Библиотека диссертаций Украины Полная информационная поддержка
по диссертациям Украины
  Подробная информация Каталог диссертаций Авторам Отзывы
Служба поддержки




Я ищу:
Головна / Фізико-математичні науки / Фізика твердого тіла


Хижун Олег Юліанович. Електронна структура нестехіометричних фаз втілення, диселенідів та багатокомпонентних гідридоутворюючих сплавів на основі перехідних металів : дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.07 / НАН України; Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича. - К., 2005.



Анотація до роботи:

Хижун О.Ю. Електронна структура нестехіометричних фаз втілення, диселенідів та багатокомпонентних гідридоутворюючих сплавів на основі перехідних металів. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 – фізика твердого тіла. – Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Київ, 2005.

За допомогою методів рентгенівської фотоелектронної, емісійної та абсорбційної спектроскопії досліджено електронну структуру та характер хімічного зв’язку нестехіометричних сполук на основі перехідних металів: 1) звичайних фаз втілення, котрі містили вакансії в металоїдній підгратці, або в підгратці металу; 2) твердих розчинів, в котрих відбувається заміщення атомів одного сорту атомами іншого сорту; 3) гідридів та водневих бронз, котрі теж є фазами втілення, але через специфічність їх основного компонента – атома водню – такі сполуки часто вирізняють у окремий клас; 4) координаційних сполук (фаз Магнелі, що містять площини кристалографічного зсуву); такі сполуки хоча і є нестехіометричними, але вони не містять вакансій, бо останні сконцентровані по певних кристалографічних площинах; 5) диселенідів, в котрих нестехіометрія може досягатися або за допомогою втілення атомів металу (молекул, або комплексів атомів) між сандвічами (Se-М-Se), або за рахунок відсутності певного числа атомів металу у вказаних сандвічах. Встановлено, що формування металоїдних вакансій в фазах втілення на основі перехідних металів призводить до зростання ширини смуги емісії металу на половині її висоти та до зменшення позитивного ефективного заряду на атомах металу, в той час як утворення вакансій в підгратці металу призводить до незначного зростання ефективних зарядів – позитивного на атомах металу та негативного на атомах неметалу – та до уширення рентгенівської емісійної смуги, що відображає енергетичний розподіл 2р-станів неметалу. Вивчено вплив стану поверхні на водень-сорбційні властивості сплавів типу АВ2 і АВ5. Розглянуто вплив на електронну структуру кристалу перехід його в інший політип або зміну симетрії кристалічної гратки.

1. Експериментальним чином вдалось зафіксувати в нестехіометричних по підгратці металу кубічних нітридах танталу утворення на NKa-смугах поблизу верхнього краю p-d-гібридної зони додаткового піка, поява котрого обумовлена формуванням групи незв’язуючих N2p-орбіталей в TaNx>1. Вказана підсмуга, що формується за рахунок незв’язуючих N2p-станів, розташована в енергетичному інтервалі між p-d-гібридною зоною та зоною d-типу і інтенсивність її зростає із збільшенням числа вакансій в TaNx>1. Встановлено, що підсмугу незв’язуючих О2p-станів не можна зафіксувати в нестехіометричних по підгратці металу кубічних оксидах титану, оскільки: а) в ТіОx>1 вона розташована значно ближче до верхнього краю p-d-гібридної зони в порівнянні з TaNx>1; б) кубічний монооксид титану навіть стехіометричного складу містить велику кількість (~15 %) вакансій по обох підгратках (металоїдній та металу).

