Анотація до роботи:
Парфенюк О. А. Компенсаційні та нерівноважні процеси у телуриді кадмію та твердих розчинах на його основі. - Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 0.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2007. Робота присвячена встановленню особливостей переходу легованих донорними домішками кристалів CdTe і твердих розчинів Cd1-xMexTe (Me=Zn,Mn,Mg) у напівізолюючий стан у залежності від умов їх отримання на основі результатів електричних, фотоелектричних, фотохоллівських і фотолюмінесцентних досліджень. При введенні у телурид кадмію домішки свинцю завжди отримується компенсований матеріал p-типу провідності, рівноважні властивості якого визначаються рівнем Е = (0,40±0,03)еВ. У кристалах CdTe:Ge,Sn,Pb атоми легуючих речовин можуть бути простими донорами заміщення (MeCd), або утворювати складні донорно-акцепторні пари (MeСd-VCd) чи асоціати . Останній тип дефектів, для яких перерізи захоплення електронів і дірок сильно відрізняються, забезпечує високу фоточутливість CdTe:Ge,Sn,Pb. У напівізолюючих кристалах CdTe:Cl і Cd0,96Zn0,04Te:Cl р-типу провідності наявні низькотемпературні (Т345К) релаксаційні процеси, які приводять до збільшення питомого опору напівпровідників. Вони викликані зміною розміщення залишкових атомів міді у решітці базового матеріалу відповідно до реакції: . Для створених легуючими домішкам глибоких рівнів у кристалах CdTe:V,Ni характерна співвимірність перерізів захоплення електронів і дірок, що приводить до біполярного типу рівноважної провідності і меншої, ніж у CdTe:Ge,Sn,Pb, фоточутливості. Кристали Cd1-xMnxTe (0,1 x 0,45) порівняно з нелегованим CdTe більш високоомні (2106 Омсм r 1107Омсм) внаслідок зменшення у них концентрації VCd. Різке зростання питомого опору зразків Cd1-xMgxTe при x>0.1 викликано компенсуючою дією неконтрольованих домішок донорного типу при одночасному зменшенні концентрації простих і складних власних дефектів акцепторного типу. Атоми Mg змінюють фізико-хімічні та енергетичні характеристики поверхні кристалів твердого розчину CdMgTe |
