Анотація до роботи:

Стороженко І.П. Генерація міліметрових хвиль варизонними структурами напівпровідників А₃В₅ з міждолинним переносом електронів. –Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математич-них наук за спеціальністю 01.04.01 – фізика приладів, елементів і систем. – Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна, Харків, 2008.

Розроблено теорію варизонних напівпровідникових приладів з міждолинним переносом електронів. Досліджено коливання струму, що виникають в таких приладах і процес генерації електромагнітних хвиль міліметрового діапазону приладами на основі варизонних InP_1-x(z)As_x(z), Al_x(z)Ga_1-x(z)As і In_x(z)Ga_1-x(z)As. Знайдено нові ефекти, які збільшують вихідну потужність, ККД, частотну границю, ширину частотного діапазону і температурну стабільність роботи приладів з міждолинним переносом електронів. Визначено перспективні варизонні сполуки для таких приладів. Запропоновано нові напівпровідникові прилади міліметрового і субміліметрового діапазону, які працюють на ефектах міждолинного переносу і резонансного тунелювання електронів, а також модуляції провідності активної області.

Дослідження, які лягли в основу дисертаційної роботи, присвячені проблемі генерації міліметрових і субміліметрових хвиль за допомогою приладів, що працюють на ефекті МПЕ. Основна проблема, що вирішена в дисертації, – це створення теорії варизонних ПМПЕ, що носила б узагальнюючий характер. Справа в тому, що теорія звичайних ДГ не застосовна до приладів з гетеропереходом, що мають перспективні високочастотні характеристики. Відсутність єдиної теорії призводила до суперечливих трактувань отриманих результатів і помилкових висновків. На основі проведених досліджень були сформульовані принципи роботи варизонних ПМПЕ, які дозволили розв'язати існуючі протиріччя й створити адекватну модель роботи приладів з гетеропереходом. Крім того, були виявлені принципово нові фізичні ефекти, пов'язані з ефектами МПЕ, резонансного тунелювання й модуляції провідності активної області або з їхньою взаємодією, які дозволяють збільшити вихідну потужність, ККД, діапазон робочих частот і граничну робочу частоту генераторів на ПМПЕ. Основні отримані результати зводяться до таких положень.

1. На виникнення хвиль просторового заряду в ПМПЕ на основі варизонних напівпровідників комплексно впливає координатна залежність багатьох електрофізичних параметрів напівпровідника. До найбільш впливовіших параметрів можна віднести енергетичний зазор між центральною долиною й найближчої до неї за енергією бічною долиною D(z), енергію електронної спорідненості c(z), ефективну масу електронів, постійну решітки, сплавний потенціал, концентрацію іонізованих і нейтральних домішок. Але визначальна роль у формуванні хвиль об'ємного заряду в приладах на основі варизонних напівпровідників належить функції координати енергетичного зазору між долинами. Установлено критерії виникнення у варизонних приладах різних типів хвиль об'ємного заряду – збагачених шарів і дипольних доменів.

2. У варизонних приладах виявлено і пояснено фізичну природу нових ефектів й режимів роботи:

виникнення електричних доменів в однорідно легованих варизонних приладах завдяки залежності від координати енергетичного зазору між центральною долиною й найближчої до неї по енергії бічною долиною;

виникнення доменів у приладах з убутними координатними залежностями концентрації нейтральної домішки, сплавного потенціалу або процентного вмісту бінарного компонента в багатокомпонентних сполуках;

прискорення (уповільнення) дрейфу хвиль об'ємного заряду;

дисипації хвиль об'ємного заряду в шарі варизонного напівпровідника і залежність від живлючої напруги глибини проникнення дипольних доменів від катода в активну область;

зміна полярності просторового заряду в гетеропереходах GaP_0,4As_0,6-GaAs і GaAs_0,9Sb_0,1-GaAs при зростанні температури кристалічної решітки;

режим роботи, при якому, залежно від живлячої напруги, хвилі об'ємного заряду формуються біля катодного контакту й дрейфують по всій довжині активної області або у варизонному шарі й дрейфують від нього до анода.

