Анотація до роботи:

Чупира С. М. Електронні процеси у напівпровідниках в умовах фото-Ганн-ефекту. – Рукопис. Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2007.

Дисертація присвячена теоретичному дослідженню електронних процесів у напівпровіднику в області домішкового поглинання при одночасній дії на систему носіїв гріючого електричного поля та двох світлових хвиль з дещо різними частотами. Показано, що при певних співвідношеннях величин концентрації легуючої домішки, напруженості електричного поля, інтенсивності освітлення та параметрів матеріалу у коливних станах електронної підсистеми може реалізуватися випадковий дотик ізочастотних поверхонь і декрементів просторово-часових збурень стаціонарного стану. У лінійному за збуреннями освітленості наближенні побудована теорія фотовідгуку напівпровідника в умовах фото-Ганн-ефекту (ФГЕ). Показано, що електронна система володіє вибірковістю щодо величини керуючих параметрів, а фотовідгук суттєво залежить від геометричних розмірів зразка, що зумовлено різним вкладом області просторового заряду у величину фотовідгуку довгих і коротких зразків. Установлено, що нерівноважна система електронів в умовах просторової дисперсії освітлення напівпровідника характеризується переходом від квазіперіодичних станів при невеликій компенсації домішок до впорядкованих станів при певному критичному ступені компенсації. При цьому у розподілі внутрішнього електричного поля в k-просторі в залежності від інтенсивності світлової хвилі можна виділити три області: слабої та сильної інтенсивностей і перехідний режим. Показано, що при наявності ФГЕ зміною величин керуючих параметрів можна досягти експериментально вимірюваних значень зміни показника заломлення Dn.

Публікації автора:

1. Chupyra S. M., Horley P. P., Gorley P. M. Self-organization in semiconductors with drift instability under influence of modulated light. II. Light response to external field variations // Functional materials. – 2005. – Vol. 12, № 4 – P.786-792.

2. Gorley P. M., Horley P. P., Chupyra S. M. Peculiarities of space-time perturbation wave propagation in semiconductor under the photo Gunn effect // Ukr. J. Phys. – 2006. – Vol. 51, № 4 – P. 390-393.

3. Gorley P. M., Horley P. P., Chupyra S. M., Konstantinovich A.V. Semiconductor photoresponse under photo Gunn effect // Romanian Journal of Physics. – 2006. – Vol.51, №7-8. – P. 799-803.

4. Gorley P. M., Horley P. P., Chupyra S.M. Electric field and carrier concentration distributions in the semiconductor under photorefractive Gunn effect // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2006. – Vol.9, № 1. – P. 92-95.

5. Горлей П.М., Горлей П.П., Чупира С.М. Трансформація станів нестаціонарної електронної підсистеми в умовах фоторефрактивного Ганн–ефекту // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. – 2006. – № 1. – C. 23-28.

6. Чупира С. М., Горлей П. П. Вплив просторово-часових збурень на стаціонарні стани носіїв у напівпровіднику при наявності фото-Ганн-ефекту // ІІ Українська наукова конференція з фізики напівпровідників. – Чернівці-Вижниця. – 2004. – Т. 2. – С.487-488.

7. Chupyra S. M., Horley P. P., Gorley P. M. Self-organization in semiconductors with drift instability under the influence of modulated light // International Conference “Crystal materials’2005” (ICCM’2005). – Kharkov. – 2005. – P.128.

8. Горлей П. Н., Горлей П. П., Чупыра С. Н. Частотная и концентрационная зависимости фотоотклика полупроводника с дрейфовой неустойчивостью // Междунар. научн. конф. „Актуальные проблемы физики твердого тела”. – Минск. – 2005. – С. 382-384.

9. Gorley P. M., Horley P. P., Chupyra S. M., Konstantinovich A. V. Semiconductor photoresponse under photo Gunn effect // 14^th National Conference on Physics. – Bucharest. – 2005. – Vol. 1. – P.55-56.

10. Горлей П. П., Чупира С. М. Розподіли концентрації носіїв і електричного поля в напівпровіднику при фото-Ганн-ефекті // ІІ Міжнародна науково-технічна конференція “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології”(СЕМСТ-2). – Одеса. –2006. – С. 96.