Анотація до роботи:

Павлова О.П. Формування фазового складу, структури і властивостей нанорозмірних плівок силіцидів перехідних металів Co, Mn, Ni, Ti, Та, Pt на монокристалічному кремнії. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора технічних наук за спеціальністю 01.04.07. – фізика твердого тіла. – Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, м. Київ, 2007.

Дисертаційна робота виконана в області фізики твердого тіла - плівкового матеріалознавства і присвячена вирішенню матеріалознавчих і технологічних задач, пов'язаних з проблемою подальшої мініатюризації мікросхем та мікроприладів і переходом до нанотехнологій, створенню нових матеріалів, що задовольняють вимогам нанотехнологій.

За допомогою застосування комплексу сучасних методів фізичного матеріалознавства встановлені закономірності процесів дифузійного формування стабільних нанорозмірних плівок силіцидів перехідних металів Co, Mn, Ni, Та, Ті, Pt на монокристалічному кремнії. Встановлено, що особливості формування структурно-фазового складу шарів силіцидів вказаних перехідних металів під час термічної обробки в умовах високого (не нижче 10^-3Па) і надвисокого (не нижче 10^-8 Па) вакууму визначаються посиленим впливом фактора нанорозмірності: формування силіцидних фаз в шарах нанометрових товщин відбувається в інших послідовностях, ніж це передбачається діаграмами фазових рівноваг для масивних матеріалів, і в інших температурних інтервалах, ніж в шарах субмікронного діапазону товщин.

Показано, що ключовим для формування фізичних основ промислово-перспективних силіцидних нанотехнологій є те, що контрольованість процесу отримання необхідної силіцидної фази та відтворюваність властивостей забезпечуються введенням між шаром металу та підкладкою (монокристалом кремнію) особливих зон, прошарків різного типу - дифузійно-контролюючих мембран (ДКМ), які виконують різну, але в усіх випадках регулюючу, роль в розвитку процесів дифузійного фазоутворення. Вони можуть уповільнювати і прискорювати дифузійні процеси, змінювати кінетику росту силіцидної плівки, стабілізувати потрібні для технології силіцидні фази, запобігати утворення неоптимальних за властивостями метастабільних фаз, сприяти формуванню стабільних фаз. В роботі на основі встановлених закономірностей, що мають наукову новизну, розроблені фізичні основи промислово-перспективних технологій виготовлення нанорозмірних епітаксійних CoSi₂, Mn₄Si₇ і стабільних полікристалічних NiSi плівок та інших нанорозмірних плівок силіцидів перехідних металів Ti, Ta, Pt на монокристалічному кремнії з регульованою термостабільністю та питомим електроопором

В дисертаційній роботі в результаті проведеного комплексного дослідження встановлені закономірності процесів дифузійного формування стабільних нанорозмірних плівок силіцидів перехідних металів Co, Mn, Ni, Та, Ті, Pt і розроблені фізичні основи промислово-перспективних технологій виробництва епітаксійних CoSi₂, Mn₄Si₇ і стабільних полікристалічних NiSi плівок.

1. Встановлено, що формування силіцидних фаз в шарах нанометрових (10 - 50 нм) товщин відбувається в інших послідовностях, ніж це передбачається діаграмами фазових рівноваг для масивних матеріалів, і в інших температурних інтервалах, ніж в шарах субмікронного (0,1 – 0,5 мкм) діапазону товщин:

в нанорозмірній плівковій композиції (НПК) Ti/Si(001) формуванню стабільної фази ТіSi₂(С54) передує поява метастабільної фази ТіSi₂(С49) з орторомбічною ОЦК структурою, температура переходу С49 в С54 зміщується в бік більш високих температур (порівняно із температурами переходу С49 в С54 в шарах субмікронних товщин), фаза С54 в шарах нанометрових товщин формується за більш високих (~ 1170К) температур, ніж в шарах субмікронних товщин (~ 870К);

в плівковій композиції Ni/Si(001) в результаті зменшення товщини плівки Ni з 100 до 10 нм температура утворення дисиліциду NiSi₂ знижується на 100К (з 1020 до 920К);