3. Досліджено в широкій смузі частот процес генерації за допомогою приладів з n⁺-n і n⁺-n^--n катодними контактами на основі варизонних Al_x(z)Ga_1-x(z)As, In_x(z)Ga_1-x(z)As і InP_1-x(z)As_1-x(z). Показано та обґрунтовано, що застосування варизонних напівпровідників зі зростаючою залежністю енергетичного зазору між долинами D(z) приводить до підвищення вихідної потужності, ККД і граничної робочої частоти завдяки реалізації режиму з дипольними доменами. Залежно від типу катодного контакту й складу варизонного напівпровідника збільшення граничної частоти становить 14 154 % від аналогічних приладів на основі однорідних за складом напівпровідників. Найбільша гранична частота генерації, що дорівнює 340 ГГц і отримана варизонними InP-InP_0,6As_0,4 приладами з високоомною неоднорідністю біля катода, знаходиться у субміліметровому діапазоні, що є вагомим досягненням для приладів з МПЕ. Варизонні прилади, у яких залежність енергетичного зазору між долинами D(z) є убутною функцією поступаються з ККД, вихідній потужності і граничним частотам генерації звичайним ДГ.

4. Застосування варизонних напівпровідникових сполук у ПМПЕ дозволяє напругою живлення змінювати частоту коливань у широких границях, що приводить до зростання ширини частотного діапазону роботи приладів більш ніж у два рази. Це можливо завдяки двом різним ефектам. По-перше, завдяки залежності від живлючої напруги глибини проникнення дипольних доменів від катода в активну область. По-друге, завдяки залежності від живлючої напруги формування нестійкості заряду біля катода або в тонкому (0,20,4 мкм) варизонному шарі, який знаходиться в центрі активної області.

5. У варизонних ПМПЕ зі зростаючою залежністю енергетичного зазору між долинами D(z) максимум ККД і вихідної потужності досягається при певній оптимальній довжині шару варизонного напівпровідника, що залежить від місця локалізації варизонного шару, довжини активної області, напівпровідникового матеріалу й катодного контакту. У цілому оптимальна довжина варизонного шару приблизно дорівнює довжині активної області.

6. Дістала подальший розвиток теорія приладів з гетеропереходом. На основі різних напівпровідникових сполук показано, що використання гетеропереходу як катода до однорідно легованих ПМПЕ дозволяє збільшити ККД, вихідну потужність, граничну робочу частоту й стабільність до підвищення температури кристалічної решітки. Поліпшення ВЧ характеристик таких приладів пов'язане з виникненням режиму роботи з дипольними доменами.

Визначено, що причиною виникнення доменів в однорідно легованих приладах із прямозміщеним гетеропереходом у катоді є негативний градієнт концентрації електронів у бічних долинах біля катода, що виникає головним чином завдяки контактній різниці енергетичного зазору між долинами в гетеропереході. Встановлено, що на вихідні характеристики таких приладів додатково впливають контактна різниця потенціалів в гетеропереході, рівень легування й рухливість електронів у катоді. Причому вплив одного параметра без обліку будь-якого іншого сильно спотворює процес зародження нестійкостей заряду й вихідні характеристики.

7. На основі різних напівпровідникових сполук показано, що єдиним механізмом виникнення дипольних доменів в однорідно легованих ПМПЕ з обратнозміщеним гетеропереходом у катоді для всіх напівпровідників А₃В₅ є розігрів електронного газу в збідненій області гетеропереходу, тобто в активній області. Тому вплив електрофізичних параметрів катода (крім висоти бар'єра в гетеропереході) на високочастотні властивості приладу є незначним.