2. Для досліджуваних карбідів, нітридів та нижчих оксидів ПМ характерна сильна гібридиза-ція валентних d-станів металу та 2р-станів неметалу, а перенесення заряду здійснюється в напрямку метал неметал. Формування вакансій в металоїдній підгратці призводить до зменшення ефективних позитивних зарядів на атомах металу, в той час як ефективний негативний заряд на атомах неметалу при цьому залишається практично незмінним. Утворення вакансій в підгратці металу призводить до незначного зростання ефективних зарядів – позитивого на атомах металу та негативого на атомах неметалу. Формування металоїдних вакансій в досліджуваних карбідах, нітридах та нижчих оксидах ПМ супроводжується зростанням ширини рентгенівської смуги емісії металу на половині її висоти, в той час як аналогічне уширення смуги, що відображає енергетичний розподіл 2р-станів неметалу, спостерігається при зростанні концентрації вакансій в підгратці металу.

3. При переході від кубічного монокарбіду ТаС0,98 до гексагональних півкарбідів танталу Та2Су спостерігається зсув (~0,7-0,9 еВ) максимумів РФ-спектру валентних електронів та рентгенівських емісійних смуг, що відображають енергетичний розподіл електронних Та5d- і С2р-станів, у напрямку рівня Фермі. Оскільки при цьому положення центру ваги рентгенівської емісійної смуги, що відображає енергетичний розподіл С2р-станів (СКa-смуга), залишається практично незмінним, то це супроводжується суттєвим зростанням індексу асиметрії СКa-смуги в послідовності ТаС0,98 Та2Су. У вказаній вище послідовності сполук ширина СКa-смуги на половині її висоти практично монотонно зменшується на величину ~0,3 еВ.

4. При заміщенні атомів вуглецю атомами азоту в кубічній TaCxN~0,8-х та ромбоедричній z-Та4С3–z-TaC0,59N0,15 системах:

а) збільшується щільність електронних Та5d-станів у прифермієвській області внаслідок заповнення додатковими валентними електронами, що привносяться атомами азоту, високоенергетичних t2g-орбіталей атомів танталу; це призводить до зростання півширини смуги емісії, що відображає енергетичний розподіл переважно Та5d-станів ;

б) зростає вклад в хімічний зв’язок іонної та металевої складових хімічного зв’язку, а ковалентної, навпаки, - зменшується.

5. У кубічних NbCxN~1-х і TaCxN~0,8-х карбонітридах заміщення атомів вуглецю азотом не призводить до зміни форми та півширини спектрів емісії, що відображають енергетичний розподіл С(N)2р-станів. Для нестехіометричних кубічних сполук TaCxN~0,8-х характерна сильна гібридизація Ta5d- і C(N)2p-станів. Іонна компонента хімічного зв’язку в досліджуваній ромбоедричній системі z-Та4С3–z-TaC0,59N0,15 дещо менша в порівнянні з такою кубічних карбонітридів ТаСхN~0,8-x, що пояснюється наявністю у ромбоедричних сполуках вкорочених Та-Та-зв’язків між атомами металу тих {111}-площин, які є суміжними з аналогічною площиною, в котрій концентруються С-вакансії.

6. Заміщення атомів титану атомами молібдену в кубічних (структура типу NaCl) потрійних карбідах TixMo1-xCy та атомів гафнію атомами танталу в ізоструктурних карбідах HfxTa1-xCy призводить до зменшення негативного ефективного заряду на атомах вуглецю. Дослідження CKa-смуг кубічних карбідів HfxТа1-хCy свідчить про суттєве зменшення її півширини в послідовності TaC0,98 HfC0,95. У вказаній послідовності сполук спостерігається значне зростання індексу асиметрії CKa-смуги, а положення її максимуму в досліджуваних карбідах співпадає в єдиній енергетичній шкалі з положенням максимуму РФ-спектру валентних електронів відповідної сполуки.

7. Електронна структура вищих оксидів молібдену і вольфраму, а також нестехіометричних оксидів, близьких за складом до МоО3 і WO3, визначається, головним чином, вкладами електрон-них О2р-станів. Відхилення від стехіометрії у МоО3 та WO3 призводить до появи на РФ-спектрах нестехіометричних оксидів молібдену і вольфраму додаткової прифермієвської підсмуги, що формується вкладами валентних d-станів металу. Аналогічна прифермієвська підсмуга спостерігається і на РФ-спектрах валентних електронів водневих бронз HxMo(W)O3, що пояснює появу їх електропровідності. Правда, у випадку водневих бронз прифермієвська підсмуга на РФ-спектрах формується за рахунок тих додаткових електронів, що привносяться атомами водню у кристалічну гратку оксиду вольфраму або молібдену.