в двошаровій НПК Ni/Ті/Si(001) проміжні силіцидні фази нікелю не фіксуються, температура формування дисиліциду NiSi₂ знижується на 450К (з 1220 до 770К) в порівнянні із температурою формування NiSi₂ в двошаровій плівковій композиції Ni/Ті/Si(001) субмікронних товщин;

в двошаровій НПК Ті/Ni/Si(001) температура формування дисиліциду NiSi₂ знижується на 150К (з 1220 до 1070К) в порівнянні із температурою формування NiSi₂ в двошаровій плівковій композиції Ті/Ni/Si(001) субмікронних товщин;

2. Ключовим для формування наукових основ промислово-перспективних силіцидних нанотехнологій є те, що контрольованість процесу отримання необхідної силіцидної фази та відтворюваність властивостей забезпечуються створенням між шаром металу та підкладкою (монокристалом кремнію) особливих зон, прошарків різного типу - дифузійно-контролюючих мембран (ДКМ). ДКМ виконують різну, але в усіх випадках – регулюючу, роль в розвитку термічно-активованих процесів дифузійного фазоутворення, і можуть:

- уповільнювати дифузійні процеси за рахунок утворення проміжних фаз:

1) Co₃Ti₂Si – в НПК Co/Ti/SiO₂Si(001), що зменшує ефективний коефіцієнт дифузії атомів Со в зону твердофазної реакції і забезпечує формування епітаксійного дисиліциду CoSi₂;

2) ТіО₂ - в плівковій композиції Cu/Ti/SiO₂/Si(001), що зумовлює бар'єрний ефект для взаємодифузії атомів Cu і Si;

3) Al₃Ti – в плівковій композиції Al/(Ti+W)/Si(001), що зумовлює бар'єрний ефект для дифузії атомів Sі в плівку Al;

- уповільнювати дифузійні процеси за рахунок формування фізичного бар'єру (шар вуглецю – в НПК Ni/С/Si(001) і Ті/Ni/С/Si(001) - уповільнює дифузію атомів Ni в зону твердофазної реакції і знижує температуру формування дисиліциду NiSi₂.

- змінювати кінетику росту епітаксійної плівки Mn₄Si₇: введення моношару сурфактанта Sb в НПК Mn/Sb/Si(001) знижує коефіцієнт поверхневої дифузії атомів Mn на Si(001, що забезпечує механізм пошарового орієнтованого росту плівки – малих зерен Mn₄Si₇, що успадковують орієнтацію підкладки, - формування шару епітаксійного силіциду Mn₄Si₇.

- прискорювати дифузійні процеси (введення проміжного шару Ni в НПК Pt/Ni/Si(001) збільшує ефективний коефіцієнт дифузії Si під час формування силіциду в порівнянні з НПК Pt/Si і знижує температуру утворення силіциду PtSi на 100К (з 870 до 770К));

- стабілізувати потрібні для технології силіцидні фази і розширювати інтервал їх існування (введення шару Pt в НПК Ni/Pt/Si зумовлює утворення твердого розчину NiSi-PtSi, що підвищує енергетичний бар'єр для формування зародків дисиліциду NiSi₂ і стабілізує фазу NiSi);

- запобігати утворення неоптимальних за властивостями метастабільних фаз і сприяти формуванню стабільних фаз (введення в НПК Ti/Si(001) надтонкого шару, насиченого домішками, завтовшки ~ 1 нм уповільнює дифузію атомів Ті і Si в зону твердофазної реакції, що запобігає утворенню метастабільної TiSi₂(С49) фази і сприяє формуванню стабільної TiSi₂(С54) фази).

3. Встановлено, що особливу роль в дифузійному масоперенесенні домішок С, О, N під час термічної обробки досліджених в дисертації НПК відіграє зовнішня поверхня. Процеси, що розвиваються на зовнішній поверхні (утворення фаз домішок С, О, N) термодинамічно обумовлюють масоперенесення домішкових атомів С, О, N з обєму на зовнішню поверхню; домішки С, О, N дифундують в напрямку зовнішньої поверхні, “не вбудовуються” в кристалічну гратку силіцидного шару, який формується в обємі внаслідок твердофазних реакцій, і не накопичуються на внутрішніх межах розділу, що поліпшує експлуатаційні характеристики функціональних елементів мікросхеми. Ефекти такого роду посилюються під час переходу до нанорозмірів.

