Анотація до роботи:

Глухов К.Є. Електронні стани надґраток і вплив на них дефектів росту та зовнішніх факторів. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Ужгородський національний університет, Ужгород, 2007.

Дисертаційна робота присвячена дослідженню енергетичних станів електронної підсистеми напівпровідникових надґраток. Вивчено симетрійно-топологічні особливості будови валентної зони кубічних напівпровідників типів А^IV та A^IIIB^V, а також надґраток на їх основі. Шляхом порівняння з результатами одержаними в ab initio підході, встановлено можливість застосування концепції мінімальних комплексів зон для визначення головних особливостей просторового розподілу густини валентного заряду у цих матеріалах.

Також у роботі одержано вигляд граничних умов, що накладаються на обвідні функції та їх похідні на гетеропереходах надґраток з кусково-гладкою просторовою залежністю матеріальних параметрів. Проведено моделювання залежності величини енергетичних проміжків між нижніми мінізонами ряду короткоперіодних надґраток (GaAs)_N/(AlAs)_M від параметрів одержаних граничних умов, а також від сили Г-Х змішування у цих гетероструктурах.

Одержано загальний вигляд матриці перенесення для надґратки з довільним профілем потенціалу та проведено розрахунок енергетичних станів у відповідній моделі. При першопринципних дослідженнях структурної релаксації ряду симетричних надґраток (GaAs)_N/(AlAs)_N, визначено параметри неоднорідного поля зміщень в околі гетерограниць. Встановлено вигляд додаткових членів ефективного гамільтоніана, які виникають при врахуванні індукованого всебічним тиском поля деформацій, а також знайдені відповідні граничні умови.

Публікації автора:

1. Bercha A.I., Bogdan R., Glukhov K. Energy states and type of (GaAs)_N/(AlAs)_M short-period superlattices // Uzhhorod University Scientific Herald. Series Physics. – 2000. – №8. – P.75-79.

2. Bercha D.M., Glukhov K.E., Kharkhalis L.Yu. Energy states in superlattices connected with incommensurate phase presence // Condensed Matter Physics.– 2003.– V.6, №2.– P. 221-228.

3. Глухов К.Е., Берча А.И., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Энергетические состояния в короткопериодных симметричных и асимметричных сверхрешетках (GaAs)_N/(AlAs)_M. Зависимость от граничных условий // ФТП. – 2004 – т.38, вып.4. – C.426-435.

4. Глухов К.Є., Берча Д.М. Аналіз впливу перехідного шару на енергетичні стани короткоперіодних надґраток (GaAs)_N/(AlAs)_M // Вісник Чернівецького національного університету. Серія “Фізика”. – 2005. – №237. – C.86–90.

5. Sznajder M., Bercha D.M., Glukhov K.E., Slipukhina I.V. Universality of the empty lattice approximation to predict the topology of energy spectra of high-symmetry crystalls and superlattices based upon them // Acta Physica Polonica A.– 2006.– V.110, №3.– P.369-378.

6. Bercha D.M., Glukhov K.E., Sznajder M.. Elementary energy bands in the band structure A^IV, A^IIIB^V crystals and superlattices built upon them // phys. stat. sol. (b).–2007.– V.244, №4.– P.1318–1336.

7. Глухов К.Є., Берча Д.М. Граничні умови в методі обвідної функції та вплив на них зовнішніх факторів // Вісник Ужгородського національного університету. Серія “Фізика”. – 2006. – вип. 19. – С.20–25.

8. Bercha A.I., Bogdan R., Glukhov K. Energy states and type of (GaAs)N/(AlAs)M short-period superlattices // Europhysics Conference Elementary Processes in Atomic Systems EPAS’2000. Abstract and conference programme – 2000. – P.20.

9. Glukhov K.E., Bercha A.I., Bercha D.M. The Energy States in GaAs/AlAs Superlattices with Elements of Disoder// XXX International School on Physics of Semiconducting Compounds. Abstract booklet. – Jaszowiec (Poland). – 2001. – P.10.

10. Bercha D.M., Glukhov K.E., Kharkhalis L.Yu. Energy states in superlattices connected with incommensurate phase presence// VI Ukrainian-Polish and II East-European Meeting on Ferroelectrics Physics (UPEMFP' 2002) Program and Abstract Book. – Sinjak (Ukraine). – 2002. – P.105.

11. Glukhov K.E., Bercha A.I., Adamiec P. The Energy States and Boundary Conditions in Symmetrical and Asymmetrical Short-Period Superlattices (GaAs)N/(AlAs)M// XXXII International School on Physics of Semiconducting Compounds. Abstract booklet. – Jaszowiec (Poland). – 2003. – P.101.

12. Глухов К.Є., Берча Д.М. Формування поля зміщень атомів на інтерфейсі в ab initio розрахунках та дослідження його впливу на граничні умови та енергетичні стани в симетричних та асиметричних надґратках (GaAs)N/(AlAs)M // Тези доповідей ІІ української наукової конференції з фізики напівпровідників (за участі зарубіжних науковців) "УНКФН-2". – Чернівці-Вижниця. – 2004. – Т. 2. – C. 238.

13. M. Sznajder, L.Yu. Kharkhalis, I.V. Slipukhina, K.E. Glukhov. The idea of the elementary energy bands applied to the investigation of electron density distribution in rhombic crystals with various chemical bonding // Program and Abstracts of XXXIV International school on the physics of semiconducting compounds. – Jaszowiec, Poland. – 2005. – P. 72.

14. M. Sznajder, D.M. Bercha, K.E. Glukhov, I.V. Slipukhina. Universality of the empty-lattice approximation to predict the topology of energy spectra of high-symmetry crystals and superlattices based upon them // Proceedings of the XXXV International school on the physics of semiconducting compounds. – Jaszowiec, Poland. – 2006. –P. 39.