Анотація до роботи:

Попович К.О. Електролюмінесцентні властивості випромінювачів на основі капсульованого люмінофору ZnS: Cu. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – ДВНЗ “Ужгородський національний університет”, 2008.

Вивчені електролюмінесцентні властивості електролюмінесцентних випромінювачів на основі капсульованого порошку сульфіду цинку, легованого міддю. Методом, який базується на методі лінійної комбінації атомних орбіталей і методі псевдопотенціалу проведені теоретичні розрахунки енергетичних параметрів електролюмінесцентних випромінювачів, а саме: ширини забороненої зони, порогу фотоемісії, діелектричної проникності, енергії релаксації, повної енергії зв’язку та пружних сталих, енергетичні положення електронних станів у забороненій зоні, а також, розрахована енергетична діаграма гетеропереходу ZnS/Cu_2-xS (x = 0; 0,2).

Встановлено, що енергетичне положення спектру випромінювання електролюмінесцентних випромінювачів під час експлуатації протягом 2000 годин істотно не змінюється, а зменшення яскравості їх світіння можна описати емпіричною формулою, яка включає щонайменше дві складові часу релаксації: t₁ = 90 – 220 год., t₂ = 3100 – 4100 год. Досліджено вплив на час релаксації t₁ частоти, температури та форми імпульсу. Показано, що енергія активації релаксаційного процесу t₁ складає 0,24 еВ. Структурні зміни в електролюмінофорах ZnS: Cu пов’язуються з виходом домішки Cu з вузлів у міжвузля, дифузією Cu по міжвузлях, захопленням міжвузельних атомів вакансіями, дифузією вакансій, а також реакціями на межах центрів розпаду і коагуляції.

Публікації автора:

1. The study of the lifetime of ZnS-based luminescent films by using the devices of series LMS / K. Popovych, Yu. Nakonechny, I. Rubish, V. Gerasimov, G. Leising // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2003. – Vol. 6, No. 4. – P. 520–523.

2. Simulation of the electronic states in the band gap for ZnS: Cu, Cl crystallophosphors / N. D. Savchenko, T. N. Shchurova, K. O. Popovych, I. D. Rubish, G. Leising // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2004. – Vol. 7, No. 2. – P. 133–137.

3. Popovych K. O. Degradation processes in encapsulated ZnS: Cu powder electroluminescent phosphors / K. O. Popovych // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2007. – Vol. 10, No. 4. – P. 77–80.

4. Попович К. Характеристики та параметри електролюмінесцентних випромінювачів, одержаних на основі капсульованого люмінофору ZnS: Cu / К. Попович // Науковий Вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. – 2008. – № 22. – С. 36–39.

5. Попович К. Розробка приладів серії LMS для тестування параметрів електролюмінесцентних плівок / К. Попович, Ю. Наконечний, Рони Зоттер Ричард Зоттер, В. Герасимов // Матер. XII Международной научно-технической конференции “Приборостроение - 2003”. – Винница – Кореиз (Украина). – 2003. – C. 22–25.

6. Розробка приладу для вимірювання часу життя електролюмінесцентних плівок з регульованою термостабілізацією / К. Попович, В. Герасимов, Г. Лайсинг, І. Рубіш // Сб. трудов Международной научно-технической конференции “Наука и предпринимательство 2005”. – Винница – Ялта (Украина). – 2005. – C. 74–76.

7. Електронна структура та пружні сталі плівок халькогенідних напівпровідників / Т. М. Щурова, М. Д. Савченко, К. О. Попович Г. Лайзинг // Матер. X Міжнародної конференції з фізики i технології тонких плівок (МКФТТП-Х). – Т. 1. – Івано-Франківськ (Україна). – 2005. – С. 375–376.

8. Релаксаційні процеси в електролюмінофорах ZnS: Cu / К. О. Попович, І. Д. Рубіш, М. Д. Савченко, Г. Лайзинг // Матер. Міжнародної науково-практичної конференції “Структурна релаксація в твердих тілах”. – Вінниця (Україна). – 2006. – C. 151–153.

9. Popovych K. O. Energy band diagram for heterojunctions at nano scale in ZnS: Cu powder phosphors / K. O. Popovych, G. Leising // Mater. Int. Meeting “Clusters and nanostructured materials” (CNM' 2006). – Uzhgorod (Ukraine). – 2006. – P. 241–242.

