Анотація до роботи:

Возний О.В. Електронний спектр та оптичні властивості напівпровідникових твердих розчинів на основі нітридів ІІІ групи. Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2004

Методом локального модельного псевдопотенціалу розраховано електронні спектри твердих розчинів заміщення Ga_1-xAl_xN, Ga_1-xIn_xN та In_1-xAl_xN. У наближенні 32-атомних суперкомірок з урахуванням внутрішніх локальних деформацій, композиційної невпорядкованості та структурної релаксації отримано задовільне узгодження розрахованих композиційних залежностей ширини забороненої зони з експериментом.

Проведено аналіз походження піків уявної частини діелектричної проникності бінарних сполук GaN, AlN та InN. Врахування біаксіальних деформацій дозволило пояснити появу нових особливостей в оптичних спектрах тонких плівок, що спостерігались експериментально.

Проведено порівняння різних підходів до визначення іонності та досліджено перебудову хімічного зв’язку у вищевказаних твердих розчинах зі зміною складу, використовуючи підхід повної валентної густини заряду. Проведено розрахунок поперечного ефективного заряду.

Публікації автора:

1. Дейбук В.Г., Возный А.В., Слетов М.М. Зонная структура и пространственное распределение заряда в Al_xGa_1-xN // ФТП. – 2000. – Т.34, №1. – С.36-40.

2. Особенности оптических свойств твердых растворов Al_xGa_1-xN // Дейбук В.Г., Возный А.В., Слетов М.М., Слетов А.М. – ФТП. – 2002. – Т.36, №4. - С.420-424.

3. Возний О.В., Дейбук В.Г., Мельничук С.В. Причини виникнення прогину в композиційних залежностях ширини забороненої зони твердих розчинів нітридів ІІІ групи // Науковий вісник Чернівецького університету. – Вип.132: Фізика. Електроніка. – Чернівці: Рута, 2002. – С.65-69.

4. Voznyy O.V., Deibuk V.G. Chemical bonding and optical bowing in III-nitrides solid solutions // Semicond. Phys. Quant. Optoel. – 2003. – Vol.6, №2. – P.120-125.

5. Deibuk V.G., Voznyy A.V., Sletov M.M. Effect of antisites on electronic band structure and charge densities of Ga_1-xAl_xN // XXVIII Internat. School on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec’99. – Warszawa (Poland). – 1999. – P.140-142.

6. Effect of strain on the optical properties of ternary III-nitride alloys // Voznyy O.V., Deibuk V.G., Sletov M.M., Sletov A.M. – E-MRS Spring Meeting 2002. – Symposium M. – Strasbourg (France). – 2002. – M-15.

7. Возний О.В., Дейбук В.Г. Термодинамічна стабільність об’ємних та плівкових твердих розчинів нітридів ІІІ групи // Матеріали ІХ Міжнародної конференції "Фізика і технологія тонких плівок". – Том 1. – Івано-Франківськ: Місто НВ. – 2003. – C.83-84.