Анотація до роботи:

Морозовська Г. М. Локальні полярно-активні властивості сегнетоелектриків та утворення їх нанодоменної структури. – Рукопис.

Дисертація на здобуття вченого ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 – фізика твердого тіла. – Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України, Київ, 2009.

У роботі розвинутий феноменологічний опис локальних полярно-активних властивостей сегнетоелектриків. Побудована термодинамічна теорія утворення нанодоменних структур під дією неоднорідних електричних полів та розроблена аналітична теорія локального п’єзоелектричного відгуку сегнетоелектрика на збудження електричним полем зовнішнього нанорозмірного джерела. Результати теоретичних та експериментальних досліджень полярно-активних властивостей сегнетоелектриків співставленні та продемонстровані можливості самоузгодженого аналізу експериментальних даних. Розроблений теоретичний підхід був застосований для опису впливу електричних полів дефектів, розмірних ефектів та екранування зв’язаного заряду на реверсування поляризації в нанорозмірних областях сегнетоелектриків, локальний п’єзоелектричний, піроелектричний та діелектричний відгук полярно-активних матеріалів, і утворення штучної доменної структури в сегнетоелектриках.

Результати дисертаційної роботи можуть бути використані для самоузгодженого кількісного аналізу експериментальних даних скануючої п’єзоелектричної силової мікроскопії, петель сегнетоелектричного і піроелектричного гістерезису в полярно-активних матеріалах, що має практичне значення для мініатюризації приладів наноелектроніки, які містять функціональні нелінійні сегнетоелектричні елементи. Аналітичні результати дозволяють визначити оптимальні умови експерименту для формування масивів стабільних нанодоменів та адресного реверсування поляризації їх елементів за допомогою неоднорідного електричного поля зовнішнього нанорозмірного джерела (голки зонда силового мікроскопу або дискового електрода), що може бути використане для розробки і вдосконалення енергонезалежних комірок сегнетоелектричної пам’яті.

1. Стан проблеми. Теоретичні дослідження полярно-активних властивостей нанорозмірних областей в сегнетоелектриках значно відстають від експериментальних досягнень. До початку проведення досліджень, результати яких представлені в дисертації, був відсутнім послідовний теоретичний опис механізмів формування локального п’єзоелектричного відгуку сегнетоелектриків. Фізична картина утворення штучної доменної структури шляхом реверсування поляризації в нанорозмірних областях сегнетоелектриків під дією неоднорідного електричного поля зовнішнього нанорозмірного джерела не була встановлена. Оскільки дисертаційна робота являє собою послідовний термодинамічний опис реверсування поляризації в нанорозмірних областях сегнетоелектриків в поєднанні з аналітичною теорією локального п’єзоелектричного відгуку сформованих доменних структур, в ній вирішена важлива наукова проблема фізики твердого тіла –розроблений феноменологічний опис локальних полярно-активних властивостей сегнетоелектриків.

2. Аналізуючи та узагальнюючи нові наукові результати, отримані дисертантом, відзначимо як найбільш важливі наступні:

Розвинена термодинамічна теорія утворення нанодоменів в сегнетоелектриках та їх тонких плівках, яка враховує вплив розмірних ефектів, електричного поля деполяризації і поверхневого екранування зв’язаного заряду. Встановлена провідна роль поверхневого екранування та розмірних ефектів при зародженні та рівноважному зростанні доменів під дією неоднорідного електричного поля зовнішнього нанорозмірного джерела. Доведено, що дебаївське екранування в сегнетоелектриках-напівпровідниках приводить до обмеження розмірів доменів на кінцевій стадії їх зростання.

Розвинена термодинамічна теорія локального реверсування поляризації в сегнетоелектриках поблизу заряджених дефектів. Встановлено, що поверхневі дефекти типу «випадкове електричне поле», що знаходяться в збуджуваній зовнішнім електричним полем нано-області сегнетоелектрика, є каталізаторами або інгібіторами зародкоутворення і визначають такі експериментальні особливості форми петель локального п’єзоелектричного гістерезису, як стрибки п’єзовідгуку та асиметрія коерцитивних напруг. Одержані аналітичні залежності енергії активації зародка, його розмірів і радіусу стійкого домена від конфігурації електричних полів внутрішніх дефектів і зовнішнього нанорозмірного джерела дозволяють визначити розміри нанодоменів, що утворюються поблизу дефектів, шляхом деконволюції експериментальних петель гістерезису локального п’єзоелектричного відгуку.