8. На прикладі оксидів вольфраму встановлено, що відносна інтенсивність прифермієвської підсмуги на РФ-спектрах валентних електронів зростає із збільшенням співвідношення W:О, але не залежить від типу симетрії кристалічної гратки оксиду WOx (моноклинна, гексагональна). РФ-спектри валентних електронів та ОКa-смуги уширюються при переході від моноклинних до гексагональних WOx, що можна пояснити наявністю в гексагональних оксидах вольфраму двох сортів атомів кисню: атомів, що належать гексагональним площинам, та атомів, котрі розташовані між вказаними площинами. Вимірювання енергій зв’язку внутрішніх О1s-електронів та енергетичного положення точок перегину NEXAFS O1s-спектрів свідчать про те, що в оксидах вольфраму, ренію та молібдену зарядовий стан атомів кисню не змінюється зі зміною співвідношення атомів металу та кисню у зразку – у всіх досліджуваних оксидах він близький до такого у відповідному вищому оксиді.

9. РФС-дослідження із застосуванням синхротронного випромінювання свідчать, що середній ступінь відновлення пентоксиду диванадію в досліджуваному інтервалі вільного пробігу елек-тронів (l=0,62–1,12 нм) практично не змінюється зі збільшенням відстані від поверхні зразка V2O5. Для всіх аналізованих значень l оксиду V2O5 зростає до значень температури відпалу 673–773 К, де вплив дифузії атомів на значення середнього ступеню відновлення стає порівняним з ефектом видалення атомів кисню зі зразка. При вищих температурах відпалу вплив на значення дифузії атомів кисню з об’єму зразка до його поверхні переважає вплив на вказану величину ефекту видалення атомів кисню з приповерхневих шарів зразка.

10. Дослідження гідридів металів IVa-групи вказують на зростання відносної інтенсивності “гідридної” підсмуги на спектрах емісії металу при збільшенні концентрації водню у гідриді. Правда, як свідчать дослідження смуги емісії, що відображає енергетичний розподіл переважно 3d-станів титану, при заповненні в гідриді пустот іншого типу (октаедричних у випадку гідридів титану складу ТіНх>2) спостерігається не зростання відносної інтенсивності “гідридної” підсмуги, а її уширення за рахунок того, що розподіл по енергії Ті3d-станів, котрі беруть участь у формуванні зв’язків з 1s-електронами атомів водню, які знаходяться в тетраедричних порах, відрізняється від такого тих Ті3d-станів, котрі беруть участь у формуванні зв’язків з 1s-електронами атомів водню, що знаходяться в октаедричних порах. Результати досліджень багатокомпонентних Nі-вміщуючих сполук (CeNiSnD та LaNi4,7Sn0,3H5,5) вказують на те, що в забезпеченні хімічного зв’язку між атомами нікелю та водню Ni3d-стани участі не приймають.

11. Методом РФС встановлено кореляцію між температурою активації та відносною інтенсивністю сигналу від кисень- та вуглець-вміщуючих структур, адсорбованих на поверхні кисень-стабілізованих гідридоутворюючих сплавів на основі титану. Результати РФС-досліджень та дані трансмісійної електронної мікроскопії багатокомпонентних сплавів на основі лантану і цирконію свідчать, що легкість активації сплавів АВ5 у порівнянні зі сплавами АВ2 пояснюється суттєвою відмінністю тих оксидних шарів, котрі формуються у вказаних сплавах на повітрі: оксидний шар La2О3, котрий формується на поверхні сплавів типу АВ5, не є неперервним, а має острівкову структуру. Таким чином, він є проникним для молекулярного водню. Форма РФ-спектрів внутрішніх Ni2р-електронів вказує на те, що переважна кількість атомів нікелю на поверхні вихідного сплаву типу АВ5 знаходиться в зарядовому стані Ni0. Оскільки атоми нікелю в зарядовому стані Ni0 є найбільш активними центрами, на котрих реалізується дисоціативна хемосорбція водню, то такі центри слабо блокуються вуглець- і кисень-вміщуючими структурами, які адсорбовані на поверхні сплаву. В сплавах на основі цирконію поверхневий шар оксиду цирконію є неперервним. Тому для виникнення процесу наводнення сплаву типу АВ2 такий оксидний шар потрібно спочатку активувати. Цим і пояснюється той факт, що сплави типу АВ2 важче наводнити, ніж сплави типу АВ5.