8. Підвищення температури кристалічної решітки в приладах з гетерокатодом призводить до погіршення вихідних характеристик приладу. Однак, у порівнянні з аналогічними приладами на основі однорідних напівпровідників, прилади з гетерокатодом більш стабільні до підвищення температури. При підвищенні температури збільшується оптимальна контактна різниця потенціалів у гетеропереході. Тому, можливі режими роботи, коли з підвищенням температури вихідна потужність змінюється на незначну величину.

9. Виникнення нестійкостей заряду в приладах з двома активними областями на основі різних напівпровідників залежить від співвідношень характеристик V(E) матеріалів в активних областях і властивостей контактів до цих областей. Використання двох активних областей на основі напівпровідників з близькими властивостями дозволяє збільшити ширину частотного діапазону роботи приладу і в деяких випадках вихідну потужність. У випадку суттєвого розходження характеристик V(E) матеріалів нестійкості заряду виникають тільки в тій активній області, де є менше пікове значення залежності V(E). В таких випадках існує ефект дисипації дипольних доменів при переході з одного шару напівпровідника в іншій, що може бути застосовано в субмікронних приладах в якості анодного контакту.

10. Модуляція провідності активної області приладів з МПЕ дозволяє управляти вихідною потужністю й частотою коливань струму. При оптимальних кутах затримки коливань концентрації електронів в активній області відносне зростання ККД приладів на основі GaAs з довжиною активної області 0,5 мкм становить 75 %, а оптимальної частоти генерації 25 %. Показано, що прилади на основі GaAs з модуляцією провідності активної області можуть працювати на основній гармоніці в субміліметровому діапазоні довжин хвиль.

11. Прилади з МПЕ на основі GaAs і з AlAs-GaAs-AlAs резонансно тунельним катодом в міліметровому діапазоні мають дві або три зони генерації, що рознесені за напругою, в яких частота генерації визначається ефектом резонансного тунелювання або ефектом МПЕ.

Публікації автора:

В фахових виданнях

1. Стороженко И. П. Влияние температуры на энергетические и частотные характеристики диодов Ганна мм-диапазона с гетерокатодом / И. П. Стороженко, Ю. В. Аркуша, Э. Д. Прохоров // Радиофизика и радиоастрономия. – 1997. – Т. 2, № 2. – С. 230–235.

2. Аркуша Ю. В. Диоды Ганна с туннельным p⁺⁺-n⁺⁺ катодом / И. П. Стороженко, Э. Д. Прохоров, Ю. В. Аркуша // Радиофизика и радиоастрономия. – 1998. – Т. 3, № 4. – С. 419–423

3. Storozhenko I. P. The use of InGaAs and GaAs for operating frequency range expansion of Gunn diode / I. P. Storozhenko // Functional Materials. – 1999. – Vol. 6, №. 4. – P. 696–701.

4. Стороженко И. П. Гетерокатод In_xGa_1-xAs/GaAs в GaAs диоде Ганна / И. П. Стороженко, Э. Д. Прохоров, Ю. В. Аркуша // Радиотехника и электроника. –2000. – Т. 45, № 4. – С. 508–510.

5. Стороженко И. П. Влияние антизапорного гетерокатода на энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна мм диапазона / И. П. Стороженко, Э. Д. Прохоров, Ю. В. Аркуша // Радиотехника и электроника. –2000. – Т. 45, № 5. – С. 628–631.

6. Storozhenko I. P. In_0.4Ga_0.6As Gunn diodes with a m-n:InP_1-xAs_x cathode / I. P. Storozhenko, E. D. Prokhorov, Yu. V. Arkusha // Telecommunications and Engineering. – 2002. – Vol. 57, № 6&7. – P. 133–139.

7. Стороженко И. П. Вольт-амперные характеристики диодов Ганна с двумя активными областями и гетеропереходом / И. П. Стороженко // Вісник Харківського національного університету імені В.Н.Каразіна № 513. Сер. Радіофізика та електроніка. –2001. –Вип. 12001. – С. 65–68.