Розроблений підхід зв’язаних рівнянь для аналітичного опису реверсування поляризації в просторово неоднорідних сегнетоелектриках-напівпровідниках із зарядженими дефектами або неізовалентними домішками. Він є альтернативою підходу Ландау – Халатнікова, який описує тільки однорідне реверсування поляризації бездефектних монодоменних сегнетоелектриків.

Розроблена лінійна теорія локального п’єзоелектричного відгуку сегнетоелектриків, в межах якої встановлені механізми формування локального п’єзовідгуку типових доменних структур. Передбачений і аналітично розрахований зовнішній розмірний ефект локального п’єзовідгуку тонких плівок та поверхневих шарів: п’єзовідгук починає істотно залежати від товщини плівки, коли вона стає менше розмірів області, в якій зосереджене збуджуюче електричне поле. Встановлені основні фізичні причини зовнішнього розмірного ефекту – обмеженість області формування п’єзовідгуку та зміна конфігурації збуджуючого електричного поля залежно від товщини плівки, механічних умов на межі плівка-підкладинка, відмінності значень діелектричної проникності плівки та підкладинки.

Показано, що великі значення поперечної компоненти тензора діелектричної проникності сегнетоелектричного матеріалу сприяють збільшенню граничної густини запису інформації. Обробка експериментального профілю п’єзовідгуку доменних структур за допомогою одержаних аналітичних виразів дозволяє визначити положення і величини ефективних точкових зарядів, що моделюють електричне поле зонду скануючого силового мікроскопа, - даних, необхідних для подальшого дослідження поверхні матеріалу. Одержані аналітичні залежності локального п’єзовідгуку від розмірів нанодоменів дозволяють проводити самоузгоджений аналіз локального реверсування поляризації в сегнетоелектриках.

3. Сукупність використаних в дисертації методів вирішення поставленої наукової проблеми має світовий пріоритет, оскільки поєднання термодинамічної теорії утворення нанодоменів в сегнетоелектричних матеріалах з аналітичною теорією їх локального п’єзоелектричного відгуку на збудження зовнішнім електричним полем відкриває можливості самоузгодженого кількісного аналізу експериментальних даних. Відповідні результати дисертаційних досліджень [1, 7, 9, 13, 19, 20, 24, 33–35] опубліковані в провідних міжнародних фізичних журналах та активно цитуються.

4. Результати чисельного моделювання та аналітичні вирази для залежності п’єзовідгуку та розмірів доменів від зовнішнього електричного поля та параметрів сегнетоелектричного матеріалу добре узгоджуються як з експериментальними залежностями для тонких плівок і монокристалів типових сегнетоелектриків [23, 29–35], так і з чисельними результатами, одержаними незалежно методом моделювання фазових полів [32, 33, 35], що забезпечує достовірність результатів дисертаційної роботи.

5. Одержані в дисертаційній роботі аналітичні та чисельні результати відкривають можливості моделювання петель гістерезису локального п’єзоелектричного відгуку та самоузгодженого кількісного аналізу експериментальних даних п’єзоелектричної силової мікроскопії, петель сегнетоелектричного, діелектричного та піроелектричного гістерезису в полярно-активних кристалічних і керамічних матеріалах, що має практичне значення для мініатюризації приладів наноелектроніки, що містять функціональні нелінійні сегнетоелектричні конденсатори, п’єзоелектричні та піроелектричні елементи. Аналітичні результати дозволяють вибрати оптимальні умови експерименту для формування масивів стабільних нанодоменів за допомогою неоднорідного електричного поля зонда силового мікроскопу, що може бути використане для розробки і вдосконалення елементів енергонезалежної сегнетоелектричної пам’яті, створення штучних нанодоменних структур із заданими параметрами та адресного керування їх елементами.

Публікації автора:

1. Resolution Function Theory in Piezoresponse Force Microscopy: Domain Wall Profile, Spatial Resolution, and Tip Calibration / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev, S. L. Bravina, S. V. Kalinin // Phys. Rev. B. – 2007. – Vol. 75, № 17. – P. 174109-1-18.

2. Effect of the Intrinsic Width on the Piezoelectric Force Microscopy of a Single Ferroelectric Domain Wall / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev, G. S. Svechnikov, V. Gopalan, S. V. Kalinin // J. Appl. Phys. – 2008. – Vol. 103, № 12. – P.124110-1-8.

3. Kalinin S.V. Materials contrast in piezoresponse force microscopy / S. V. Kalinin, E. A. Eliseev, A. N. Morozovska // Appl. Phys. Lett. – 2006. – Vol. 88. – P. 232904-1-3.