12. РФС-дослідження свідчать, що перехід із звичайної поліморфної форми диселеніду ніобію 2Н-NbSe2 та молібдену 2Н-МоSe2 в інший політип (відповідно у 4Н(b)-NbSe2 та 3R-МоSe2) не призводить до помітних змін зарядового стану атомів або енергетичного розподілу електронів у ва-лентній смузі. При вказаних поліморфних переходах практично незмінними залишаються і форми рентгенівських SeKb2-смуг емісії. Вищевказані особливості, напевно, пояснюються тим фактом, що при поліморфних переходах 2Н-NbSe2 4Н(b)-NbSe2 та 2Н-МоSe2 3R-МоSe2 довжини найближчих зв’язків М–Se (M = Nb, Mo) залишаються незмінними. Не відбувається також суттєвих змін форми РФ-спектру валентних електронів та SeKb2-смуги при необоротному поліморфному переході диселеніду паладію з ромбічною структурою типу PdS2 у ромбічну структуру типу FeS2 (тип марказиту). Автоінтеркалювання атомами ніобію 2Н-політипу NbSe2 призводить до суттєвого зростання відносної інтенсивності прифермієвської підсмуги d-типу РФ-спектру валентних елек-тронів і супроводжується зменшенням ефективного позитивного заряду на атомах ніобію. При цьому величина негативного ефективного заряду на атоммах селену суттєво не змінюється.

13. При формуванні вакансій у підгратці металу диселеніду паладію зі структурою марказиту спостерігається зменшення відносної інтенсивності прифермієвської підсмуги d-типу на РФ-спектрі валентних електронів. При цьому відносна інтенсивність центральної підсмуги РФ-спектру валентних електронів, котра формується переважно за рахунок валентних станів селену р-симетрії, що беруть участь у формуванні зв’язків Se–Se, зростає. Таким чином, при зростанні кількості вакансій в металічній підгратці диселеніду паладію зі структурою типу марказиту валентні р-стани селену, що вивільняються зі зв’язків Pd–Se при розриві останніх, будуть приймати участь у формуванні зв’язків Se–Se. Це знаходить своє відображення у зростаннів пікової інтенсивності SeKb2-смуги в послідовності PdSe2,0 II PdSe2,4 II. У вищевказаній послідовності сполук, як свідчать результати вимірювань енергій зв’язку внутрішніх електронів, спостерігається деяке збільшення ефективного позитивного заряду на атомах паладію, в той час як ефективний негативний заряд на атомах селену при цьому залишається сталим.

Основні результати дисертації опубліковані в роботах:

  1. Хижун О.Ю., Жураковский Е.А., Синельниченко А.К., Колягин В.А., Чужко Р.К. Электронная структура субкарбидов тантала // Металлофизика. – 1993. – Т.15, № 3. – С. 19-38.

  2. Хижун О.Ю., Зауличный Я.В., Жураковский Е.А., Шипило В.Б. Особенности электронной структуры кубических карбонитридов тантала // Металлофизика и новейшие технологии. – 1996. – Т.18, № 4. – С. 68-80.