8. Стороженко И. П. Диоды Ганна с индуцированным каналом в активной области / И. П. Стороженко, Э. Д. Прохоров, Ю. В. Аркуша // Радиофизика и радиоастрономия. –2002. – Т 7, №1, С.103–108.

9. Стороженко И. П. Оценка работы диода Ганна с активной областью из варизонного InGaAs / И. П. Стороженко // Вісник Харківського національного університету імені В.Н.Каразіна № 544. Сер. Радіофізика та електроніка. –2002. –Вип. 12002. – С. 162–163.

10. Стороженко И. П. Междолинный перенос электронов в диоде Ганна на основе варизонного InGaAs / И. П. Стороженко // Вісник Харківського національного університету імені В.Н.Каразіна № 570. Сер. Радіофізика та електроніка. –2002. –Вип. 22002. – С. 76–77.

11. Стороженко И. П. Моделирование диодов Ганна на основе варизонных полупроводников / И. П. Стороженко // Радиофизика и электроника. – Харьков: Ин-т. радиофизики и электроники НАН Украины.–2003. – Т. 8, № 2. – С. 287–294.

12. Storozhenko I. P. Operation of Gunn diode containing two InP_0.7As_0.3-In_0.4Ga_0.6As active regions / I. P. Storozhenko, E. D. Prokhorov, Yu. V. Arku-sha // Telecommunications and Engineering. – 2003. – Vol. 59, № 1&2. – P. 89–99

13. Стороженко И. П. Влияние металлического контакта к запорному InGaAs-GaAs гетерокатоду на работу GaAs диодов Ганна / И. П. Стороженко, Э. Д. Прохоров, Ю. В. Аркуша // Радиофизика и радиоастрономия. –2004. – Т. 9, № 3, – С. 331–336.

14. Стороженко И. П. Энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе тройных полупроводников А₃В₅ с линейно изменяющимся составом в активной зоне / И. П. Стороженко, Э. Д. Прохоров, Ю. В. Аркуша // Радиофизика и электроника. – Харьков: Ин-т. радиофизики и электроники НАН Украины. –2004. – Т. 9. № 2. – С. 421–425. [Storozhenko I.P. Energy and frequency characteristics of the Gunn diodes based on A₃B₅ threefold semiconductors with linearly changing composition in the active zone / I. P. Storozhenko, E. D. Prokhorov, Yu.V.Arkusha // Telecommunications and Engineering. – 2004. – Vol. 61, № 10. – P. 894–902].

15. Storozhenko I. P. Simulation of transferred electron devices with linearly graded composition of 3–5 threefold semiconductor in active zone / I. P. Storozhenko, E. D. Prokhorov, Yu. V. Arkusha // International Journal of Infrared and Millimeter Waves. –2004. – Vol. 25, № 6. – P. 879–890.

16. Стороженко И. П. Влияние толщины варизонного слоя в центре активной области на энергетические и частотные характеристики In_x(z)Ga_1-x(z)As диодов Ганна / И. П. Стороженко // Вісник Харківського національного університету імені В.Н.Каразіна № 646. Сер. Радіофізика та електроніка. –Вип. 22004. – С. 37–40.

17. Стороженко И. П. Диоды Ганна на основе варизонного Al_x(z)Ga_1-x(z)As c различными катодными контактами / И. П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. – 2006. – Т. 11, № 2. – С. 186–197.

18. Стороженко И. П. GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом / И. П. Стороженко, О.В.Боцула, Э. Д. Прохоров // Радиофизика и радиоастрономия. – 2006. – Т. 11, №4. – С. 385–396.

19. Стороженко И. П. Варизонные InP_1-x(z)As_x(z) диоды Ганна с различными катодными контактами / И. П. Стороженко // Радиофизика и электроника. – Харьков: Ин-т. радиофизики и электроники НАН Украины. –2006. – Т. 11, № 3. – С. 421–429. [Storozhenko I. P. InP_1-x(z)As_x(z) variband Gunn diodes with different cathode contacts / I. P. Storozhenko // Telecommunications and Engineering. –2007. – Vol. 66, № 19. – P. 1775–1790].