4. Electromechanical Detection in Scanning Probe Microscopy : Tip Models and Materials Contrast / E. A. Eliseev, S.V. Kalinin, S. Jesse, S. L. Bravina, A. N. Morozovska // J. Appl. Phys. – 2007. – Vol. 102, № 1. – P. 014109-1-12.

5. Глинчук М. Д. Радиоспектроскопия и диэлектрические спектры наноматериалов / М. Д. Глинчук, А. Н. Морозовская // Физика Твердого Тела. – 2003. – T. 45, № 8. – C. 1510–1518.

6. Glinchuk M. D. Effect of Surface Tension and Depolarization Field on Ferroelectric Nanomaterials Properties / M. D. Glinchuk, A. N. Morozovskaya // Phys. Stat. Sol. (b). – 2003. – Vol. 238, № 1. – P. 81–91.

7. Morozovska A. N. Ferroelectricity enhancement in confined nanorods : Direct variational method / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev, M. D. Glinchuk // Phys. Rev. B. – 2006. – Vol. 73, № 21. – P. 214106-1-13.

8. Polar properties and local piezoelectric response of ferroelectric nanotubes / A. N. Morozovska, G. S. Svechnikov, E. I. Shishkin, V. Ya. Shur // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2008. – Vol. 11, № 4. – P. 370–380.

9. Extrinsic Size Effect in Piezoresponse Force Microscopy of Thin Films / A. N. Morozovska, S. V. Svechnikov, E. A. Eliseev, S. V. Kalinin // Phys. Rev. B. – 2007. – Vol. 76, № 5. – P. 054123-1-5.

10. Morozovska A. N. The effective response and resolution function of surface layers and thin films in Piezoresponse Force Microscopy / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev, S. V. Kalinin // J. Appl. Phys. – 2007. – Vol. 102, № 7. – P. 074105-1-12.

11. Morozovska A. N. The influence of size effects on thin films local piezoelectric response / A. N. Morozovska, S. V. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2007. – Vol. 10, № 4. – P. 36–41.

12. Morozovska A. N. The resolution function and effective response of piezoelectric thin films in Piezoresponse Force Microscopy /A. N. Morozovska // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2008. – Vol. 11, № 2. – P. 171–177.

13. Glinchuk M. D. The internal electric field originating from the mismatch effect and its influence on ferroelectric thin film properties / M. D. Glinchuk, A. N. Morozovska // J. Phys. : Condens. Matter. – 2004. – Vol. 16, № 21. – P. 3517–3531.

14. Glinchuk M. D. Ferroelectric thin film self-polarization induced by mismatch effect / M. D. Glinchuk, A. N. Morozovska // Ferroelectrics. – 2005. – Vol. 317. – P. 125–133.

15. Morozovska A. N. Domain nucleation and hysteresis loop shape in piezoresponse force spectroscopy / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev, S. V. Kalinin // Appl. Phys. Lett. – 2006. – Vol. 89, № 19. – P. 192901-1-3.

16. Piezoresponse Force Spectroscopy of Ferroelectric-Semiconductor Materials / A. N. Morozovska, S. V. Svechnikov, E. A. Eliseev, S. Jesse, B. J. Rodriguez, S. V. Kalinin // J. Appl. Phys. – 2007. – Vol. 102, № 11. – P. 114108-1-14.

17. Local Polarization Switching in Piezoresponse Force Microscopy / A. N. Morozovska, S. V. Kalinin, E. A. Eliseev, S. V. Svechnikov // Ferroelectrics. – 2007. – Vol. 354. – P. 198–207.

18. Morozovska A. N. The study of screening phenomena under the nano-domain formation in ferroelectric semiconductors / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev // Phys. Status Solidi (b). – 2006. – Vol. 243, № 8. – P. 1996–2011.

19. Morozovska A. N. Screening and size effects on the nanodomain tailoring in ferroelectrics semiconductors / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev // Phys. Rev. B. – 2006. – Vol. 73, № 10. – P. 104440-1-10.

20. The Interaction of an 180-degree Ferroelectric Domain Wall with a Biased Scanning Probe Microscopy Tip: Effective Wall Geometry and Thermodynamics in Ginzburg-Landau-Devonshire Theory / A. N. Morozovska, S. V. Kalinin, E. A. Eliseev, V. Gopalan, S. V. Svechnikov // Phys. Rev. B. – 2008. – Vol. 78, № 12. – P. 125407-1-11.

