Анотація до роботи:
Олена Маслянчук. Механізми переносу заряду і детектування X- і g-випромінювання в монокристалах та діодах на основі CdTe . – Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків. - Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2004. Дисертацію присвячено дослідженню механізмів переносу заряду та ефективності детектування X- і g-випромінювання в телуриді кадмію (CdTе), твердих розчинах Cd1-xZnxTe, Cd1-xMnxTe, Cd1-xHgxTe (x=0.04-0.1) і діодах Шотткі на його основі. Механізм переносу заряду в досліджуваних матеріалах пояснюється в рамках статистики носіїв у компенсованому напівпровіднику з глибокими рівнями у забороненій зоні. Визначено енергію іонізації та ступінь компенсації домішок (дефектів), відповідальних за електропровідність кристала. Розраховано енергію рівня Фермі як функцію ступеня компенсації у напівпровіднику з декількома акцепторними рівнями, сформульовано умови досягнення електропровідності матеріалу, близької до власної. Розроблено засновану на фотоелектричних вимірах методику дослідження процесу збирання носіїв заряду, що виникають при поглинанні X- або g-кванта, яка дозволяє з’ясовувати умови досягнення високої ефективності детектора, формулювати необхідні для цього вимоги до параметрів матеріалу та режиму роботи детектора, а також визначати час життя носіїв заряду. З’ясовано особливості роботи детектора на основі CdTе з діодом Шотткі на основі напівізолюючого матеріалу. Перенос заряду в CdTe-діоді Шотткі описується генерацією носіїв у збідненому шарі діода за моделлю Саа-Нойса-Шоклі. Методами комп’ютерного моделювання досліджено розподіл електричного поля, з’ясовано роль бар’єрної та нейтральної областей діодної структури у процесі збирання заряду. Розраховано ефективність детектування одно- і багатокаскадного детектора. | 