4. За умов фізико-технологічних параметрів отримання багатошарових НПК Me/Si/Me/Si… (Me –Ti, Ta, Co, Ni ~ 3 нм, Si ~ 6 - 10 нм) з середніми по об’єму складами Me₂Si, MeSi, MeSi₂ (магнетронне осадження зі швидкістю 0,3 нм/с, термічна обробка в інтервалі температур 470-1070К в високому вакуумі не нижче 10^-3Па) формування силіцидних фаз в таких композиціях проходить ряд проміжних станів: в композиції Со/Si/Со/Si… формуються області складу Со₂Si; в композиціях Ni/Si/Ni/Si…, Ті/Si/Тi/Si…, Та/Si/Та/Si… на межах розділу шарів металів і кремнію формуються перехідні області зі стехіометрією, близькою до MeSi, завтовшки ~ 1 - 10 нм; відпал за 1070К руйнує пошарову структуру, завдяки цьому формується силіцид відповідної (Me₂Si, MeSi, MeSi₂) стехіометрії в об'ємі плівки.

5. Визначені в роботі фізико-технологічні параметри процесів осадження та термічної обробки покладені в основу технологій формування:

1) епітаксійних плівок CoSi₂ з питомим електроопором ~15 мкОмсм, термостабільних до 1320К, в НПК Со/Ті/SiО₂/Si(001);

2) епітаксійних плівок Mn₄Si₇, термостабільних до 1200К, в НПК Mn/Sb/Si(001);

3) нанорозмірних полікристалічних плівок NiSі з питомим електроопором ~10 мкОмсм, термостабільних до 1170К, в НПК Ni/Pt/Si(001) і (Ni+Pt)/Si(001);

4) нанорозмірних плівок Ni₄Ті₄Sі₇ з питомим електроопором ~15 мкОмсм, термостабільних до 1120К, в НПК Ni/Ті/Si(001) і Ті/Ni/Si(001);

5) нанорозмірних плівок ТаSi₂ з питомим електроопором ~60 мкОмсм, термостабільних до 1270К, в НПК (Та+Si)/Si(001).

6. Впровадження в виробництво технологій формування нанорозмірних плівок силіцидів за режимами, дослідженими і визначеними в дисертаційній роботі, дало і в подальшому дасть змогу:

- створити чутливі датчики інфрачервоного випромінювання на основі нанорозмірного епітаксійного силіциду Mn₄Si₇;

- підвищити ступінь інтеграції, швидкодію, надійність та відтворюваність експлуатаційних характеристик в виробництві надвеликих і гігавеликих інтегральних мікросхем та мікроприладів з використанням технології одержання стабільних нанорозмірних плівок епітаксійного силіциду CoSi₂ і полікристалічного силіциду NiSі;

- сформувати діоди на основі стабільних нанорозмірних плівок силіцидів PtSi, ТіSi₂(С54), ТаSi₂ з висотою барєру Шотткі 0,87, 0,6, 0,59 еВ, відповідно.

Публікації автора:

1. Макогон Ю.М., Максимович Л.П., Павлова О.П., Сидоренко С.І., Фірстова І.С. Фазоутворення і фізичні властивості тонкоплівкових систем титан-вольфрам, алюміній-титан-вольфрам на кремнії // Наукові Вісті НТУУ"КПІ". – 2000. - № 5. - С. 76-80.

2. Бугаев Е.А., Макогон Ю.Н., Павлова Е.П., Сидоренко С.И. Влияние условий осаждения на структурно-фазовый состав пленок ТаSi₂ на Si // Металлофизика и новейшие технологии. – 2001. - Т. 23, № 5. - С. 609-613.

3. Dub S., Makogon Yu., Pavlova E., Sidorenko S. Deformation Curves of Ta-Silicide Thin Films obtained in Cyclic Nanoindentation Experiments // Z. Metallkunde. – 2001. – Vol.92, N9. - P.1057-1060.