  3. Khyzhun O.Yu., Zhurakovsky E.A., Sinelnichenko A.K., Kolyagin V.A. Electronic structure of rhombohedral carbides z-Ta4C3 and e-Ta3C2 // Доп. НАН України. – 1996. – № 5. – С. 69-76.

  4. Dobrovolsky V.D., Yendrzheevskaya S.N., Sinelnichenko A.K., Skorokhod V.V., Khyzhun O.Yu. Analysis of the surface condition of Ti4Fe2Ox // Int. J. Hydrogen Energy. – 1996. – Vol.21, No. 11/12. – P. 1061-1064.

  5. Khyzhun O.Yu., Zhurakovsky E.A., Sinelnichenko A.K., Kolyagin V.A. Electronic structure of tantalum subcarbides studied by XPS, XES, and XAS methods // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. – 1996. – Vol.82. – P. 179-192.

  6. Хижун О.Ю., Синельниченко А.К., Зауличный Я.В., Жураковский Е.А., Шипило В.Б. Рентгеноспектральное исследование электронной структуры кубических карбонитридов TaCxN1-x // Доп. НАН України. – 1996. – № 8. – С. 86-93.

  7. Khyzhun O.Yu. XPS and XES studies of creation of vacancy states in substoichiometric cubic tantalum monocarbides // Укр. фіз. журн. – 1997. – Т.42, № 2. – С. 173-181.

  8. Хижун О.Ю., Зауличный Я.В., Дюжева Т.И., Жураковский Е.А. Особенности электронной структуры кубической и гексагональной модификаций триоксида рения // Доп. НАН України. – 1997. – № 2. – С. 99-107.

  9. Хижун О.Ю. Электронное строение нестехиометрических мононитридов тантала со структурами типа WC и NaCl // Металлофизика и новейшие технологии. – 1997. – Т.19, № 6. – С. 3-17.

  10. Dobrovolsky V.D., Solonin Yu.M., Skorokhod V.V., Khizhun O.Yu. XPS and transmission electron microscopy of the multicomponent hydride-forming alloys for electrochemical applications // J. Alloys Compd. – 1997. – Vol.253-254. – P. 488-491.

  11. Khyzhun O.Yu. XPS, XES, and XAS studies of the electronic structure of substoichiometric cubic TaCx and hexagonal Ta2Cy carbides // J. Alloys Compd. – 1997. – Vol.259. – P. 47-58.

  12. Khyzhun O.Yu., Zaulychny Ya.V. Electronic Structure of Substoichiometric Tantalum Nitrides Studied by the XES Method // Phys. Stat. Sol. (b). – 1998. – Vol.207. – P. 191-197.

  13. Хижун О.Ю., Зауличный Я.В., Жураковский Е.А. Особенности электронной структуры мононитридов тантала различных модификаций // Порошковая металлургия. – 1998. – № 7/8. – С. 93-101.

  14. Хижун О.Ю. Электронная структура и зарядовое состояние атомов кубических и гексагональных карбидов тантала // Порошковая металлургия. – 1999. – № 5/6. – С. 82-91.

  15. Trefilov V.I., Morozov I.A., Morozova R.A., Dobrovolsky V.D., Zaulichny Ya.A., Kopylova E.I., Khyzhun O.Yu. Peculiarities of interatomic interaction in titanium hydrides with different content of hydrogen // Int. J. Hydrogen Energy. – 1999. – Vol.24. – P. 157-161.

  16. Хижун О.Ю. Рентгеновские эмиссионные и фотоэлектронные спектры оксидов вольфрама // Металлофизика и новейшие технологии. – 2000. – Т.22, № 3. – С. 55-63.

  17. Хижун О.Ю., Солонин Ю.М. Электронная структура моноклинного и гексагонального триоксидов вольфрама и гексагональной водородной вольфрамовой бронзы H0,24WO3 // Порошковая металлургия. – 2000. – № 5/6. – С. 82-91.

  18. Khyzhun O.Yu. XPS study of the electronic structure of NbSe2 synthesized at high pressure // Физика и техника высоких давлений. – 2000. – Т.10, № 3. – С. 95-101.