20. Стороженко И. П. Влияние толщины варизонного слоя на энергетические и частотные характеристики In_x(z)Ga_1-x(z)As диодов Ганна / И. П. Стороженко, Э. Д. Прохоров, Ю. В. Аркуша // Радиотехника и электроника. – 2006. – Т. 51, № 3. – С. 371–378. [Storozhenko I. P. Influence of the Variband-Layer Thickness on the Energy and Frequency Characteristics of In_x(z)Ga_1–x(z)As Gunn Diodes zone / I. P. Storozhenko, E. D. Prokhorov, Yu. V. Arkusha // Journal of Communica-tions Technology and Electronics. – 2006. – Vol. 51, № 3. – P. 352–358].

21. Боцула О. В. Резонансно-туннельный катод к диоду Ганна / О. В. Боцула, Э. Д. Прохоров, И. П. Стороженко // Радиофизика и электроника. – Харьков: Ин-т. радиофизики и электроники НАН Украины. – 2007. – Т. 12, № 2. –C. 394–400.

22. Стороженко И. П. Особенности возникновения и дрейфа волн объёмного заряда в приборах с междолинным переносом электронов на основе варизонного GaP_x(z)As_1-x(z) / И. П. Стороженко // Радиофизика и электроника. – Харьков: Ин-т. радиофизики и электроники НАН Украины. – 2007. – Т. 12, № 1. – С. 243–249. [Storozhenko I. P. Initiation and drift of the spase-charge waves in devices based on varidand GaP_x(z)As_1-x(z) intervalley electron transport / I. P. Storozhenko // Telecommunications and Engineering. – 2008. – Vol. 67, № 10. – P. 881-894].

23. Стороженко И. П. Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с Al_xGa_1-xAs и GaP_xAs_1-x катодами/ И. П. Стороженко, Ю. В. Аркуша, Э. Д. Прохоров // Радиофизика и электроника. – Харьков: Ин-т. радиофизики и электроники НАН Украины. – 2007. – Т. 12, № 3. – С. 579–583. [Storozhenko I. P. Energy and Frequency Characteristics of GaAs Gunn diodes with Al_xGa_1-xAs and GaP_xAs_1-x cathodes / I. P. Storozhenko, E. D. Prokhorov, Yu. V. Arkusha // Telecommunications and Engineering. – 2008. – Vol. 67, № 8. – P. 739-749].

24. Стороженко И. П. Частотные возможности диодов с междолинным переносом электронов на основе варизонного In_x(z)Ga_1-x(z)As c различными катодными контактами / И. П. Стороженко // Радиотехника и электроника. –2007. – Т. 52, № 10. – С. 1253–1259. [Storozhenko I. P. Frequency Characteristics of diodes with intervalley electron transfer that based on variband In_x(z)Ga_1-x(z)As with various cathode contacts / I. P. Storozhenko // Journal of Communications Technology and Electronics. –2007. – Vol. 52, № 10. – P. 1158–1164].

25. Стороженко И. П. Роль рассеяния электронов на нейтральных примесях и сплавном потенциале в формировании волн пространственного заряда в приборах с междолинным переносом электронов / И. П. Стороженко // Радиофизика и электроника. – Харьков: Ин-т. радиофизики и электроники НАН Украины. – 2008. – Т. 13, № 1. – С. 114–117.

26. Аркуша Ю. В. Пути развития приборов с междолинным переносом электронов / Ю. В. Аркуша, Э. Д. Прохоров, И. П. Стороженко // Вісник Харківського національного університету імені В.Н.Каразіна № 513. Сер. Радіофізика та електроніка. –2001. –Вип. 12001. – С. 50–55.