4. Макогон Ю.Н., Волошко С.М., Павлова Е.П., Сидоренко С.И., Зеленин О.В., Васильев М.А., Тайхерт Ш. Влияние толщины слоя SiO₂ на формирование эпитаксиальной пленки CoSi₂ в системе Сo/Ti/SiO₂/Si // Металлофизика и новейшие технологии. - 2001. - Т.23, №11. - С.1455-1464.

5. Дуб С.Н., Макогон Ю.H., Павлова Е.П., Сидоренко С.И. Влияние структурно-фазового состава тонких пленок дисилицида тантала на их механические свойства // Металлофизика и новейшие технологии. - 2002. - Т.24, №1. - С.61-73.

6. Макогон Ю.Н., Павлова Е.П., Сидоренко С.И., Тайхерт Ш., Вербицкая Т.И. Влияние условий осаждения на формирование фазового состава пленок Mn в тонкопленочной системе Mn-Si // Металлофизика и новейшие технологии. – 2002. - Т. 24, № 11. - С. 1491-1498.

7. Sidorenko S.I., Makogon Yu.N., Csik A., Beke D.L., Pavlova E.P., Dub S.N. Formation of nanocrystalline structure of TaSi₂ films on silicon // Powder metallurgy. – 2003. - Vol.1-2.-P.16- 21.

8. Сидоренко С.И., Макогон Ю.Н., Дуб С.Н., Павлова Е.П., Беке Д.Л., Чик А., Зеленин О.В. Исследование наноструктуры и механических свойств пленок TaSi₂ на кремнии // Металлофизика и новейшие технологии. – 2003. - Т. 25, № 6. - С. 737-745.

9. Сидоренко С.И., Ту К.Н., Макогон Ю.Н., Павлова Е.П., Вербицкая Т.И., Нестеренко Ю.В. Исследование твердотельных реакций в пленочной системе Ti/Ni на монокристальном кремнии // Металлофизика и новейшие технологии. – 2003. - Т. 25, № 5. - С. 613-620.

10. Кудрявцев Ю.В., Сидоренко С.И., Макогон Ю.М., Павлова Е.П., Вербицкая Т.И., Ли Й.П. Исследование твердофазных реакций в многослойных пленках Ni/Si методом спектральной эллипсометрии // Металлофизика и новейшие технологии. – 2003. - Т. 25, №7. - С. 867-883.

11. Кудрявцев Ю.В., Сидоренко С.И., Макогон Ю.Н., Павлова Е.П., Вербицкая Т.И., Ли Й.П., Хюн Й.Х. Исследование методом спектральной эллипсометрии термически активированного процесса образования CoSi₂ в многослойных пленках Co/Si/Co/Si... на монокристаллическом кремнии // Металлофизика и новейшие технологии. – 2004. - Т.26, № 8. - С.1039-1050.

12. Kudryavtsev Y.V., Lee Y.P., Hyun Y. H., Pavlova E.P. Ellipsometric evidence of CoSi₂ formation in Co/Si miltilayer induced by thermal annealing // Journal of the Korean Physical Society. – 2004. -Vol. 45, N1. – Р. 180 – 184.

13. Сидоренко С.И., Ту К.Н., Павлова Е.П., Макогон Ю.Н., Свечников В.Л., Вербицкая Т.И., Котенко И.Е. Исследование твердотельных реакций в пленочной системе (200 нм)Ni/(200 нм)Ti на монокристальном кремнии (001) // Металлофизика и новейшие технологии. – 2005. - Т.27, № 4. - С. 457-467.

14. Бэддис Г., Волошко С.М., Макогон Ю.Н., Могилатенко А.В., Павлова Е.П., Сидоренко С.И., Хиннеберг Г.Ю., Замулко С.А., Мищук О.А. Термостимулированный массоперенос и твердотельные реакции в тонкопленочной системе Ni(24 нм)/Ti(5 нм)/Si(001) // Металлофизика и новейшие технологии. – 2005. - Т. 27, № 12. - С. 1635-1643.

