Electronics and Optoelectronics. – 2005. – Vol. 8, N 1. – Р. 52–58.

35. Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V., Sizov F.F. Electrical characteristics relaxation of ion milled MCT layers // Proc. SPIE. – 2005. – Vol. 5881. – P. 5881OU-1–5881OU11.

36. Bogoboyashchyy V.V., Izhnin I.I., Mynbaev K.D. The nature of compositional dependence of p-n junction depth in ion-milled p-Cd_xHg_1-xTe // Semicond. Sci. Technol. – 2006.– Vol. 21, N 2. – P. 116–123.

37. Izhnin I., Bogoboyashchyy V., Kotkov A., Moiseev A., Grishnova N. Type conductivity conversion in MOCVD Cd_xHg_1-xTe/GaAs hetero-structures under ion milling // Proc. SPIE. – 2005. – Vol. 5957. – P. 595716-1 – 595716-7.

38. Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V., Sizov F.F. Regularities of the Cd_xHg_1-xTe p-n junction formation // Proc. SPIE. – 2005. – Vol. 5957. – P. 595713-1 – 595713-12.

39. Izhnin I., Korbutyak D., Pociask M., Savchyn V. Luminescence investigation of ion milled CdTe // Phys. Stat. Sol. (c). – 2006. – Vol. 3, N 4, P. 1063–1065.

40. Bogoboyashchyy V.V., Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Pociask M, Vlasov A.P. Relaxation of electrical properties of n-type layers formed by ion milling in epitaxial HgCdTe doped with V-group acceptors // Semicond. Sci. Technol. – 2006.– Vol. 21, N 8. – P. 1144–1149.

41. Пат. 54476 Україна, МКП Н01L31/0296. Спосіб виготовлення фотодіодів на основі Cd_xHg_1-xTe : Пат. 54476 Україна, МКП Н01L31/0296/ В.В.Богобоящий, І.І.Іжнін, К.Р.Курбанов (Україна); НВП "Карат". – № 99063577; Заявл. 24.06.99; Опубл. 17.03.03, Бюл. № 3. – 3 с.

42. Bogoboyashchiy V.V., Izhnin I.I. p- to n-type conductivity conversion mechanism in p- Cd_xHg_1-xTe under ion-beam milling // Proc. 9-th International Conf. on Narrow Gap Semicond. – Berlin: Humboldt University of Berlin. – 1999. – P. 30–32.

43. Бончик О.Ю., Іжнін І.І., Кияк С.Г., Савицький Г.В., Притуляк Б.Б., Юденков В.О. Автоматизований комплекс для дослідження електрофізичних властивостей напівпровідникових матеріалів // Збірник наукових праць Фізико-механічного інституту ім. Г.В.Карпенка НАН України, Сер. “Фізичні методи та засоби контролю середовищ, матеріалів та виробів”, Вип. 7 “Неруйнівний контроль конструційних та функціональних матеріалів”. – Львів. – 2002. – С. 235–240.

44. Миронов К.Е., Мынбаев К.Д., Гаврилюк Ю.Н., Ижнин И.И. Модификация свойств приповерхностной области р-Cd_xHg_1-xTe ионно-лучевым травлением // Тезисы докл. Респ. конф. “Физика и химия поверхности и границ раздела узкощелевых полупроводников”. – Львов. – 1990. – С. 3.

45. Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д., Гаврилюк Ю.Н., Ижнин И.И. Перестройка дефектно-примесной структуры Cd_xHg_1-xTe при ионно-лучевом травлении // Тезисы докл. “XII Всесоюз. конф. по физике полупроводников”. – Часть 2. – Киев. – 1990. – С. 205.

46. Иванов-Омский В.И., Миронов К.Е., Мынбаев К.Д., Гаврилюк Ю.Н., Ижнин И.И. Послойное изменение электрофизических свойств узкощелевого Cd_xHg_1-xTe при ионно-лучевом травлении // Тезисы докл. Всесоюз. сем. “Многослойные структуры на основе узкозонных полупроводников”. – Нукус. – 1990. – С. 49–50.

47. Богобоящий В.В., Власов А.П., Дворецкий С.А., Ижнин И.И, Протасов Д.Ю., Ромашко Л.Н., Сидоров Ю.Г. Конверсия типа проводимости в МЛЭ Cd_xHg_1-xTe структурах при ионно-лучевом травлении // Тезизы докл. 2 Российско-украинский семинар “Нанофизика и наноэлектроника”. – Киев. – 2000. – С. 63–64.

48. Belas E., Bogoboyashchii V.V., Grill R., Izhnin I.I., Yudenkov V.A. Time relaxation of points defects in p- and n-(HgCd)Te after ion beam milling // Extended Abstracts “The 2002 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials”. – San Diego. – 2002. – P. 191–194.

49. Юденков В.О., Богобоящий В.В., Іжнін І.І., Рябіков В.М. Порівняльний аналіз конверсії типу провідності в легованому домішками Ag, Cu або Au p-Cd_xHg_1-xTe при іонному травленні та відпалі анодного оксиду // Тези доп. “ІІ Українська наук. конф. з фізики напівпровідників”. – Т 2. – Чернівці-Вижниця. – 2004. – С. 314–315.

50. Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V. Sizov F.F. Regularities of the Cd_xHg_1-xTe p-n junction formation // Abstracts “International Congress on Optics and Optoelectronics, Conference Infrared Potoelectronics”, Warsaw. – 2005. – P. 153.

51. Berchenko N.N., Bogoboyashchyy V.V., Izhnin I.I. Electrical properties of n-layers of narrow gap semiconductors formed by low energy ion beam milling // Abstract Book “12 International Conf. on Narrow Gap Semicond”. – Toulouse. – 2005. – P. 74.

52. Ижнин И.И., Власов А.П., Мынбаев К.Д. Релаксация параметров конвертированных при ионном травлении слоев в Cd_xHg_1-xTe:As(Sb) // Тезисы докл. XIХ Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения.– Москва. – 2006.– С. 154–155.