Анотація до роботи:

Міца В.М. Кореляції структури, динамічної та променевої стійкостей широкозонних некристалічних напівпровідників. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук по спеціальності 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. - Інститут фізики напівпровідників НАН України, Київ, 2003.

У дисертації представлено результати досліджень взаємозв’язку структури ближнього порядку, розмірів структурної кореляції та динамічної і променевої стійкостей широкозонних халькогенідних напівпровідників системи Ge-As-S вздовж розрізів As₂S₃-GeS₂, As₂S₃-Ge₂S₃, As₂S₃-Ge, GeS₂-As, As-Ge₂S₃ при різному способі зміни середнього координаційного числа. Встановлено прямий зв’язок між процесом поступової заміни пірамідальних с.о. AsS₃ на тетраедричні GeS_4/2 і пірамідальні SGe_3/3, утворенням мікроненоднорідних стекол в областях з співрозмірним вмістом різнотипних с.о. та зміною динамічної і променевої стійкостей. Експериментально доведено зміну координації Ge по сірці і навпаки на потрійну в стеклах Ge_xAs_yS_1-x-y в області складів збагачених германієм. Виявлена наявність протяжної перехідної області плівка-підкладинка в плівках типу a-GeS₂. Запропоновано шарувато-неоднорідну модель структури плівок широкозонних некристалічних напівпровідників. Розроблено фізико-технологічні основи створення променевостійких покрить на основі широкозонних ХСН для силової оптики і лазерної техніки, проміжних і контрастуючих шарів для плоских пристроїв відображення інформації.