15. Сидоренко С.И., Макогон Ю.Н., Ту К.-Н., Павлова Е.П., Вербицкая Т.И., Котенко И.Е., Свечников В.Л., Мохорт В.А., Нестеренко Ю.В. Фазообразование в пленочной системе Ti(200 нм)/Cu(200 нм)/Ti(10 нм)/SiO₂(370 нм) на монокристаллическом кремнии (100) // Металлофизика и новейшие технологии. – 2005. - Т. 27, № 8. - С.1017-1025.

16. Kudryavtsev Y. V., Uvarov V. N., Gontarz R., Dubowik J., Lee Y. P., Rhee J. Y., Makogon Y. N. and Pavlova E. P. Optical and magneto-optical spectroscopy of the nanostructural multilayred films. Possible applications. Обзор // Успехи физики металлов. – 2005. - Т.6. - С. 1001-1034.

17. Волошко С.М., Макогон Ю.М., Павлова О.П., Сидоренко С.І., Замулко С.О., Могилатенко А.В., Беддіс Г. Багатостадійна модель дифузійного формування включень силіцидної фази NiSi₂ в плівковій системі Ni(10 нм)/Si(001) // Металлофизика и новейшие технологии. – 2005. - Т. 27, № 11. - С. 1529-1537.

18. Павлова О.П. Формування епітаксійних плівок силіцидів перехідних металів на кремнії // Наукові Вісті НТУУ "КПІ". - 2005. - № 4(42). - С. 75-82.

19. Макогон Ю.М., Павлова О.П., Беддіс Г., Могилатенко А.В., Чухрай О.В. Процеси фазоутворення в тонкоплівковій композийії Ni(10 нм)/Ti(5 нм) на монокристалічному кремнії (001) при термообробленні у вакуумі // Наукові Вісті НТУУ"КПІ". – 2005. - № 5(43). - С. 61-66.

20. Макогон Ю.Н., Павлова Е.П., Беддис Г., Могилатенко А.В., Чухрай Е.В. Влияние атмосферы отжига на фазообразование в наноразмерной пленочной композиции Ni(10 нм)/Si(001) // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. Збірник наукових праць. – 2006. - Т.4, №1. - С. 127-136.

21. Макогон Ю.Н., Павлова Е.П., Беддис Г., Могилатенко А.В., Чухрай Е.В. Твердотельные реакции в тонкопленочной композиции Ti(10 нм)/Ni(10 нм)/C(2 нм) на монокристаллическом кремнии (001) при отжиге в вакууме // Металлофизика и новейшие технологии. – 2006. - Т.28, № 7. - С. 913-921.

22. Сидоренко С.І., Макогон Ю.М., Павлова О.П., Вербицька Т.І. Фазоутворення в багатошарових плівкових композиціях Ni/Ti на монокристалічному кремнії (001) // Наукові Вісті НТУУ"КПІ". - 2006. - № 1(45). - С. 60-64.

23. Павлова О.П. Вплив легуючих елементів Pt, Co, Au, Ti, Pd, Mn на термічну стійкість силіцидної плівки NiSi в нанорозмірних плівкових композиціях на монокристалічному кремнії // Наукові Вісті НТУУ"КПІ".- 2006. - №2(46). - С. 61-70.

24. Павлова О.П., Макогон Ю.М., Кудрявцев Ю.В., Шоцький О. Твердофазні реакції і оптичні властивості в багатошарових наноструктурах Ti/Si // Металлофизика и новейшие технологии. – 2006. - Т. 28, № 12. - С. 1541-1549.

25. Павлова Е.П., Макогон Ю.Н., Беддис Г., Могилатенко А.В., Чухрай О.В. Твердотільні реакції в тонкоплівковій композиції Ni(10 нм)/C(2 нм)/Si(001) // Наукові Вісті НТУУ"КПІ". – 2006. - № 5(49). - С. 53-58.