10. Studying the lifetime characteristics of light radiation ZnS-based systems / K. Popovych, V. Gerasimov, G. Leising, I. Rubish // Mater. Int. Meeting “Clusters and nanostructured materials” (CNM' 2006). – Part 2. – Uzhgorod (Ukraine). – 2006. – P. 329.

11. Розрахунок ширини забороненої зони тонких плівок Si_xTi_1-xO₂ / М. Д. Савченко, Т. М. Щурова, К. О. Попович, І. Д. Рубіш, Г. Лайзинг // Матер. XІ Міжнародної конференції з фізики i технології тонких плівок та наносистем (МКФТТПН-ХІ). – Т. 1. – Івано-Франківськ (Україна). – 2007. – С. 161–162.

12. Попович К. О. Деградация электролюминофоров ZnS: Cu, Cl / К. О. Попович // Abstracts of the XXI International Conference “Relaxation Phenomena in Solids” (RPS 21). – Voronezh (Russia). – 2004. – P. 65.

13. Gap states in binary chalcogenide semiconductors / N. Savchenko, T. Shchurova, I. Rubish, K. Popovych, G. Leising // Abstracts of 7th International Conference on Physics of Advanced Materials (ICPAM-7). – Iasi (Romania). – 2004. – P. 161.

14. Surface and interface electronic states in ZnS: Cu, Cl powder phosphors / N. D. Savchenko, T. N. Shchurova, I. D. Rubish, K. O. Popovych, G. Leising // Abst. 16th Int. Vac. Congress/12th Int. Conf. Surface Sci./8th NANO (IVC-16/ICSS-12/NANO-8). – Part 2. – Venice (Italy). – 2004. – P. 618.

15. .Електронні стани в електролюмінофорах ZnS: Cu, Cl / М. Д. Савченко, Т. М. Щурова, К. О. Попович, І. Д. Рубіш, Г. Лайзинг // Тези доповідей 2-ї Української наукової конференції з фізики напівпровідників (УНКФН-2). – Т. 2. – Чернівці – Вижниця. – 2004. – С. 462.

16. Gap states in binary chalcogenide thin films / T. Shchurova, N. Savchenko, K. Popovych, G. Leising // Program and Book of Abstracts of 10th Joint Vacuum Conference (JVC 10). – Portoroz (Slovenia). – 2004. – P. 126.

17. Моделювання електронних станів у халькогенідних напівпровідниках / М. Д. Савченко, Т. М. Щурова, М. Ю. Баран, К. О. Попович, І. Д. Рубіш, Г. Лайзинг // Тези конференції “Нанорозмірні системи: електронна, атомна будова і властивості” (НАНСИС 2004). – Київ. – 2004. – С. 113.

18. X-ray microanalysis and energy band diagram for encapsulated ZnS: Cu electroluminescent phosphors / K. O. Popovych, N. D. Savchenko, I. D. Rubish, G. Leising // Abstr. 11th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA05). – Vienna (Austria). – 2005. – P. 261.

19. Non-linear properties simulation for zinc chalcogenides / N. D. Savchenko, K. Popovych, T. Shchurova, I. Rubish, G. Leising // Book of Abstracts SSC 2006 7th International Conference on Solid State Chemistry (SSC 2006). – Pardubice (Czech Republic). – 2006. – P. 182–183.

20. Electronic states of impurities and defects in encapsulated ZnS: Cu electroluminescent phosphors / N. Savchenko, T. Shchurova, K. Popovych, G. Leising // Abst. 8th International Conference on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (EXMATEC’06). – Cadiz (Spain). – 2006. – P. 129.

21. Simulation of the surface bending of energy band for binary chalcogenide semiconductors / T. Shchurova, N. Savchenko, A. Kondrat, K. Popovych, V. M. Rubish, G. Leising // Тези доп. 2-ої Міжнародної науково-технічної конференції “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології”. – Одеса (Україна). – 2006. – С. 209.

22. Surface bending of energy band for thin film of binary chalcogenides / T. Shchurova, N. Savchenko, A. Kondrat, K. Popovych, V. M. Rubish, G. Leising // Abs. 11th Joint Vacuum Conference (JVC 11). – Prague (Czech Republic). – 2006. – P. 79–80.

23. Electronic states of impurities and defects in encapsulated ZnS: Cu electroluminescent phosphors / N. Savchenko, T. Shchurova, A. Kondrat, K. Popovych, V. M. Rubish, G. Leising // Тези доповідей 3-ї Української наукової конференції з фізики напівпровідників (УНКФН-3). – Т. 2. – Одеса (Україна). – 2007. – С. 326.