21. Thermodynamics of nanodomain formation and breakdown in Scanning Probe Microscopy : Landau-Ginzburg-Devonshire approach / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev, S. V. Svechnikov, P. Maksymovych, S. V. Kalinin // arXiv. E-print service of Cornell University Library. Condensed Matter Section. – 2008. – 0811.1768. – Access via

22. Local Polarization Switching in the Presence of Surface Charged Defects : Microscopic Mechanisms and Piezoresponse Force Spectroscopy Observations / A. N. Morozovska, S. V. Svechnikov, E. A. Eliseev, B. J. Rodriguez, S. Jesse, S. V. Kalinin // Phys. Rev. B. – 2008. – Vol. 78, № 5. – P.054101-1-17.

23. Domain Dynamics in Piezoresponse Force Microscopy: Quantitative Deconvolution and Hysteresis Loop Fine Structure / I. Bdikin, A. Kholkin, A. N. Morozovska, S. V. Svechnikov, S.-H. Kim, S. V. Kalinin // Appl. Phys. Lett. – 2008. – Vol. 92, № 18. – P. 182909-1-3.

24. Morozovska A. N. Modeling of dielectric hysteresis loops in ferroelectric semiconductors with charged defects / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev // J. Phys. : Condens. Matter. – 2004. – Vol. 16, № 49. – P. 8937–8956.

25. Partial polarization switching in ferroelectrics-semiconductors with charged defects / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev, E. Cattan, D. Remiens // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2004. – Vol. 7, № 3. – P. 251–262.

26. Morozovska A. N. Modified Landau-Ginsburg-Devonshire description of disordered ferroelectrics with static charged defects / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev, V. V. Obukhovsky // Ferroelectrics. – 2004. – Vol. 298. – P. 199–209.

27. Morozovska A. N. Theoretical description of coercive field decrease in ferroelectrics-semiconductors with charged defects / A. N. Morozovska // Ferroelectrics. – 2005. – Vol. 317. – P. 37–42.

28. Theoretical description of ferroelectric and pyroelectric hysteresis in the disordered ferroelectric-semiconductor films / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev, D. Remiens, C. Soyer // J. Appl. Phys. – 2006. – Vol. 100, № 1. – P. 014109-1-12.

29. Quantitative Determination of Tip Parameters in Piezoresponse Force Microscopy / S. V. Kalinin, S. Jesse, B. J. Rodriguez, E. A. Eliseev, V. Gopalan, A. N. Morozovska // Appl. Phys. Lett. – 2007. – Vol. 90, № 21. – P. 212905-3.

30. Spatially resolved mapping of ferroelectric switching behavior in self-assembled multiferroic nanostructures: strain, size, and interface effects / B. J. Rodriguez, S. Jesse, A. P. Baddorf, Y. H. Chu, T. Zhao, R. Ramesh, E. A. Eliseev, A. N. Morozovska, S. V. Kalinin // Nanotechnology. – 2007. – Vol. 18, № 40. – P. 405701-1-8.

31. Nanoscale polarization profile across a 180 ferroelectric domain wall extracted by quantitative piezoelectric force microscopy / L. Tian, Aravind Vasudevarao, A. N. Morozovska, E. A. Eliseev, S. V. Kalinin, V. Gopalan, // J. Appl. Phys. – 2008. – Vol. 104, № 7. – P. 074110-1-11.

32. The influence of 180 ferroelectric domain wall width on the threshold field for wall motion / S. Choudhury, Y. Li, N. Odagawa, Aravind Vasudevarao, L. Tian, P. Capek, V. Dierolf, А. N. Morozovska, E. A. Eliseev, S. V. Kalinin, Y. Cho, L.-Q. Chen, V. Gopalan // J. Appl. Phys. – 2008. – Vol. 104, № 8. – P. 084107-1-7.

33. Intrinsic single-domain switching in ferroelectric materials on a nearly ideal surface / S. V. Kalinin, B. J. Rodriguez, S. Jesse, Y. H. Chu, T. Zhao, R. Ramesh, S. Choudhury,
    L.-Q. Chen, E. A. Eliseev, A. N. Morozovska // Proceedings of National Academy of Science of USA. – 2007. – Vol. 104, № 51. – P. 20204–20209.

34. Probing the role of single defects on thermodynamics of electric-field induced phase transitions / S. V. Kalinin, S. Jesse, B. J. Rodriguez, Y. H. Chu, R. Ramesh, E. A. Eliseev, A. N. Morozovska // Phys. Rev. Lett. – 2008. – Vol. 100, № 15. – P. 155703-1-4.