26. Сидоренко С.І., Макогон Ю.М., Павлова О.П., Котенко І.Є., Вербицька Т.І. Вплив орієнтації монокристалічної підкладки кремнію на процеси фазоутворення в біметалічній тонкоплівковій композиції Co/Ni/Si // Наукові Вісті НТУУ"КПІ". – 2007. - №1(51). – С.77-84.

27. Sidorenko S.I., Pavlova E.P., Makogon Yu. N. The Influence of Deposition Conditions on the Development of Solid State Reactions in the Ta-Si Thin Film System // Proceeding of the Fifth International Conference on Diffusion in Materials (DIMAT-2000). - Paris, France. – 2001. – Vol. 194-199. – P.1643-1646.

28. Дуб С.Н., Макогон Ю.H., Павлова Е.П., Сидоренко С.И. Механические свойства тонких пленок дисилицида тантала // Сборник докладов 12-го Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». - Харьков, Украина. – 2001. - С. 112-116.

29. Волошко С.M., Макогон Ю.Н., Павлова Е.П., Сидоренко С.И., Тайхерт Ш. Формирование эпитаксиальной пленки CoSi₂ в системе Сo/Ti/SiO₂/Si // Сборник докладов 12-го Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». - Харьков, Украина. – 2001. - С. 207-209.

30. Voloschko S.M., Makogon Yu.N., Pavlova E.P., Sidorenko S.I., Teichert St., Zelenin O.V. Influence of oxide layer thickness on the formation of epitaxial films of CoSi₂ in the Сo/Ti/SiO₂/Si system // Proceedings of DIFTRANS’2001. – Cherkasy, Ukraine. - 2001. - Vol. 37-38. - P. 191-194.

31. Макогон Ю.Н., Павлова Е.П., Сидоренко С.И., Тайхерт Ш., Вербицкая Т.И. Исследование твердофазных реакций в пленках системы Mn-Si // Сборник докладов 14-го Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике» - Харьков, Украина. – 2002. - С. 108-111.

32. Sidorenko S.I., Tu K.N., Makogon Yu.N., Csik A., Pavlova E.P., Verbitskaya T.I., Nesterenko Yu.V. Solid-state Reactions in Ti/Ni Thin Film System on Silicon Single Crystal // Proceedings of the International Conference on Diffusion, Segregation and Stresses in Materials. Defect and Diffusion Forum. – 2003. - Vol. 216-217. - Р. 263-268.

33. Сидоренко С.И., Макогон Ю.Н., Павлова Е.П., Котенко И.Е., Свечников В.Л., Ту К.-Н., Вербицкая Т.И., Мохорт В.А., Нестеренко Ю.В. Исследование твердофазных реакций в пленочной системе Ti(200 нм)/Cu(200 нм)/Ti(10 нм)/ SiO₂(370 нм) на кремнии // Сборник докладов 15-го Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике» - Харьков, Украина. – 2003. - С. 124-127.

34. Sidorenko S., Kudryavtsev Y., Makogon Y., Pavlova E., Verbitska T., Lee Y.P. and Hyun Y. H. Application of the Spectroscopic Ellipsometry for the CoSi₂ Silicide Formation Induced by Thermal Annealing of Co/Si Multilayered Films // Proceeding of 6^th International Conference on Diffusion in Materials. - Crakow, Poland. - 2005. - Diffusion in Materials. Part 1. - Р. 572-577.

35. Бэддис Г., Макогон Ю.Н., Могилатенко А.В., Павлова Е.П., Сидоренко С.И., Хиннеберг Г.Ю., Котенко И.Е. Формирование эпитаксиальных пленок MnSi_1,7 на монокристаллическом кремнии (001) // Тези Першої Української конференції "Нанорозмірні системи: електронна, атомна будова і властивості (НАНСИС-2004). - Київ, Україна. – 2004. - С. 278.

36. Makogon Yu., Mogilatenko A., Beddies G., Pavlova E., Chuhkraj E. Annealing Ambient Effect on the Phase Formation in Ti(10 nm)/Ni(10 nm)/C(2 nm)/Si(001) Thin Film System // Proceedings of the 1^st International Conference "Diffusion in Solids and Liquids. – 2005. - Vol. II. - Р. 457-460.