27. Боцула О. В. О совместной работе резонансно-туннельного диода и диода с междолинным переносом электронов / О.В.Боцула, Э. Д. Прохоров, И. П. Стороженко // Вісник Харківського національного університету імені В.Н.Каразіна № 570. Сер. Радіофізика та електроніка. –Вип. 22002. – С. 88–91.

28. Аркуша Ю. В. Зависимость V(E) в новых перспективных соединениях полупроводников А₃В₅ / Ю. В. Аркуша, Э. Д. Прохоров, И. П. Сторожен-ко, А. В. Смородин, К. П. Сиренко // Вісник Харківського національного університету імені В.Н.Каразіна № 646. Сер. Радіофізика та електроніка. –Вип. 22004. – С. 64–66.

В матеріалах конференцій

29. Аркуша Ю. В. Высокочастотные физические процессы в диоде Ганна с туннельным катодом / Ю. В. Аркуша, Э. Д. Прохоров, И. П. Стороженко // Труды 6-й Крымской конференции и выставки “СВЧ техника и спутниковые телекоммуникационные технологии”. Севастополь. – 1996. – С. 322–324.

30. Аркуша Ю.В. Энергетические и частотные характеристики диодов Ганна с двумя пролетными областями и гетеропереходом между ними / Ю. В. Аркуша, Э. Д. Прохоров, И. П. Стороженко // Труды 7-й Крымской конференции и выставки “СВЧ техника и спутниковые телекоммуникационные технологии”. Севастополь. – 1997. – Т. 2. – С. 356–357.

31. Arkusha Yu. V. Power and frequency characteristics of Gunn GaAs diodes with tunnel injection of cold electrons / Yu. V. Arkusha, E. D. Prokhorov, I. P. Storozhenko // MSMW98: The Third International Kharkov Symposium “Physics & Engineering of Millimeter & Submillimeter Waves”, 1998, September 15-17, Kharkov, Ukraine: Symposium Proceedings. –Kharkov, 1998. – V1-A8. – P. 163–165.

32. Storozhenko I. P. Thesis’s about Gunn diode work with two transit-time regions and heterojunction between them / I. P. Storozhenko // MSMW98: Third International Kharkov Symposium “Physics & Engineering of Millimeter & Submilimeter waves”, 1998, September 15–17, Kharkov, Ukraine: Symposium Proceedings. –Kharkov, 1998. – V1-A7. –Р. 157–158.

33. Arkusha Yu. V. The Gunn diode of mm-wave with inducing by the channel in active region / Yu. V. Arkusha, E. D. Prokhorov, I. P. Storozhenko // MSMW2001: The Fourth International Kharkov Symposium “Physics and Engineering of Millimeter and Submillimeter Waves”, 2001, June 4–9, Khar-kov, Ukraine: Symposium Proceedings. –Kharkov, 2001. –V. 2.– P. 771–773.

34. Стороженко И. П. Энергетические и частотные характеристики диода Ганна с двумя активными областями InP_0.7As_0.3-In_0.4Ga_0.6As / Ю. В. Аркуша, Э. Д. Прохоров, И. П. Стороженко // КрыМиКо 2001: 11-я Международная конференция “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии”, 10–14 сентября 2001 г.: материалы конференции. – Севастополь, Крым, Украина, 2001. – С. 160–161.

35. Стороженко И. П. Высокоэффективные генераторы на диодах Ганна на основе варизонных полупроводников А₃В₅ / И. П. Стороженко, Ю. В. Аркуша, Э. Д. Прохоров, Н. И. Слипченко, В. А. Тиманюк // Международная научная конференция “Теория и техника передачи, приема и обработки информации” г. Туапсе, 7–10 окт. 2003 г.: материалы конференции. – Харьков. ХНУРЭ, 2003. – С. 195–196.

36. Storozhenko I. P. InGaAs-TED’s with variband layer / I. P. Storozhenko, Yu. V. Arkusha // MSMW2004: The Fifth International Kharkov Symposium of Physics and Engineering of Microwaves, Millimeter and Submillimeter Waves, 2004, June 21–26, Kharkov, Ukraine: Symposium Proceedings. –Kharkov, 2004. – Vol. 2, IV–28. – P. 555–557.