35. Direct Imaging of the Spatial and Energy Distribution of Nucleation Centers in Ferroelectric Materials / S. Jesse, B. J. Rodriguez, S. Choudhury, A. P. Baddorf, I. Vrejoiu, D. Hesse, M. Alexe, E. A. Eliseev, A. N. Morozovska, J. Zhang, L.-Q. Chen, S. V. Kalinin // Nature Materials. – 2008. – Vol. 7, № 3. – P. 209–215.

36. Spatially Resolved Mapping of Local Polarization Dynamics in an Ergodic Phase of Ferroelectric Relaxor / S. V. Kalinin, B. J. Rodriguez, J. D. Budai, S. Jesse, A. N. Morozovska, A. A. Bokov, Z.-G. Ye // arXiv. E-print service of Cornell University Library. Condensed Matter Section. – 2008. – 0808.3827. – Access via

37. Nanoscale Electromechanics of Ferroelectric and Biological Systems : A New Dimension in Scanning Probe Microscopy (review) / S. V. Kalinin, B. J. Rodriguez, S. Jesse, E. Karapetian, B. Mirman, E. A. Eliseev, A. N. Morozovska // Annual Review of Materials Research. – 2007. – Vol. 37. – P. 189–238.

38. Recent Advances in Electromechanical Imaging on the Nanometer Scale : Polarization Dynamics in Ferroelectrics, Biopolymers, and Liquid Imaging (review) / S. V. Kalinin, S. Jesse, B. J. Rodriguez, K. Seal, A. P. Baddorf, T. Zhao, Y. H. Chu, R. Ramesh, E. A. Eliseev, A. N. Morozovska, B. Mirman, E. Karapetian // Japanese Journal of Applied Physics. – 2007. – Vol. 46, № 9A. – P. 5674–5685.

39. Influence of a surface state and screening phenomena on the nucleation and growth of artificial nanodomains in ferroelectrics – semiconductors (review) / A. N. Morozovska, G. S. Svechnikov, S. V. Kalinin, E. L. Rumyantsev, E. I. Shishkin, A. I. Lobov, V. Ya. Shur // Ukrainian Physical Journal. – 2008. – Vol. 53, № 7. – P. 694–701.

40. Морозовская А. Н. Полярно-активные свойства сегнетоэлектрических нанокомпозитов (обзор)/ А. Н. Морозовская, С. В. Свечников // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : науч.-техн. сб. – К. : Наукова Думка, 2007. – Вып. 42. –
    C. 5–18. – ISSN 0233-7577.

41. Морозовская А. Н. Наноразмерные сегнетоэлектрики (обзор) / А. Н. Морозовская, С. В. Свечников // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : науч.-техн. сб. – К. : Наукова Думка, 2008. – Вып. 43. – C. 5–20. – ISSN 0233-7577.

42. Morozovska A. N. Thermodynamical theory of nanodomain tailoring in ferroelectrics-semiconductors / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev // Focus on Nanomaterials Research. – Editor : B. M. Caruta – New York : Nova Science Publishers, 2006. – Chapter 8 - P.187-232. – ISBN
    1-59454-897-8.

43. Morozovska A. N. Modelling of pyroelectric and ferroelectric response in inhomogeneous ferroelectric-semiconductors / A. N. Morozovska // Pyroelectric Materials and Sensors. – Editor : Denis Rmiens. – Kerala, India : Research Signpost, 2007. – Chapter 2. – P. 23–44. – ISBN 81-308-0095-0.

44. Surface tension and mismatch effects in ferroelectric thin film properties / M. D. Glinchuk, A. N. Morozovska, V. A. Stephanovich, L. Jastrabik // NATO Advanced Research Workshop on the Disordered Ferroelectrics, Kiev, Ukraine, 29 May – 2 June 2003 : proceedings. – Kiev, 2003. – P. 32.

45. Morozovska A. N. Modified Landau-Ginsburg-Devonshire description of disordered ferroelectrics with static charged defects / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev, V. V. Obukhovsky // NATO Advanced Research Workshop on the Disordered Ferroelectrics, Kiev, Ukraine, 29 May – 2 June 2003 : proceedings. – Kiev, 2003. – P. 52.

46. Morozovska A. N. Theoretical description of coercive field decrease in ferroelectric semiconductors with charged defects / A. N. Morozovska // NATO Advanced Research Workshop on the Disordered Ferroelectrics, Lviv, Ukraine, 19–22 October 2004 : proceedings. – Lviv, 2004. – P. 85.