  19. Khyzhun O.Yu. XPS, XES and XAS studies of the electronic structure of tungsten oxides // J. Alloys Compd. – 2000. – Vol.305. – P. 1-6.

  20. Khyzhun O.Yu., Solonin Yu.M., Dobrovolsky V.D. Electronic structure of hexagonal tungsten trioxide: XPS, XES, and XAS studies // J. Alloys Compd. – 2001. – Vol.320. – P. 1-6.

  21. Khyzhun O.Yu. Electronic structure of niobium diselenides // Доп. НАН України. – 2001. – № 8. – С. 86-91.

  22. Solonin Yu.M., Khyzhun O.Yu., Graivoronskaya E.A. Nonstoichiometric Tungsten Oxide Based on Hexagonal WO3 // Crystal Growth & Design. – 2001. – Vol.1, No. 6. – P. 473-477.

  23. Khyzhun O.Yu. Electronic structure of substoichiometric cubic tantalum carbonitrides synthesized at high pressure // Физика и техника высоких давлений. – 2001. – Т.11, № 4. – С. 48-60.

  24. Khyzhun O.Yu. XPS Study of the Electronic Structure of Nb1.27Se2 // Металлофизика и новейшие технологии. – 2002. – Т.24, № 2. – С. 141-149.

  25. Гармаш А.Ю., Хижун О.Ю. Исследование зарядового состояния атомов тройных кубических карбидов TixMo1-xCy методом РФС // Металлофизика и новейшие технологии. – 2002. – Т.24, № 3. – С. 321-330.

  26. Khyzhun O.Yu., Solonin Yu.M. Electronic structure of hexagonal hydrogen tungsten bronze HxWO3 nanoparticles, a prospective sensor material // Int. Sci. J. Alternat. Energy Ecol. – 2002. – No. 4. – P. 52-55.

  27. Solonin Yu.M., Khyzhun O.Yu. Electronic structure of hexagonal WO2.8 nanoparticles, a prospective sensor material // Int. Sci. J. Alternat. Energy Ecol. – 2002. – No. 6. – P. 63-67.

  28. Khyzhun O.Yu. XPS and XES Spectra of the 2H Diselenides NbSe2 and Nb1.27Se2 // Металлофизика и новейшие технологии. – 2002. – Т.24, № 11. – С. 1467-1476.

  29. Khyzhun O.Yu., Lototsky M.V., Riabov A.B., Rosenkilde C., Yartys V.A., Jrgensen S., Denys R.V. Sn-containing (La,Mm)Ni5-xSnxH5-6 intermetallic hydrides: thermodynamic, structural and kinetic properties // J. Alloys Compd. – 2003. – Vol.356-357. – P. 773-778.

  1. Yartys V.A., Ouladdiaf B., Isnard O., Khyzhun O.Yu., Buschow K.H.J. Hydrogen induced antiferromagnetism in the Kondo semimetal CeNiSn // J. Alloys Compd. – 2003. – Vol.359. – P. 62-65.

  2. Khyzhun O.Yu., Kolyagin V.A. X-Ray photoelectron and emission spectra of cubic and rhombohedral tantalum carbonitrides // J. Alloys Compd. – 2004. – Vol.363. – P. 32-39.

  3. Khyzhun O.Yu., Strunskus T., Solonin Yu.M. XES, XPS and NEXAFS studies of the electronic structure of cubic MoO1.9 and H1.63MoO3 thick films // J. Alloys Compd. – 2004. – Vol.366. – P. 54-60.

  4. Khyzhun O.Yu., Kolyagin V.A. Electronic structure of cubic and rhombohedral tantalum carbonitrides studied by XPS, XES, and XAS methods // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. – 2004. – Vol.137-140. – P. 463-467.

  5. Khyzhun O.Yu., Strunskus T., Cramm S., Solonin Yu.M. Electronic structure of CuWO4: XPS, XES and NEXAFS studies // J. Alloys Compd. – 2005. – Vol.389. –P. 14-20.