37. Voloshko S., Makogon Yu., Pavlova E., Sidorenko S., Zamulko S., Mogilatenko A., Beddies G. Silicide NiSi₂ formation regularities in Ni(10 нм)/Si(001) thin film // Proceedings of the 1^st International Conference "Diffusion in Solids and Liquids". – 2005. - Vol. II. - Р. 453-456.

38. Pavlova E., Makogon Yu., Beddies G., Mogilatenko A., Chukhrai E. Annealing ambient effect on the phase formation in Ni(10 nm)/Ti(5 nm)/Si(001) thin film system // Proceedings of the 1^st International Conference on Surfaces, Coatings and Nanostructured Materials.– 2005. – P.126 –128.

39. Makogon Yu., Pavlova O., Sidorenko S., Beddies G., Mogilatenko A. Influence of annealing environment and film thickness on the phase formation in the Ti/Si(100) and (Ti+Si)/Si(100) thin film systems // Proceedings of Diffusion and Stresses International Conference (DS 2006). - 2006. – P. 159-162.

40. Makogon Yu., Pavlova O., Beddies G., Mogilatenko A., Chukhraj O. Solid state reactions in Ni(10 nm)/C(2 nm)/Si(001) thin film system // Proceedings of Diffusion and Stresses International Conference (DS 2006). - 2006. – P. 155-158.

41. Makogon Yu., Pavlova O., Sidorenko S., Beddies G., Mogilatenko A. Formation of TiSi₂ nanodimensional films on the silicon // Proceedings of the International forum of integration of education Sci-tech economy (2006 IFIESE). – 2006. - Р.134-136.

42. Волошко С.М., Макогон Ю.М., Сидоренко С.І., Павлова О.П., Замулко С.О. Формування силіцидних фаз при реакційній дифузії в системі шар Ті(30 нм)/монокристалічний Si(100) // Збірник матеріалів ХІ Міжнародної конференції з фізики і технології тонких плівок (МКФТТП-ХІ). - 2007. – Том 1. – С.15-16.

43. Makogon Yu., Sidorenko S., Beddies G., Mogilatenko A., Pavlova E. Formation of Mn₄Si₇ layers on Si(001) // Absrtacts book of the 2^nd International Conference on Surfaces, Coatings and Nanostructured Materials.– 2007. – P.142.

44. Sidorenko S.I., Tu K.-N., Makogon Yu.N., Pavlova E.P., Verbitskaya T.I. The phase formation in Ti(200 nm)/Cu(200 nm)/Ti(10, 100 nm)/SiO₂(370 nm)/Si(001) thin film composition // Absrtacts book of the 2^nd International Conference on Surfaces, Coatings and Nanostructured Materials.– 2007. – P.142 –143.

45. Makogon Yu., Sidorenko S., Beddies G., Mogilatenko A., Pavlova E. Formation of Mn₄Si₇ layers on Si(001) by template method // Absrtact booklet of 4-th International workshop “Diffusion and Diffusional Phase Transformations in Alloys” (DIFTRANS-07). – 2007. – P. 114.

В роботах [1,2-9,13-15,19-22,24-27,29-33,35,36,38-41,43-45] автору належить формулювання мети і задач дослідження, отримання експериментальних результатів дослідження процесів дифузійного фазоутворення і фізичних властивостей плівкових композицій, їх обробка, опис і узагальнення, участь в їх обговоренні і формулюванні висновків, написання статтей. В роботах [3,10-12,14,17,28,34,37,42] автору належить участь в формулюванні мети і задач дослідження, отримання експериментальних результатів дослідження процесів дифузійного фазоутворення і фізичних властивостей плівкових композицій, їх обробка, опис, участь в їх обговоренні і формулюванні висновків, участь в написанні статтей. В роботі [16] автору належить частково отримання експериментальних результатів дослідження процесів дифузійного фазоутворення і фізичних властивостей плівкових композицій, їх обробка і опис. Всі дослідження методами рентгенофазового, електронографічного резистометричного аналізів, рентгентензометрії в роботах виконані автором самостійно. В виконанні досліджень іншими методами автору належить інтерпретація отриманих результатів.