47. Morozovska A. N. Phenomenological description of partial polarization switching in ferroelectric semiconductors with charged impurities / A. N. Morozovska // Nonlinear Optics of Liquid and Photorefractive Crystals : 10^th Intern. Conf., Alushta, Crimea, Ukraine, 3–8 October 2004 : proceedings. – Alushta, 2004. – P. 78.

48. Morozovska A. N. Modeling of micro- and nano-scale domain recording by high-voltage atomic force microscopy in ferroelectrics-semiconductors / A. N. Morozovska // Optics and High Technology Material Science SPO 2005 : Sixth International Young Scientists Conference, Kyiv, Ukraine, 27–30 October, 2005 : proceedings. – Kyiv, 2005. – P. 35.

49. Morozovska A. N. Phenomenological description of disordering in ferroelectric materials caused by charged defects / A. N. Morozovska // 7^th European conference on applications of polar dielectrics : European conference, Liberec, Czech Republic, September 6–9, 2004 : proceedings. – Liberec, 2004. – P. 83.

50. Glinchuk M. D. Ferroelectric thin films phase diagrams with self-polarized phase and electret state / M. D. Glinchuk, A. N. Morozovska, E. A. Eliseev // The Eleventh International Meeting on Ferroelectricity : international meeting, Foz do Iguacu-Puerto Iguazu, Brazil-Argentina, September 05–09, 2005 : proceedings – EIMF, 2006.

51. Glinchuk M. D. Phase diagrams with self-polarized phase and electret state in ferroelectric films / M. D. Glinchuk, A. N. Morozovska, E. A. Eliseev // Electroceramics X : international conference, Toledo, Spain, 18–22 June 2006 : proceedings. – Toledo, 2006. – P. 251/373.

52. Pyroelectric and ferroelectric hysteresis in the ferroelectric-semiconductor films with charged defects / A. N. Morozovska, E. A. Eliseev, D. Remiens, C. Soyer // VIII Ukrainian-Polish and III East-European Meeting on Ferroelectrics Physics : international conference, Lviv, Ukraine, 4–7 September 2006 : proceedings. – Lviv, 2006. – P. 49.

53. Морозовская А.Н. Влияние состояния поверхности и явлений экранирования на нуклеацию и рост искусственных нанодоменов в сегнетоэлектриках–полупроводниках / А. Н. Морозовская, С. В. Свечников, С. В. Калинин // Українська наукова конференція з фізики напівпровідників - III (УНКФН-3) : наукова конференція, Україна, Одеcа, 17–22 червня 2007 р.: тези доповідей. – Одеcа, 2007. – C. 97.

54. Распознавание поверхностных пьезоэлектрических слоев методами пьезоэлектрической силовой микроскопии / А. Н. Морозовская, С. В. Свечников, Е. А. Елисеев, С. В. Калинин // VIII Междунар. украинско-российский семинар «Нанофизика и наноэлектроника» : междунар. семинар, Украина, Киев, 7–8 декабря 2007 р. ; тезисы докладов. – Киев, 2007. – C. 64–65.

55. Local Polarization Dynamics in Chemical Solution Deposited PZT Capacitors by Switching Spectroscopy PFM / K. Seal, P. Bintachitt, S. Jesse, A. N. Morozovska, A. P. Baddorf, S. Trolier-McKinstry, S. V.Kalinin // 17th IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics : international Symposium, Santa Fe, New Mexico, USA, February 24–27, 2008 : proceedings – [electronic resource] Digital Object Identifier 10.1109/ISAF.2008.4688110.

56. Морозовская А. Н. Влияние заряженных дефектов на локальное реверсирование поляризации в сегнетоэлектрических тонких пленках / А. Н. Морозовская, С. В. Свечников, Е. В. Бегун // «Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технології» : Третя міжнар. наук.-практ. конф., Україна, Кременчук, 21–23 травня 2008 р. : тези доповідей. – Кременчук, 2008. – C. 197–198.

57. Морозовская А. Н. Формирование доменной структуры в сегнетоэлектриках методами сканирующей зондовой микроскопии / А. Н. Морозовская, С. В. Свечников, В. Я. Шур // «Сучасне матеріалознавство: матеріали та технології»: Всеукраїнська конференція молодих вчених, Україна, Київ, 12–14 листопада 2008 р.: тези доповідей. – Київ, 2008. – С. 196.