  6. Khyzhun O.Yu., Artyukh L.V., Kolyagin V.A. Electronic Structure and Charge States of Atoms of Cubic HfxTa1-xCy Carbides Studied by XPS and XES Methods // Металлофизика и новейшие технологии. – 2005. – Т.27, № 5. – С. 675-686.

  7. Khyzhun O.Yu. Electronic Structure of ReO3 and Re2O7 as Studied by X-ray Emission, Absorption and Photoelectron Spectroscopy Methods // Металлофизика и новейшие технологии. – 2005. – Т.27, № 6. – С. 805-816.

  8. Khyzhun O.Yu. Electronic structure of tantalum carbides and nitrides studied by XPS, XES, and XAS methods // Proc. 1st International Autumn School-Conf. “Solid State Physics: Fundamentals & Applications (SSPFA’94). – Uzhgorod (Ukraine), 1994. – P. R24-R25.

  9. Khyzhun O.Yu., Zhurakovsky E.A., Sinelnichenko A.K., Kolyagin V.A. Peculiarities of the electronic structure of rhombohedral z-Ta4C3 and e-Ta3C2 subcarbides // Proc. International School-Conf. for Young Scientists “Solid State Physics: Fundamentals & Applications (SSPFA’97). – Katsyveli (Crimea, Ukraine), 1997. – P. R19-R20.

  10. Solonin Yu.M., Dobrovolsky V.D., Khyzhun O.Yu., Skorokhod V.V., Galiy O.Z. XPS and electrochemical investigation of some polycomponent Zr-based alloys // Proc. Journes d’Automne 1998: Socit Franaise de Mtallurgie et de Matriaux. – Paris (France), 1998. – P. 3.25.

  11. Solonin Yu.M., Dobrovolsky V.D., Skorokhod V.V., Galiy O.Z., Khyzhun O.Yu. XPS, TEM and polaryzation studies of some polycomponent hydride-forming Zr-based alloys // Proc. Summer School on Advanced Materials for Industrial Applications.– Kavala (Greece), 1999. – P. 331-334.

  12. Dobrovolsky V.D., Khyzhun O.Yu., Solonin Yu.M. Surface X-ray photoelectron spectroscopy and reaction ability of alloys based on rare-earth metals and zirconium // Proc. Second International Conf. “Materials and Coatings for Extreme Performances: Investigations, Applications, Ecologically Safe Technologies for Their Production and Utilization” (MEE’2002). – Katsiveli-town (Crimea, Ukraine), 2002. – P. 409-410.

  13. Khyzhun O.Yu., Solonin Yu.M., Graivoronskaya E.A. Electronic structure of metastable and nonstoichiometric phases based on tungsten and molybdenum trioxides // Proc. International Conf. “Science for Materials in the Frontier of Centuries: Advantages and Challenges”. – Kyiv (Ukraine), 2002. –Vol.II. – P. 668-669.

  14. Solonin Yu.M., Dobrovolsky V.D., Khyzhun O.Yu., Skorokhod V.V., Galiy O.Z. Correlation between surface chemical states and electrochemical activities of alloys AB5 and AB2 // Hydrogen Materials Science and Chemistry of Metal Hydrides (Eds. by M.D. Hampton et al.). – Amsterdam: Kluwer Academic Publishers, 2002. – P. 415-422.

  15. Хижун О.Ю., Колягин В.А. Электронная структура ромбоэдрических фаз z-Ta4C3-xNx // Труды Третьей Международной Конф. “Материалы и покрытия в экстремальных условиях: исследования, применение, экологически чистые технологии производства и утилизации изделий”. – Кацивели-Понизовка (Автономная республика Крым, Украина), 2004. – С. 262А-262Б.

  16. Хижун О.Ю., Солонин Ю.М. Электронное строение наноструктурных оксидных фаз на основе W и Мо // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2004. – Т.2, № 4. – С. 1177-1184.