37. Storozhenko I. P. Simulation short TED with resonance tunneling cathode / I. P. Storozhenko, E. D. Prokhorov, O. V. Botsula // MSMW2004: The Fifth International Kharkov Symposium of Physics and Engineering of Microwaves, Millimeter and Submillimeter Waves, 2004, June 21–26, Kharkov, Ukraine: Symposium Proceedings. –Kharkov, 2004. – Vol. 2, IV–28. – P. 549–551.

38. Стороженко І. П. Резонансно-тунельний катод до діода Ганна / І. П. Стороженко, Е. Д. Прохоров, О. В. Боцула // Каразінські природознавчі студії: міжнародна наукова конференція, 14–16 чер. 2004 р. – Харків, 2004. – С. 126–127.

39. Аркуша Ю. В. Энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе GaN / Ю. В. Аркуша, Э. Д. Прохоров, И. П. Стороженко // КрыМиКо 2005: 15-я Международная конференция “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии”, 12–16 сентября 2005 г.: материалы конференции. – Севастополь, Крым, Украина, 2005. – Т. 1. – С. 166 –167.

40. Стороженко И. П. Генерация колебания мм- и субмм- диапазонов диодами Ганна на основе варизонных полупроводников А₃В₅ / Ю. В. Аркуша, Э. Д. Прохоров, И. П. Стороженко // КрыМиКо 2006: 16-я Международная конференция “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии”, 11–15 сентября 2006 г.: материалы конференции. – Севастополь, Крым, Украина, 2006. – Т. 1. – С. 230–231.

41. Стороженко И. П. Возникновение неустойчивостей заряда в диодах Ганна на основе варизонного GaP_x(z)As_1-x(z) / И. П. Стороженко, Е. Н. Животова, В. А. Тиманюк, Ю. В. Аркуша, Э. Д. Прохоров // Радіофізика та електроніка: VI Харківська конференція молодих науковців, 13–14 грудня 2006 р.: Програма конференції та збірник анотацій. – Харків: Ін-т. радіофізики та електроніки НАН України, 2006. – С. 27.

42. Storozhenko I. P. Variband transferred electron devises / I.P.Storozhenko, E. D. Prokhorov, Yu. V. Arkusha // MSMW2007: The Sixth International Kharkov Symposium of Physics and Engineering of Microwaves, Millimeter and Submillimeter Waves, 2007, June 25–30, Kharkov, Ukraine: Symposium Proceedings. –Kharkov, 2007. – Vol. 2, VI–3. – P. 602–604.

43. Botsula O. V. Oscillation efficiency of the diodes with cathode Al_0,3Ga_0,7As/GaAs / O. V. Botsula, I. P. Storozhenko, E. D. Prokhorov // MSMW2007: The Sixth International Kharkov Symposium of Physics and Engineering of Microwaves, Millimeter and Submillimeter Waves, 2007, June 25–30, Kharkov, Ukraine: Symposium Proceedings. –Kharkov, 2007. – Vol. 2. – P. 629–631.

44. Стороженко И. П. InP диоды Ганна с прямосмещенным гетерокатодом / И. П. Стороженко, Ю. В. Аркуша, Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула // КрыМиКо 2007: 17-я Международная конференция “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии”, 11–15 сентября 2007 г.: материалы конференции. – Севастополь, Крым, Украина, 2007. – Т. 1. – С.117–118.

45. Боцула О. В. Эффективность генерации диодов с МПЭ с катодом Al_0.3Ga_0.7As/GaAs / О. В. Боцула, Э. Д. Прохоров, И. П. Стороженко // КрыМиКо 2007: 17-я Международная конференция “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии”, 11–15 сентября 2007 г.: материалы конференции. – Севастополь, Крым, Украина, 2007. – Т.1. – С. 111–112.